日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強(qiáng)型MOS管;其中，PMOS可以很方便地用作高速驅(qū)動(dòng)。不過(guò)PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換種類(lèi)少等問(wèn)題，在高速驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無(wú)論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類(lèi)，增強(qiáng)型NMOS管常見(jiàn)的重要原因，尤其在開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS管。MOS管重要特性1.導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意義是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng))，只需柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接VCC時(shí)的情況(高速驅(qū)動(dòng))。MOS管的工作溫度...

熱穩(wěn)定性測(cè)試是指對(duì)MOS管的熱穩(wěn)定性進(jìn)行測(cè)試。熱穩(wěn)定性是指MOS管在高溫下的穩(wěn)定性。熱穩(wěn)定性測(cè)試可以通過(guò)高溫老化試驗(yàn)儀進(jìn)行。電熱應(yīng)力測(cè)試是指對(duì)MOS管的電熱應(yīng)力進(jìn)行測(cè)試。電熱應(yīng)力是指MOS管在高電壓下的穩(wěn)定性。電熱應(yīng)力測(cè)試可以通過(guò)高電壓老化試驗(yàn)儀進(jìn)行。 總結(jié)：MOS管的參數(shù)測(cè)試和可靠性評(píng)估是確保MOS管性能和可靠性的重要手段。MOS管的參數(shù)測(cè)試包括靜態(tài)參數(shù)測(cè)試和動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，靜態(tài)參數(shù)測(cè)試包括開(kāi)關(guān)特性測(cè)試、漏電流測(cè)試、閾值電壓測(cè)試和電容測(cè)試，動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試包括開(kāi)關(guān)速度測(cè)試和反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試。MOS管的可靠性評(píng)估包括壽命測(cè)試、熱穩(wěn)定性測(cè)試和電熱應(yīng)力測(cè)試。這些測(cè)試可以通過(guò)各種測(cè)試設(shè)備和方法進(jìn)...

MOS管的開(kāi)通過(guò)程關(guān)于MOS管的開(kāi)通過(guò)程，網(wǎng)絡(luò)上有許多文檔進(jìn)行分析，其來(lái)源應(yīng)為一篇帶感性負(fù)載的MOS管開(kāi)通過(guò)程的分析，很多轉(zhuǎn)發(fā)該文章的網(wǎng)文卻常常忽略了這一點(diǎn)，把這個(gè)過(guò)程當(dāng)做了所有場(chǎng)景下MOS的開(kāi)通過(guò)程。因此，在分析之前，先說(shuō)明本文分析的前提：阻性負(fù)載下，VDS固定時(shí)，加驅(qū)動(dòng)電壓VGS的情況下，MOS管的導(dǎo)通過(guò)程分析。 帶阻性負(fù)載的MOS管電路在GS、GD、DS之間都有寄生電容，在DS之間還有一個(gè)寄生二極管。在t0時(shí)刻，MOS管柵極加一驅(qū)動(dòng)電壓VGS,其值為MOS管完全導(dǎo)通所需要的驅(qū)動(dòng)電壓VGS(sat)后續(xù)，若負(fù)載繼續(xù)加重，使漏極電流繼續(xù)上升，則MOS管的電流將會(huì)飽和，MOS管進(jìn)入飽...

場(chǎng)效應(yīng)管的品種很多，主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管兩大類(lèi)，又都有N溝道和P溝道之分。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也叫做金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱(chēng)為MOS場(chǎng)效應(yīng)管，分為耗盡型MOS管和增強(qiáng)型MOS管。場(chǎng)效應(yīng)管還有單柵極管和雙柵極管之分。雙柵場(chǎng)效應(yīng)管具有兩個(gè)相互獨(dú)立的柵極G1和G2，從構(gòu)造上看相當(dāng)于由兩個(gè)單柵場(chǎng)效應(yīng)管串聯(lián)而成，其輸出電流的變化遭到兩個(gè)柵極電壓的控制。雙柵場(chǎng)效應(yīng)管的這種特性，在作為高頻放大器、增益控制放大器、混頻器和解調(diào)器運(yùn)用時(shí)會(huì)帶來(lái)很大方便。 mos管柵極和源極電壓一樣嘛？汽車(chē)MOS管廠家 MOS管的優(yōu)點(diǎn)低功耗：MOS管的靜態(tài)功耗很低，因?yàn)樗鼈冎恍枰奈⑿〉碾娏鱽?lái)維持其狀態(tài)。這...

