實(shí)時(shí)成像微光顯微鏡功能

在致晟光電的微光顯微鏡系統(tǒng)中，光發(fā)射顯微技術(shù)憑借優(yōu)化設(shè)計(jì)的光學(xué)系統(tǒng)與制冷型 InGaAs 探測(cè)器，能夠捕捉低至皮瓦（pW）級(jí)別的微弱光子信號(hào)。這一能力使其在檢測(cè)柵極漏電、PN 結(jié)微短路等低強(qiáng)度發(fā)光失效問題時(shí)，展現(xiàn)出靈敏度與可靠性。同時(shí)，微光顯微鏡具備非破壞性的檢測(cè)特性，確保器件在分析過程中不受損傷，既適用于研發(fā)階段的失效分析，也滿足量產(chǎn)階段對(duì)質(zhì)量管控的嚴(yán)苛要求。其亞微米級(jí)的空間分辨率，更讓微小缺陷無所遁形，為高精度芯片分析提供了有力保障。
電路驗(yàn)證中出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)及漏電，微光顯微鏡可定位位置，為電路設(shè)計(jì)優(yōu)化提供依據(jù)，保障系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。實(shí)時(shí)成像微光顯微鏡功能

在微光顯微鏡（EMMI）檢測(cè)中，部分缺陷會(huì)以亮點(diǎn)形式呈現(xiàn)，

例如：漏電結(jié)（JunctionLeakage）接觸毛刺（ContactSpiking）熱電子效應(yīng)（HotElectrons）閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）氧化層漏電（GateOxideDefects/Leakage，F(xiàn)-N電流）多晶硅晶須（Poly-SiliconFilaments）襯底損傷（SubstrateDamage）物理損傷（MechanicalDamage）等。

同時(shí)，在某些情況下，樣品本身的正常工作也可能產(chǎn)生亮點(diǎn)，例如：飽和/工作中的雙極型晶體管（Saturated/ActiveBipolarTransistors）飽和的MOS或動(dòng)態(tài)CMOS（SaturatedMOS/DynamicCMOS）正向偏置二極管（ForwardBiasedDiodes）反向偏置二極管擊穿（Reverse-BiasedDiodesBreakdown）等。

因此，觀察到亮點(diǎn)時(shí)，需要結(jié)合電氣測(cè)試與結(jié)構(gòu)分析，區(qū)分其是缺陷發(fā)光還是正常工作發(fā)光。此外，部分缺陷不會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)，如：歐姆接觸金屬互聯(lián)短路表面反型層硅導(dǎo)電通路等。

若亮點(diǎn)被金屬層或其他結(jié)構(gòu)遮蔽（如BuriedJunctions、LeakageSitesUnderMetal），可嘗試采用背面（Backside）成像模式。但此模式只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，并需要對(duì)樣品進(jìn)行減薄及拋光處理。 國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡內(nèi)容我司微光顯微鏡能檢測(cè)內(nèi)部缺陷，通過分析光子發(fā)射評(píng)估性能，為研發(fā)、生產(chǎn)和質(zhì)量控制提供支持。

Thermal（熱分析/熱成像）指的是通過紅外熱成像（如ThermalEMMI或熱紅外顯微鏡）等方式，檢測(cè)芯片發(fā)熱異常的位置。通常利用的是芯片在工作時(shí)因電流泄漏或短路而產(chǎn)生的局部溫升。常用于分析如：漏電、短路、功耗異常等問題。EMMI（光發(fā)射顯微成像EmissionMicroscopy）是利用芯片在失效時(shí)（如PN結(jié)擊穿、漏電）會(huì)產(chǎn)生微弱的光發(fā)射現(xiàn)象（多為近紅外光），通過光電探測(cè)器捕捉這類自發(fā)光信號(hào)來確定失效點(diǎn)。更敏感于電性失效，如ESD擊穿、閂鎖等。

