例如,當(dāng)某批芯片在測(cè)試中出現(xiàn)漏電失效時(shí),微光顯微鏡能夠準(zhǔn)確定位具體的失效位置,為后續(xù)分析提供堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。通過(guò)該定位信息,工程師可結(jié)合聚焦離子束(FIB)切割技術(shù),對(duì)芯片截面進(jìn)行精細(xì)觀察,從而追溯至柵氧層缺陷或氧化工藝異常等具體問(wèn)題環(huán)節(jié)。這一能力使得微光顯微鏡在半導(dǎo)體失效分析中成為定位故障點(diǎn)的重要工具,其高靈敏度的探測(cè)性能和高效的分析流程,為問(wèn)題排查與解決提供了不可或缺的支撐。
在芯片研發(fā)階段,該設(shè)備可以幫助研發(fā)團(tuán)隊(duì)快速鎖定設(shè)計(jì)或工藝中的潛在隱患,避免資源浪費(fèi)和試錯(cuò)成本的增加;在量產(chǎn)環(huán)節(jié),微光顯微鏡能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)批量性失效的源頭,為生產(chǎn)線的調(diào)整和優(yōu)化爭(zhēng)取寶貴時(shí)間,降低經(jīng)濟(jì)損失;在產(chǎn)品應(yīng)用階段,它還能夠?yàn)榭煽啃詥?wèn)題的排查提供參考,輔助企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量和市場(chǎng)信譽(yù)。無(wú)論是面向先進(jìn)制程的芯片研發(fā),還是成熟工藝的量產(chǎn)檢測(cè),這套設(shè)備憑借其獨(dú)特技術(shù)優(yōu)勢(shì),在失效分析流程中發(fā)揮著不可替代的作用,為半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)轉(zhuǎn)和技術(shù)升級(jí)提供了有力支持。 國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡的優(yōu)勢(shì)在于工藝完備與實(shí)用。什么是微光顯微鏡品牌
在微光顯微鏡(EMMI)的操作過(guò)程中,對(duì)樣品施加適當(dāng)電壓時(shí),其失效點(diǎn)會(huì)由于載流子加速散射或電子-空穴對(duì)復(fù)合效應(yīng)而發(fā)射特定波長(zhǎng)的光子。這些光子經(jīng)過(guò)光學(xué)采集與圖像處理后,可形成一張清晰的信號(hào)圖,用于反映樣品在供電狀態(tài)下的發(fā)光特征。隨后,通過(guò)取消施加在樣品上的電壓,在無(wú)電狀態(tài)下采集一張背景圖,用于記錄環(huán)境光和儀器噪聲。將信號(hào)圖與背景圖進(jìn)行疊加和差分處理,可以精確識(shí)別并定位發(fā)光點(diǎn)的位置,實(shí)現(xiàn)對(duì)失效點(diǎn)的高精度定位。為了進(jìn)一步提升定位精度,通常會(huì)結(jié)合多種圖像處理技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化。例如,可通過(guò)濾波算法有效去除背景噪聲,提高信號(hào)圖的信噪比;同時(shí)利用邊緣檢測(cè)技術(shù),突出發(fā)光點(diǎn)的邊界特征,從而實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的定位與輪廓識(shí)別。借助這些方法,EMMI能夠?qū)Π雽?dǎo)體芯片、集成電路及微電子器件的失效點(diǎn)進(jìn)行精確分析,為故障排查、工藝優(yōu)化和設(shè)計(jì)改進(jìn)提供可靠依據(jù),并提升失效分析的效率和準(zhǔn)確性。鎖相微光顯微鏡成像儀故障類型與位置被快速識(shí)別。
