微光顯微鏡 EMMI（Emission Microscopy）是一種利用半導(dǎo)體器件在通電運行時產(chǎn)生的極微弱光輻射進行成像的失效分析技術(shù)。這些光輻射并非可見光，而是源于載流子在高電場或缺陷區(qū)復(fù)合時釋放的光子，波長通常位于近紅外區(qū)域。EMMI 系統(tǒng)通過高靈敏度的冷...

在芯片失效分析的流程中，失效背景調(diào)查相當于提前設(shè)置好的“導(dǎo)航系統(tǒng)”，它能夠為分析人員提供清晰的方向，幫助快速掌握樣品的整體情況，為后續(xù)環(huán)節(jié)奠定可靠基礎(chǔ)。 首先需要明確的是芯片的型號信息。不同型號的芯片在電路結(jié)構(gòu)、工作原理和設(shè)計目標上都可能存在較大差異...

在實際開展失效分析工作前，通常需要準備好檢測樣品，并完成一系列前期驗證，以便為后續(xù)分析提供明確方向。通過在早期階段進行充分的背景調(diào)查與電性能驗證，工程師能夠快速厘清失效發(fā)生的環(huán)境條件和可能原因，從而提升分析的效率與準確性。 首先，失效背景調(diào)查是不可或...

EMMI 的技術(shù)基于半導(dǎo)體物理原理，當半導(dǎo)體器件內(nèi)部存在缺陷導(dǎo)致異常電學(xué)行為時，會引發(fā)電子 - 空穴對的復(fù)合，進而產(chǎn)生光子發(fā)射。設(shè)備中的高靈敏度探測器如同敏銳的 “光子獵手”，能將這些微弱的光信號捕獲。例如，在制造工藝中，因光刻偏差或蝕刻過度形成的微小短路，傳...

在半導(dǎo)體MEMS器件檢測領(lǐng)域，微光顯微鏡憑借超靈敏的感知能力，展現(xiàn)出不可替代的技術(shù)價值。MEMS器件的中心結(jié)構(gòu)多以微米級尺度存在，這些微小部件在運行過程中產(chǎn)生的紅外輻射變化極其微弱——其信號強度往往低于常規(guī)檢測設(shè)備的感知閾值，卻能被微光顯微鏡捕捉。借助先進的光...

微光紅外顯微儀是一種高靈敏度的失效分析設(shè)備，可在非破壞性條件下，對封裝器件及芯片的多種失效模式進行精細檢測與定位。其應(yīng)用范圍涵蓋：芯片封裝打線缺陷及內(nèi)部線路短路、介電層（Oxide）漏電、晶體管和二極管漏電、TFT LCD面板及PCB/PCBA金屬線路缺陷與短...

在電子產(chǎn)業(yè)中，電激勵與鎖相熱成像系統(tǒng)的結(jié)合為電子元件檢測帶來了前所未有的高效解決方案。電激勵的原理是向電子元件施加特定頻率的周期性電流，利用電流通過導(dǎo)體時產(chǎn)生的焦耳效應(yīng)，使元件內(nèi)部產(chǎn)生均勻且可控的熱量。當元件存在短路、虛焊、內(nèi)部裂紋等缺陷時，缺陷區(qū)域的熱傳導(dǎo)特...

漏電是芯片另一種常見的失效模式，其誘因復(fù)雜多樣，既可能源于晶體管長期工作后的老化衰減，也可能由氧化層存在裂紋等缺陷引發(fā)。 與短路類似，芯片內(nèi)部發(fā)生漏電時，漏電路徑中會伴隨微弱的光發(fā)射現(xiàn)象——這種光信號的強度往往遠低于短路產(chǎn)生的光輻射，對檢測設(shè)備的靈敏...

從技術(shù)原理來看，該設(shè)備構(gòu)建了一套完整的 “熱信號捕捉 - 解析 - 成像” 體系。其搭載的高性能探測器（如 RTTLIT P20 采用的 100Hz 高頻深制冷型紅外探測器）能敏銳捕捉中波紅外波段的熱輻射，配合 InGaAs 微光顯微鏡模塊，可同時實現(xiàn)熱信號與...