MOS管有什么優(yōu)點(diǎn)：1)輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率?。嚎刂品绞綖殡妷嚎刂?，比較方便。由于柵源之間是二氧化硅（SiO2）絕緣層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻，一般達(dá)100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高，對(duì)激勵(lì)信號(hào)不會(huì)產(chǎn)生壓降，有電壓就可以驅(qū)動(dòng)，所以驅(qū)動(dòng)功率極?。`敏度高）。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb，再產(chǎn)生基極電流Ib，才能驅(qū)動(dòng)集電極電流的產(chǎn)生。晶體三極管的驅(qū)動(dòng)是需要功率的（Vb×Ib）。 2）開(kāi)關(guān)速度快:MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和輸入的容性特性的有很大關(guān)系，由于輸入容性特性的存在，使開(kāi)關(guān)的速度變慢，但是在作為開(kāi)關(guān)運(yùn)用時(shí)，可降低驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)...

MOS管集成電路電阻的應(yīng)用1多晶硅電阻集成電路中的單片電阻器距離理想電阻都比較遠(yuǎn)，在標(biāo)準(zhǔn)的MOS管工藝中，理想的無(wú)源電阻器是多晶硅條。ρ為電阻率;t為薄板厚度;R□=（ρ/t）為薄層電阻率，單位為Ω/□;L/W為長(zhǎng)寬比。由于常用的薄層電阻很小，通常多晶硅大的電阻率為100Ω/□，而設(shè)計(jì)規(guī)則又確定了多晶硅條寬度的相對(duì)小值，因此高值的電阻需要很大的尺寸，由于芯片面積的限制，實(shí)際上是很難實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)然也可以用擴(kuò)散條來(lái)做薄層電阻，但是由于工藝的不穩(wěn)定性，通常很容易受溫度和電壓的影響，很難精確控制其闕值。寄生效果也十分明顯。無(wú)論多晶硅還是擴(kuò)散層，他們的電阻的變化范圍都很大，與注入材料中的雜質(zhì)濃...

電磁干擾失效是MOS管的另一個(gè)常見(jiàn)失效模式。當(dāng)MOS管受到電磁干擾時(shí)，會(huì)導(dǎo)致器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的變化，從而導(dǎo)致器件性能下降或失效。電磁干擾失效通常分為以下幾種類(lèi)型：（1）柵極極化：當(dāng)MOS管受到電磁干擾時(shí)，柵極會(huì)發(fā)生極化，導(dǎo)致漏電流增加，會(huì)導(dǎo)致器件失效。（2）柵極電荷積累：當(dāng)MOS管受到電磁干擾時(shí)，柵極會(huì)積累電荷，導(dǎo)致漏電流增加，然后會(huì)導(dǎo)致器件失效。（3）漏電流增加：當(dāng)MOS管受到電磁干擾時(shí)，漏電流會(huì)增加，導(dǎo)致器件失效。 MOS管的制造工藝越復(fù)雜，性能越好，成本越高。成都MOS管多少錢(qián) MOS管集成電路電阻的應(yīng)用1多晶硅電阻集成電路中的單片電阻器距離理想電阻都比較遠(yuǎn)，在標(biāo)準(zhǔn)的MOS管工...