在致晟光電的微光顯微鏡系統(tǒng)中,光發(fā)射顯微技術(shù)憑借優(yōu)化設(shè)計(jì)的光學(xué)系統(tǒng)與制冷型 InGaAs 探測(cè)器,能夠捕捉低至皮瓦(pW)級(jí)別的微弱光子信號(hào)。這一能力使其在檢測(cè)柵極漏電、PN 結(jié)微短路等低強(qiáng)度發(fā)光失效問(wèn)題時(shí),展現(xiàn)出靈敏度與可靠性。同時(shí),微光顯微鏡具備非破壞性的檢測(cè)特性,確保器件在分析過(guò)程中不受損傷,既適用于研發(fā)階段的失效分析,也滿足量產(chǎn)階段對(duì)質(zhì)量管控的嚴(yán)苛要求。其亞微米級(jí)的空間分辨率,更讓微小缺陷無(wú)所遁形,為高精度芯片分析提供了有力保障。
該設(shè)備搭載的 - 80℃深制冷型 InGaAs 探測(cè)器與高分辨率顯微物鏡形成黃金組合,從硬件層面確保了超高檢測(cè)靈敏度的穩(wěn)定輸出。這種良好的性能使其能夠突破微光信號(hào)檢測(cè)的技術(shù)瓶頸,即便在微弱漏電流環(huán)境下,依然能捕捉到納米級(jí)的極微弱發(fā)光信號(hào),將傳統(tǒng)設(shè)備難以識(shí)別的細(xì)微缺陷清晰呈現(xiàn)。作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的關(guān)鍵檢測(cè)工具,它為質(zhì)量控制與失效分析提供了可靠的解決方案:在生產(chǎn)環(huán)節(jié),可通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)提前發(fā)現(xiàn)潛在的漏電隱患,幫助企業(yè)從源頭把控產(chǎn)品質(zhì)量;在失效分析階段,借助高靈敏度成像技術(shù),能快速鎖定漏電缺陷的位置,并支持深度溯源分析,為工程師優(yōu)化生產(chǎn)工藝提供精密的數(shù)據(jù)支撐。 微光顯微鏡中,光發(fā)射顯微技術(shù)通過(guò)優(yōu)化的光學(xué)系統(tǒng)與制冷型 InGaAs 探測(cè)器,可捕捉低至 pW 級(jí)的光子信號(hào)。
致晟光電產(chǎn)品之一,EMMI (微光顯微鏡)RTTLIT E20在半導(dǎo)體研發(fā)過(guò)程中是不可或缺的助力。當(dāng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)嘗試新的芯片架構(gòu)或制造工藝時(shí),難免會(huì)遭遇各種未知問(wèn)題。EMMI微光顯微鏡RTTLIT E20 能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)芯片在不同工作條件下的光發(fā)射情況,為研發(fā)人員提供直觀、詳細(xì)的電學(xué)性能反饋。通過(guò)分析這些光信號(hào)數(shù)據(jù),研發(fā)人員可以快速判斷新設(shè)計(jì)或新工藝是否存在潛在缺陷,及時(shí)調(diào)整優(yōu)化方案,加速新技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室到量產(chǎn)的轉(zhuǎn)化進(jìn)程,推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
光發(fā)射顯微的非破壞性特點(diǎn),確保檢測(cè)過(guò)程不損傷器件,滿足研發(fā)與量產(chǎn)階段的質(zhì)量管控需求。自銷微光顯微鏡圖像分析
技術(shù)成熟度和性價(jià)比,使國(guó)產(chǎn)方案脫穎而出。什么是微光顯微鏡品牌
致晟光電的EMMI微光顯微鏡依托公司在微弱光信號(hào)處理領(lǐng)域技術(shù),將半導(dǎo)體器件在通電狀態(tài)下產(chǎn)生的極低強(qiáng)度光信號(hào)捕捉并成像。當(dāng)器件內(nèi)部存在PN結(jié)擊穿、漏電通道、金屬遷移等缺陷時(shí),會(huì)釋放特定波長(zhǎng)的光子。致晟光電通過(guò)高靈敏度InGaAs探測(cè)器、低噪聲光學(xué)系統(tǒng)與自研信號(hào)放大算法,實(shí)現(xiàn)了對(duì)納瓦級(jí)光信號(hào)的高信噪比捕捉。該技術(shù)無(wú)需破壞樣品,即可完成非接觸式檢測(cè),尤其適合3D封裝、先進(jìn)制程芯片的缺陷定位。憑借南京理工大學(xué)科研力量支持,公司在探測(cè)靈敏度、數(shù)據(jù)處理速度、圖像質(zhì)量等方面,幫助客戶更快完成失效分析與良率優(yōu)化。什么是微光顯微鏡品牌