在不同類型的半導(dǎo)體產(chǎn)品中，EMMI（微光顯微鏡） 扮演著差異化卻同樣重要的角色。對(duì)于功率半導(dǎo)體，如 IGBT 模塊，其工作時(shí)承受高電壓、大電流，微小的缺陷極易引發(fā)過熱甚至燒毀。EMMI 能夠檢測(cè)到因缺陷產(chǎn)生的異常光發(fā)射，幫助工程師排查出芯片內(nèi)部的擊穿點(diǎn)或接觸不良區(qū)域，保障功率半導(dǎo)體在電力電子設(shè)備中的可靠運(yùn)行。而在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，EMMI 可用于檢測(cè)存儲(chǔ)單元漏電等問題，確保數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的準(zhǔn)確性與穩(wěn)定性，維護(hù)整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)安全。在航空航天芯片檢測(cè)中，它可定位因輻射導(dǎo)致的芯片損傷，為航天器電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行保駕護(hù)航。

失效分析是一種系統(tǒng)性技術(shù)流程，通過多種檢測(cè)手段、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以及深入分析，探究產(chǎn)品或器件在設(shè)計(jì)、制造和使用各階段出現(xiàn)故障、性能異?；蚴У母驹?。與單純發(fā)現(xiàn)問題不同，失效分析更強(qiáng)調(diào)精確定位失效源頭，追蹤導(dǎo)致異常的具體因素，從而為改進(jìn)設(shè)計(jì)、優(yōu)化工藝或調(diào)整使用條件提供科學(xué)依據(jù)。尤其在半導(dǎo)體行業(yè)，芯片結(jié)構(gòu)復(fù)雜、功能高度集成，任何微小的缺陷或工藝波動(dòng)都可能引發(fā)性能異?；蚴?，因此失效分析在研發(fā)、量產(chǎn)和終端應(yīng)用的各個(gè)環(huán)節(jié)都發(fā)揮著不可替代的作用。在研發(fā)階段，它可以幫助工程師識(shí)別原型芯片設(shè)計(jì)缺陷或工藝偏差；在量產(chǎn)階段，則用于排查批量性失效的來源，優(yōu)化生產(chǎn)流程；在應(yīng)用階段，失效分析還能夠解析環(huán)境應(yīng)力或長(zhǎng)期使用條件對(duì)芯片可靠性的影響，從而指導(dǎo)封裝、材料及系統(tǒng)設(shè)計(jì)的改進(jìn)。通過這一貫穿全生命周期的分析過程，半導(dǎo)體企業(yè)能夠更有效地提升產(chǎn)品質(zhì)量、保障性能穩(wěn)定性，并降低潛在風(fēng)險(xiǎn)，實(shí)現(xiàn)研發(fā)與生產(chǎn)的閉環(huán)優(yōu)化。微光顯微鏡支持寬光譜探測(cè)模式，探測(cè)范圍從紫外延伸至近紅外，能滿足不同材料的光子檢測(cè)，適用范圍更廣。高分辨率微光顯微鏡對(duì)比

針對(duì)接面漏電，我司微光顯微鏡能偵測(cè)其光子定位位置，利于篩選不良品，為改進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝提供數(shù)據(jù)。實(shí)時(shí)成像微光顯微鏡功能

在芯片失效分析的流程中，失效背景調(diào)查相當(dāng)于提前設(shè)置好的“導(dǎo)航系統(tǒng)”，它能夠?yàn)榉治鋈藛T提供清晰的方向，幫助快速掌握樣品的整體情況，為后續(xù)環(huán)節(jié)奠定可靠基礎(chǔ)。

首先需要明確的是芯片的型號(hào)信息。不同型號(hào)的芯片在電路結(jié)構(gòu)、工作原理和設(shè)計(jì)目標(biāo)上都可能存在較大差異，因此型號(hào)的收集與確認(rèn)是所有分析工作的起點(diǎn)。緊隨其后的是應(yīng)用場(chǎng)景的梳理。

無論芯片是應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是航空航天等領(lǐng)域，使用環(huán)境和運(yùn)行負(fù)荷都會(huì)不同，這些條件會(huì)直接影響失效表現(xiàn)及其可能原因。 實(shí)時(shí)成像微光顯微鏡功能