先進的封裝應(yīng)用、復(fù)雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長給故障定位和分析帶來了前所未有的挑戰(zhàn)。有缺陷或性能不佳的半導(dǎo)體器件通常表現(xiàn)出局部功率損耗的異常分布，導(dǎo)致局部溫度升高。RTTLIT系統(tǒng)利用鎖相紅外熱成像進行半導(dǎo)體器件故障定位，可以準確有效地定位這些目...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 也是科研與教學(xué)領(lǐng)域的利器，其設(shè)備能捕捉微觀世界的熱信號。它將紅外探測與顯微技術(shù)結(jié)合，呈現(xiàn)物體表面溫度分布，分辨率達微米級，可觀察半導(dǎo)體芯片熱點、電子器件熱分布等。非接觸式測量是其一大優(yōu)勢，無需與被測物體直接接觸，避免了...

致晟光電在推動產(chǎn)學(xué)研一體化進程中，積極開展校企合作。公司依托南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院，專注開發(fā)基于微弱光電信號分析的產(chǎn)品及應(yīng)用。雙方聯(lián)合攻克技術(shù)難題，不斷優(yōu)化實時瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)（RTTLIT），使該系統(tǒng)溫度靈敏度可達0.0001℃，功率檢測限低至1uW...

RTTLIT 系統(tǒng)采用了先進的鎖相熱成像（Lock-In Thermography）技術(shù)，這是一種通過調(diào)制電信號來大幅提升特征分辨率與檢測靈敏度的創(chuàng)新方法。在傳統(tǒng)的熱成像檢測中，由于背景噪聲和熱擴散等因素的影響，往往難以精確檢測到微小的熱異常。而鎖相熱成像...

電子產(chǎn)業(yè)的功率器件檢測中，電激勵的鎖相熱成像系統(tǒng)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，為功率器件的安全可靠運行提供了有力保障。功率器件如 IGBT、MOSFET 等，在工作過程中需要承受大電流、高電壓，功耗較大，容易因內(nèi)部缺陷而產(chǎn)生過熱現(xiàn)象，進而導(dǎo)致器件損壞，甚至引發(fā)整個電子...

鎖相熱成像系統(tǒng)與電激勵結(jié)合，為電子產(chǎn)業(yè)的芯片失效分析提供了一種全新的方法，幫助企業(yè)快速定位失效原因，改進生產(chǎn)工藝。芯片失效的原因復(fù)雜多樣，可能是設(shè)計缺陷、材料問題、制造過程中的污染，也可能是使用過程中的靜電損傷、熱疲勞等。傳統(tǒng)的失效分析方法如切片分析、探針測試...

鎖相熱成像系統(tǒng)與電激勵結(jié)合，為電子產(chǎn)業(yè)的芯片失效分析提供了一種全新的方法，幫助企業(yè)快速定位失效原因，改進生產(chǎn)工藝。芯片失效的原因復(fù)雜多樣，可能是設(shè)計缺陷、材料問題、制造過程中的污染，也可能是使用過程中的靜電損傷、熱疲勞等。傳統(tǒng)的失效分析方法如切片分析、探針測試...

在電子產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體材料檢測中，電激勵的鎖相熱成像系統(tǒng)用途，為半導(dǎo)體材料的質(zhì)量提升提供了重要保障。半導(dǎo)體材料的質(zhì)量直接影響半導(dǎo)體器件的性能，材料中存在的摻雜不均、位錯、微裂紋等缺陷，會導(dǎo)致器件的電學(xué)性能和熱學(xué)性能下降。通過對半導(dǎo)體材料施加電激勵，使材料內(nèi)部產(chǎn)生電...

在半導(dǎo)體行業(yè)飛速發(fā)展的現(xiàn)在，芯片集成度不斷提升，器件結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜，失效分析的難度也隨之大幅增加。傳統(tǒng)檢測設(shè)備往往難以兼顧微觀觀測與微弱信號捕捉，導(dǎo)致許多隱性缺陷成為 “漏網(wǎng)之魚”。蘇州致晟光電科技有限公司憑借自主研發(fā)實力，將熱紅外顯微鏡與鎖相紅外熱成像系統(tǒng)...

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進的非破壞性檢測技術(shù)，主要用于精細定位電子設(shè)備中的熱點區(qū)域，這些區(qū)域通常與潛在的故障、缺陷或性能問題密切相關(guān)。該技術(shù)可在不破壞被測對象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態(tài)下釋放的熱輻射與光信號，為工程師提供關(guān)鍵的故障診...

RTTLIT 系統(tǒng)采用了先進的鎖相熱成像（Lock-In Thermography）技術(shù)，這是一種通過調(diào)制電信號來大幅提升特征分辨率與檢測靈敏度的創(chuàng)新方法。在傳統(tǒng)的熱成像檢測中，由于背景噪聲和熱擴散等因素的影響，往往難以精確檢測到微小的熱異常。而鎖相熱成像...