接下來(lái)我們?cè)賮?lái)看看NMOS的第二個(gè)重要參數(shù)Rdson，剛才有提到NMOS被完全打開(kāi)的時(shí)候，它的電阻接近于零。但是無(wú)論多小，它總歸是有一個(gè)電阻值的，這就是所謂的Rdson。它指的是NMOS被完全打開(kāi)之后，d、s之間的電阻值。同樣的你也可以在數(shù)據(jù)手冊(cè)上找到它。這個(gè)電阻值當(dāng)然是越小越好。越小的話呢，它分壓分的少，而且發(fā)熱也相對(duì)比較低。但實(shí)際情況一般Rdson越小，這個(gè)NMOS的價(jià)格就越高，而且一般對(duì)應(yīng)的體積也會(huì)比較大。所以還是要量力而行，選擇恰好合適。然后來(lái)說(shuō)一下Cgs，這個(gè)是比較容易被忽視的一個(gè)參數(shù)，它指的是g跟s之間的寄生電容。所有的NMOS都有，這是一個(gè)制造工藝的問(wèn)題，沒(méi)有辦法被避免。那它...

MOS管作為開(kāi)關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點(diǎn)，但是在作為大功率開(kāi)關(guān)管應(yīng)用時(shí)，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個(gè)小電容器，輸入的開(kāi)關(guān)激勵(lì)信號(hào)，實(shí)際上是在對(duì)這個(gè)電容進(jìn)行反復(fù)的充電、放電的過(guò)程，在充放電的過(guò)程中，使MOS管道導(dǎo)通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后，使“開(kāi)”與“關(guān)”的過(guò)程變慢，這是開(kāi)關(guān)元件不能允許的（功耗增加，燒壞開(kāi)關(guān)管）。 由于MOS管在制造工藝上柵極S的引線的電流容量有一定的限度，所以在Q1在飽和導(dǎo)通時(shí)VCC對(duì)MOS管柵極S的瞬時(shí)充電電流巨大，極易損壞MOS管的輸入端，為了保護(hù)MOS管的安全，在具體的電路中必須采取措施限制瞬時(shí)充電...

P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管原理：P溝道增強(qiáng)型MOS管9因在N型襯底中生成P型反型層而得名，其通過(guò)光刻、擴(kuò)散的方法或其他手段，在N型襯底(基片)上制作出兩個(gè)摻雜的P區(qū)，分別引出電極(源極S和漏極D)，同時(shí)在漏極與源極之間的SiO2絕緣層上制作金屬柵極GQ。其結(jié)構(gòu)和工作原理與N溝道MOS管類(lèi)似;只是使用的柵-源和漏-源電壓極性與N溝道MOS管相反。在正常工作時(shí)，P溝道增強(qiáng)型MOS管的襯底必須與源極相連，而漏極對(duì)源極的電壓VDS應(yīng)為負(fù)值，以保證兩個(gè)P區(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏，同時(shí)為了在襯底頂表面附近形成導(dǎo)電溝道，柵極對(duì)源極的電壓也應(yīng)為負(fù)。 有關(guān)MOS晶體管分類(lèi)的幾個(gè)問(wèn)題？云南車(chē)規(guī)MOS管廠價(jià) M...

MOS管的優(yōu)點(diǎn)低功耗：MOS管的靜態(tài)功耗很低，因?yàn)樗鼈冎恍枰奈⑿〉碾娏鱽?lái)維持其狀態(tài)。這使得MOS管非常適合用于電池供電的設(shè)備，例如移動(dòng)電話和筆記本電腦。高輸入阻抗：MOS管的輸入阻抗非常高，這意味著它們可以接受非常小的輸入信號(hào)，并且不會(huì)對(duì)信號(hào)產(chǎn)生影響。這使得MOS管非常適合用于放大器和傳感器等需要高靈敏度的應(yīng)用。高速開(kāi)關(guān)：MOS管的開(kāi)關(guān)速度非?？欤梢栽诩{秒級(jí)別內(nèi)完成開(kāi)關(guān)操作。這使得MOS管非常適合用于高速數(shù)字電路和通信系統(tǒng)。集成度高：MOS管可以集成在單個(gè)芯片上，這使得它們非常適合用于集成電路（IC）和微處理器等需要高集成度的應(yīng)用?？煽啃愿撸篗OS管的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，沒(méi)有機(jī)械部件，因此它們...

