輝光放電光譜/質(zhì)譜二者的區(qū)別及適用場景是什么呢？

杭州博測材料科技有限公司2025-08-08

GD-OES：測量等離子體中激發(fā)態(tài)原子退激釋放的特征光學發(fā)射譜線（波長范圍170–800 nm），通過光電倍增管或CCD檢測。優(yōu)勢： 多元素同步分析（每秒數(shù)千譜線）； 深度分辨率達納米級（濺射速率可控至0.1 nm/s）； 適合鍍層/薄膜成分剖析（如汽車鋼板Zn-Al涂層）。 GD-MS：通過質(zhì)譜儀分離等離子體中的離子（質(zhì)量范圍1–300 amu），檢測質(zhì)量/電荷比（m/z）。優(yōu)勢： 超高靈敏度（ppt級檢測限）； 同位素比值分析（如核材料23?U/23?U）； 非金屬元素（C/N/O/S）精細定量。

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