性能參數(shù)的突破更凸顯技術(shù)實力。RTTLIT P20 的測溫靈敏度達 0.1mK，意味著能捕捉到 0.0001℃的溫度波動，相當于能檢測到低至 1μW 的功率變化 —— 這一水平足以識別芯片內(nèi)部柵極漏電等隱性缺陷；2μm 的顯微分辨率則讓成像精度達到微米級，可清...

在電子產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體材料檢測中，電激勵的鎖相熱成像系統(tǒng)用途，為半導(dǎo)體材料的質(zhì)量提升提供了重要保障。半導(dǎo)體材料的質(zhì)量直接影響半導(dǎo)體器件的性能，材料中存在的摻雜不均、位錯、微裂紋等缺陷，會導(dǎo)致器件的電學(xué)性能和熱學(xué)性能下降。通過對半導(dǎo)體材料施加電激勵，使材料內(nèi)部產(chǎn)生電...

這款一體化設(shè)備的核心競爭力，在于打破了兩種技術(shù)的應(yīng)用邊界。熱紅外顯微鏡擅長微觀尺度的熱分布成像，能通過高倍率光學(xué)系統(tǒng)捕捉芯片表面微米級的溫度差異；鎖相紅外熱成像系統(tǒng)則依托鎖相技術(shù)，可從環(huán)境噪聲中提取微弱的周期性熱信號，實現(xiàn)納米級缺陷的精細定位。致晟光電通過硬件...

致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能InSb（銦銻）探測器，用于中波紅外波段（3–5 μm）的熱輻射信號捕捉。InSb材料具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率和極低的本征噪聲，在制冷條件下可實現(xiàn)高達nW級的熱靈敏度和優(yōu)于20mK的溫度分辨率，適用于高精度、非接觸式熱成像分析。該探...

在實際應(yīng)用中，這款設(shè)備已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的 “故障診斷利器”。在晶圓制造環(huán)節(jié)，它能通過熱分布成像識別光刻缺陷導(dǎo)致的局部漏電；在芯片封裝階段，可定位引線鍵合不良引發(fā)的接觸電阻過熱；針對 IGBT 等功率器件，能捕捉高頻開關(guān)下的瞬態(tài)熱行為，提前預(yù)警潛在失效風險。某...

在電子行業(yè)，鎖相熱成像系統(tǒng)為芯片檢測帶來了巨大的變革。芯片結(jié)構(gòu)精密復(fù)雜，傳統(tǒng)的檢測方法不僅效率低下，還可能對芯片造成損傷。而鎖相熱成像系統(tǒng)通過對芯片施加周期性的電激勵，使芯片內(nèi)部因故障產(chǎn)生的微小溫度變化得以顯現(xiàn)，系統(tǒng)能夠敏銳捕捉到這些變化，進而定位電路中的短路...

光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術(shù)常被集成于同一檢測系統(tǒng)，合稱為光發(fā)射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補，能夠協(xié)同應(yīng)對集成電路中絕大多數(shù)失效模式，大幅提升失效分析的全面...

電激勵的參數(shù)設(shè)置對鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)的檢測效果有著決定性的影響，需要根據(jù)不同的檢測對象進行精細調(diào)控。電流大小的選擇尤為關(guān)鍵，必須嚴格適配電子元件的額定耐流值。如果電流過小，產(chǎn)生的熱量不足以激發(fā)明顯的溫度響應(yīng)，系統(tǒng)將難以捕捉到缺陷信號； 而電流過...

致晟光電在推動產(chǎn)學(xué)研一體化進程中，積極開展校企合作。公司依托南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院，專注開發(fā)基于微弱光電信號分析的產(chǎn)品及應(yīng)用。雙方聯(lián)合攻克技術(shù)難題，不斷優(yōu)化實時瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)（RTTLIT），使該系統(tǒng)溫度靈敏度可達0.0001℃，功率檢測限低至1uW...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 也是科研與教學(xué)領(lǐng)域的利器，其設(shè)備能捕捉微觀世界的熱信號。它將紅外探測與顯微技術(shù)結(jié)合，呈現(xiàn)物體表面溫度分布，分辨率達微米級，可觀察半導(dǎo)體芯片熱點、電子器件熱分布等。非接觸式測量是其一大優(yōu)勢，無需與被測物體直接接觸，避免了...