溫度失效是MOS管的另一個(gè)常見(jiàn)失效模式。當(dāng)MOS管長(zhǎng)時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，會(huì)導(dǎo)致器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的變化，從而導(dǎo)致器件性能下降或失效。溫度失效通常分為以下幾種類(lèi)型：（1）漏電流增加：當(dāng)MOS管長(zhǎng)時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，漏電流會(huì)增加，導(dǎo)致器件失效。（2）柵極氧化層損壞：當(dāng)MOS管長(zhǎng)時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，柵極氧化層會(huì)發(fā)生損壞，導(dǎo)致漏電流增加，會(huì)導(dǎo)致器件失效。（3）金屬遷移：當(dāng)MOS管長(zhǎng)時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，金屬線路會(huì)發(fā)生遷移，導(dǎo)致電阻增加，會(huì)導(dǎo)致器件失效。 工程師們！你們有多了解MOS管？重慶汽車(chē)MOS管購(gòu)買(mǎi)聯(lián)系電話 MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，N溝道的類(lèi)似NPN晶體三極管，漏...

MOS管也叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，那MOS管分為NMOS和PMOS兩種，那NMOS就是N溝道型，PMOS就是P溝道型，這樣的話大家可能聽(tīng)的很拗口，那么我們拋開(kāi)書(shū)本，看一看MOS管它到底有什么作用，首先你要知道，這個(gè)MOS管它有3個(gè)引腳，這三個(gè)引腳分別是源極柵極和漏極，分別用字母s,g,d來(lái)代替，當(dāng)我們使用這個(gè)MOS管的時(shí)候，我們將源極和漏極接入到這個(gè)電路當(dāng)中，然后給柵極上可以施加一個(gè)電壓用來(lái)控制這個(gè)MOS管的開(kāi)端。對(duì)于NMOS管來(lái)說(shuō)，當(dāng)柵極電壓大于源極電壓的時(shí)候，那這個(gè)時(shí)候MOS管就處于開(kāi)的狀態(tài)，MOS管常常被用于這個(gè)開(kāi)關(guān)的器件，那跟你家開(kāi)關(guān)的話也是比較類(lèi)似的，只不過(guò)你家開(kāi)關(guān)，它可能的壽命只有幾...

如何選擇NMOS明白了NMOS的用法之后呢，我們來(lái)看一下要如何選擇一個(gè)合適的NMOS，也就是NMOS是如何選型的。那對(duì)于一個(gè)初學(xué)者來(lái)說(shuō)，有四個(gè)比較重要的參數(shù)需要來(lái)關(guān)注一下。首先是封裝，第二個(gè)是vgsth，第三個(gè)是Rdson上，第四個(gè)是Cgs。封裝比較簡(jiǎn)單，它指的就是一個(gè)MOS管這個(gè)外形和尺寸的種類(lèi)也有很多。一般來(lái)說(shuō)封裝越大，它能承受的電流也就越大。為了搞明白另外三個(gè)參數(shù)呢，我們先要來(lái)介紹一下NMOS的等效模型。 MOS其實(shí)可以看成是一個(gè)由電壓控制的電阻。這個(gè)電壓指的是g、s兩端的電壓差，電阻指的是d、s之間的電阻。這個(gè)電阻的大小呢，它會(huì)隨著g、s電壓的變化而產(chǎn)生變化。當(dāng)然它們不是線性...

MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，N溝道的類(lèi)似NPN晶體三極管，漏極D接正極，源極S接負(fù)極，柵極G正電壓時(shí)導(dǎo)電溝道建立，N溝道MOS管開(kāi)始工作。同樣P道的類(lèi)似PNP晶體三極管，漏極D接負(fù)極，源極S接正極，柵極G負(fù)電壓時(shí)，導(dǎo)電溝道建立，P溝道MOS管開(kāi)始工作。MOS管和普通的晶體三極管相比，有以上四項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，就足以使MOS管在開(kāi)關(guān)運(yùn)用狀態(tài)下完全取代普通的晶體三極管。目前的技術(shù)MOS管道VDS能做到1000V，只能作為開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)管應(yīng)用，隨著制造工藝的不斷進(jìn)步，VDS的不斷提高，取代顯像管電視機(jī)的行輸出管也是近期能實(shí)現(xiàn)的。 MOS管是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。重慶車(chē)規(guī)...

