檢測用微光顯微鏡成像儀

微光顯微鏡(EmissionMicroscope,EMMI)是一種常用的芯片失效分析手段，可以用于確認芯片的失效位置。其原理是對樣品施加適當電壓，失效點會因加速載流子散射或電子-空穴對的復合而釋放特定波長的光子，這時光子就能被檢測到，從而檢測到漏電位置。Obirch利用激光束在恒定電壓下的器件表面進行掃描，激光束部分能量轉化為熱能，如果金屬互聯(lián)線存在缺陷，缺陷處溫度將無法迅速通過金屬線傳導散開，這將導致缺陷處溫度累計升高，并進一步引起金屬線電阻以及電流變化，通過變化區(qū)域與激光束掃描位置的對應，定位缺陷位置。為提升微光顯微鏡探測力，我司多種光學物鏡可選，用戶可依樣品工藝與結構選裝，滿足不同微光探測需求。檢測用微光顯微鏡成像儀

與傳統(tǒng)的半導體失效檢測技術，如 X 射線成像和電子顯微鏡相比，EMMI 展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。X 射線成像雖能洞察芯片內部結構，但對因電學異常引發(fā)的微小缺陷敏感度不足；電子顯微鏡雖可提供超高分辨率微觀圖像，卻需在高真空環(huán)境下工作，且對樣品制備要求苛刻。EMMI 則無需復雜樣品處理，能在芯片正常工作狀態(tài)下實時檢測，憑借對微弱光信號的探測，有效彌補了傳統(tǒng)技術在檢測因電學性能變化導致缺陷時的短板，在半導體質量控制流程中占據(jù)重要地位。非制冷微光顯微鏡技術參數(shù)我司自主研發(fā)的桌面級設備其緊湊的機身設計，可節(jié)省實驗室空間，適合在小型研發(fā)機構或生產(chǎn)線上靈活部署。

在電性失效分析領域，微光顯微鏡 EMMI 常用于檢測擊穿通道、漏電路徑以及器件早期退化區(qū)域。芯片在高壓或大電流應力下運行時，這些缺陷部位會產(chǎn)生局部光發(fā)射，而正常區(qū)域則保持暗場狀態(tài)。EMMI 能夠在器件正常封裝狀態(tài)下直接進行非接觸式觀測，快速定位失效點，無需拆封或破壞結構。這種特性在 BGA 封裝、多層互連和高集成度 SoC 芯片的分析中尤其重要，因為它能在復雜的布線網(wǎng)絡中精細鎖定問題位置。此外，EMMI 還可與電性刺激系統(tǒng)聯(lián)動，實現(xiàn)不同工作模式下的動態(tài)成像，從而揭示缺陷的工作條件依賴性，幫助工程師制定更有針對性的設計優(yōu)化或工藝改進方案。

與 Thermal EMMI 熱紅外顯微鏡相比，EMMI 微光顯微鏡在分析由電性缺陷引發(fā)的微弱光發(fā)射方面更具優(yōu)勢，能夠實現(xiàn)更高精度的缺陷定位；而熱紅外顯微鏡則更擅長捕捉因功率耗散導致的局部溫升異常。在與掃描電子顯微鏡（SEM）的對比中，EMMI 無需真空環(huán)境，且屬于非破壞性檢測，但 SEM 在微觀形貌觀察的分辨率上更勝一籌。在實際失效分析中，這些技術往往互為補充——可先利用 EMMI 快速鎖定缺陷的大致區(qū)域，再借助 SEM 或 FIB 對目標位置進行精細剖析與結構驗證，從而形成完整的分析鏈路。
介電層漏電時，微光顯微鏡可檢測其光子定位位置，保障電子器件絕緣結構可靠，防止電路故障。

EMMI的全稱是Electro-OpticalEmissionMicroscopy，也叫做光電發(fā)射顯微鏡。這是一種在半導體器件失效分析中常用的技術，通過檢測半導體器件中因漏電、擊穿等缺陷產(chǎn)生的微弱光輻射（如載流子復合發(fā)光），實現(xiàn)對微小缺陷的定位和分析，廣泛應用于集成電路、半導體芯片等的質量檢測與故障排查。

致晟光電該系列——RTTLITE20微光顯微分析系統(tǒng)（EMMI）是專為半導體器件漏電缺陷檢測而設計的高精度檢測系統(tǒng)。其中，實時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)采用鎖相熱成像(Lock-in Thermography)技術，通過調制電信號損升特征分辨率與靈敏度，結合軟件算法優(yōu)化信噪比，以實現(xiàn)顯微成像下的高靈敏度熱信號測量。 當二極管處于正向偏置或反向擊穿狀態(tài)時，會有強烈的光子發(fā)射，形成明顯亮點。制冷微光顯微鏡設備

靜電放電破壞半導體器件時，微光顯微鏡偵測其光子可定位故障點，助分析原因程度。檢測用微光顯微鏡成像儀

Thermal和EMMI是半導體失效分析中常用的兩種定位技術，主要區(qū)別在于信號來源和應用場景不同。Thermal（熱紅外顯微鏡）通過紅外成像捕捉芯片局部發(fā)熱區(qū)域，適用于分析短路、功耗異常等因電流集中引發(fā)溫升的失效現(xiàn)象，響應快、直觀性強。而EMMI（微光顯微鏡）則依賴芯片在失效狀態(tài)下產(chǎn)生的微弱自發(fā)光信號進行定位，尤其適用于分析ESD擊穿、漏電等低功耗器件中的電性缺陷。相較之下，Thermal更適合熱量明顯的故障場景，而EMMI則在熱信號不明顯但存在異常電性行為時更具優(yōu)勢。實際分析中，兩者常被集成使用，相輔相成，以實現(xiàn)失效點定位和問題判斷。檢測用微光顯微鏡成像儀