MOS管作為開(kāi)關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點(diǎn)，但是在作為大功率開(kāi)關(guān)管應(yīng)用時(shí)，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個(gè)小電容器，輸入的開(kāi)關(guān)激勵(lì)信號(hào)，實(shí)際上是在對(duì)這個(gè)電容進(jìn)行反復(fù)的充電、放電的過(guò)程，在充放電的過(guò)程中，使MOS管道導(dǎo)通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后，使“開(kāi)”與“關(guān)”的過(guò)程變慢，這是開(kāi)關(guān)元件不能允許的（功耗增加，燒壞開(kāi)關(guān)管）。 由于MOS管在制造工藝上柵極S的引線的電流容量有一定的限度，所以在Q1在飽和導(dǎo)通時(shí)VCC對(duì)MOS管柵極S的瞬時(shí)充電電流巨大，極易損壞MOS管的輸入端，為了保護(hù)MOS管的安全，在具體的電路中必須采取措施限制瞬時(shí)充電...

P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管原理：P溝道增強(qiáng)型MOS管9因在N型襯底中生成P型反型層而得名，其通過(guò)光刻、擴(kuò)散的方法或其他手段，在N型襯底(基片)上制作出兩個(gè)摻雜的P區(qū)，分別引出電極(源極S和漏極D)，同時(shí)在漏極與源極之間的SiO2絕緣層上制作金屬柵極GQ。其結(jié)構(gòu)和工作原理與N溝道MOS管類(lèi)似;只是使用的柵-源和漏-源電壓極性與N溝道MOS管相反。在正常工作時(shí)，P溝道增強(qiáng)型MOS管的襯底必須與源極相連，而漏極對(duì)源極的電壓VDS應(yīng)為負(fù)值，以保證兩個(gè)P區(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏，同時(shí)為了在襯底頂表面附近形成導(dǎo)電溝道，柵極對(duì)源極的電壓也應(yīng)為負(fù)。 什么是mos管，mos管有哪些作用，如何正確認(rèn)識(shí)mos管？...

MOS管的可靠性評(píng)估是指對(duì)MOS管的可靠性進(jìn)行評(píng)估，包括壽命測(cè)試、熱穩(wěn)定性測(cè)試、電熱應(yīng)力測(cè)試等。壽命測(cè)試壽命測(cè)試是指對(duì)MOS管的壽命進(jìn)行測(cè)試。壽命是指MOS管在一定條件下的使用壽命。壽命測(cè)試可以通過(guò)加速壽命測(cè)試和常規(guī)壽命測(cè)試進(jìn)行。（1）加速壽命測(cè)試加速壽命測(cè)試是指在高溫、高電壓等條件下，對(duì)MOS管的壽命進(jìn)行測(cè)試。加速壽命測(cè)試可以通過(guò)高溫老化試驗(yàn)儀進(jìn)行。（2）常規(guī)壽命測(cè)試常規(guī)壽命測(cè)試是指在正常使用條件下，對(duì)MOS管的壽命進(jìn)行測(cè)試。常規(guī)壽命測(cè)試可以通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的使用測(cè)試進(jìn)行。 N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理。成都汽車(chē)級(jí)MOS管廠家直銷(xiāo) MOS管快速入門(mén)到精通： 1. 三個(gè)極的判定：G極(...

縱坐標(biāo)是電阻的值，當(dāng)g、s的電壓小于一個(gè)特定值的時(shí)候呢，電阻基本上是無(wú)窮大的。然后這個(gè)電壓值大于這個(gè)特定值的時(shí)候，電阻就接近于零，至于說(shuō)等于這個(gè)值的時(shí)候會(huì)怎么樣，我們先不用管這個(gè)臨界的電壓值，我們稱(chēng)之為vgsth，也就是打開(kāi)MOS管需要的g、s電壓，這是每一個(gè)MOS管的固有屬性，我們可以在MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)里面找到它。顯然vgsth一定要小于這個(gè)高電平的電壓值，否則的話就沒(méi)有辦法被正常的打開(kāi)。所以在你選擇這個(gè)MOS管的時(shí)候，如果你的高電平是對(duì)應(yīng)的5V，那么選3V左右的vgsth是比較合適的。太小的話會(huì)因?yàn)楦蓴_而誤觸發(fā)，太大的話又打不開(kāi)這個(gè)MOS管。 MOS管的損失是電壓和電流的乘積，這稱(chēng)之...

MOS管重要特性：3.寄生電容驅(qū)動(dòng)特性跟雙極性晶體管a相比，MOS管需要GS電壓高于一定的值才能導(dǎo)通，而且還要求較快的導(dǎo)通速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS、GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動(dòng)，理論上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流，由于對(duì)電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)首先要留意的是可提供瞬間短路電流的大小;第二個(gè)要留意的是，普遍用于高速驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要柵極電壓大于源極電壓。而高速驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極導(dǎo)通電壓要比VCC高4V或10V，而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻...

在修理電視機(jī)及各種電器設(shè)備時(shí)，遇到元器件損壞應(yīng)該采用相同型號(hào)的元件進(jìn)行更換。但是，有時(shí)相同的元件手邊沒(méi)有，就要采用其他型號(hào)的進(jìn)行代換，這樣就要考慮到各方面的性能、參數(shù)、外形尺寸等，例如電視的里面的行輸出管，只要考慮耐壓、電流、功率一般是可以進(jìn)行代換的（行輸出管外觀尺寸幾乎相同），而且功率往往大一些更好。對(duì)于MOS管代換雖然也是這一原則，原型號(hào)的是較為合適的，特別是不要追求功率要大一些，因?yàn)楣β蚀?；輸入電容就大，換了后和激勵(lì)電路就不匹配了，激勵(lì)灌流電路的充電限流電阻的阻值的大小和MOS管的輸入電容是有關(guān)系的，選用功率大的盡管容量大了，但輸入電容也就大了，激勵(lì)電路的配合就不好了，這反而會(huì)使MO...

MOS管與三極管、IBGT的差別，它的主要作用就是將微小的信號(hào)中止放大。MOS管與三極管有著許多相近的地方，也有許多不同之處。首先是開(kāi)關(guān)速度的不同。三極管9工作時(shí)，兩個(gè)PN結(jié)都會(huì)感應(yīng)出電荷，當(dāng)開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，三極管處于飽和狀態(tài)，假設(shè)這時(shí)三極管截至，PN結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài)，這個(gè)過(guò)程需求時(shí)間。而MOS由于工作方式不同，不需要恢復(fù)時(shí)間，因此可以用作高速開(kāi)關(guān)管。其次是控制方式不同。MOS管是電壓控制元件，而三級(jí)管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用MOS管;而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用三極管。接著是載流子種類(lèi)數(shù)量不同。電力電子技術(shù)...

日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強(qiáng)型MOS管;其中，PMOS可以很方便地用作高速驅(qū)動(dòng)。不過(guò)PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換種類(lèi)少等問(wèn)題，在高速驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無(wú)論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類(lèi)，增強(qiáng)型NMOS管常見(jiàn)的重要原因，尤其在開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS管。MOS管重要特性1.導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意義是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng))，只需柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接VCC時(shí)的情況(高速驅(qū)動(dòng))。MOS場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)...

MOS管的特性上述MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于Sio2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源極-漏極電流的產(chǎn)生。此時(shí)的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小，控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結(jié)論：1）MOS管是一個(gè)由改變電壓來(lái)控制電流的器件，所以是電壓器件。2）MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。4、MOS管的電壓極性和符號(hào)規(guī)則 mos管的三個(gè)極怎么區(qū)分？貴州汽車(chē)級(jí)自恢復(fù)MOS管現(xiàn)貨 夾斷區(qū)和MOS管的夾斷是一回事嗎？實(shí)際不是，因?yàn)楫?dāng)驅(qū)動(dòng)電壓小于MOS的導(dǎo)...

MOS管重要特性：3.寄生電容驅(qū)動(dòng)特性跟雙極性晶體管a相比，MOS管需要GS電壓高于一定的值才能導(dǎo)通，而且還要求較快的導(dǎo)通速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS、GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動(dòng)，理論上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流，由于對(duì)電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)首先要留意的是可提供瞬間短路電流的大小;第二個(gè)要留意的是，普遍用于高速驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要柵極電壓大于源極電壓。而高速驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極導(dǎo)通電壓要比VCC高4V或10V，而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻...

MOS管重要特性：3.寄生電容驅(qū)動(dòng)特性跟雙極性晶體管a相比，MOS管需要GS電壓高于一定的值才能導(dǎo)通，而且還要求較快的導(dǎo)通速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS、GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動(dòng)，理論上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流，由于對(duì)電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)首先要留意的是可提供瞬間短路電流的大小;第二個(gè)要留意的是，普遍用于高速驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要柵極電壓大于源極電壓。而高速驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極導(dǎo)通電壓要比VCC高4V或10V，而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻...

MOS管的特性上述MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于Sio2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源極-漏極電流的產(chǎn)生。此時(shí)的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小，控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結(jié)論：1）MOS管是一個(gè)由改變電壓來(lái)控制電流的器件，所以是電壓器件。2）MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。4、MOS管的電壓極性和符號(hào)規(guī)則 MOS管的電壓極性和符號(hào)規(guī)則。四川車(chē)規(guī)級(jí)MOS管現(xiàn)貨經(jīng)營(yíng) PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(zhǎng)，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低...

MOS做開(kāi)關(guān)管使用時(shí)，其工作狀態(tài)在截止區(qū)和可變電阻區(qū)之間切換，做放大管使用時(shí)，工作在飽和區(qū)?，F(xiàn)如今，大部分的文檔對(duì)MOS的工作狀態(tài)的描述都是假設(shè)VGS不變，讓VDS增加，描述這一過(guò)程中MOS管工作狀態(tài)的變化。但當(dāng)我重新回頭看這么一段描述，浮上我腦海中的疑問(wèn)是：為什么VDS會(huì)增加？這是因?yàn)樵趯?shí)際的應(yīng)用場(chǎng)景中，VDS是基本固定不變的，一般是驅(qū)動(dòng)電壓VGS在運(yùn)行。而且在作者的工作中，接觸的都是工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的MOS，其導(dǎo)通壓降很小，很難想象VDS逐步增大的場(chǎng)景，所以下文將從VDS固定不變，VGS壓逐漸變大的角度分析MOS的開(kāi)通過(guò)程。 多維度介紹MOS管，了解MOS管，看這個(gè)就夠了！四川汽車(chē)MO...

MOS管與三極管、IBGT的差別，它的主要作用就是將微小的信號(hào)中止放大。MOS管與三極管有著許多相近的地方，也有許多不同之處。首先是開(kāi)關(guān)速度的不同。三極管9工作時(shí)，兩個(gè)PN結(jié)都會(huì)感應(yīng)出電荷，當(dāng)開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，三極管處于飽和狀態(tài)，假設(shè)這時(shí)三極管截至，PN結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài)，這個(gè)過(guò)程需求時(shí)間。而MOS由于工作方式不同，不需要恢復(fù)時(shí)間，因此可以用作高速開(kāi)關(guān)管。其次是控制方式不同。MOS管是電壓控制元件，而三級(jí)管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用MOS管;而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用三極管。接著是載流子種類(lèi)數(shù)量不同。電力電子技術(shù)...

以金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)晶體管為主要元件構(gòu)成的集成電路。簡(jiǎn)稱(chēng)MOSIC。一般認(rèn)為MOS集成電路功耗低、集成度高，宜用作數(shù)字集成電路；雙極型集成電路則適用作高速數(shù)字和模擬電路。MOS，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常簡(jiǎn)稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件，和普通雙極型晶體管相比擬，場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性，得到了越來(lái)越普遍的應(yīng)用。 MO...