車規(guī)級MOS管購買聯(lián)系電話

MOS管的開通過程關于MOS管的開通過程，網(wǎng)絡上有許多文檔進行分析，其來源應為一篇帶感性負載的MOS管開通過程的分析，很多轉(zhuǎn)發(fā)該文章的網(wǎng)文卻常常忽略了這一點，把這個過程當做了所有場景下MOS的開通過程。因此，在分析之前，先說明本文分析的前提：阻性負載下，VDS固定時，加驅(qū)動電壓VGS的情況下，MOS管的導通過程分析。

帶阻性負載的MOS管電路在GS、GD、DS之間都有寄生電容，在DS之間還有一個寄生二極管。在t0時刻，MOS管柵極加一驅(qū)動電壓VGS,其值為MOS管完全導通所需要的驅(qū)動電壓VGS(sat)后續(xù)，若負載繼續(xù)加重，使漏極電流繼續(xù)上升，則MOS管的電流將會飽和，MOS管進入飽和區(qū)。 MOS管的漏極電流隨著柵極電壓的增加而增加。車規(guī)級MOS管購買聯(lián)系電話

夾斷區(qū)：當VGSVGS-Vth(即VGD<Vth)時，MOS管進入恒流區(qū)，在此工作區(qū)內(nèi)，VDS增大時，ID只是略微增大，因此可將ID看作是受VGS控制的電流源，當MOS管做放大管使用時，工作在此區(qū)域可變電阻區(qū)：當VDS<VGS-Vth(即VGD>Vth)時,MOS工作在可變電阻區(qū)，在此區(qū)域中，可通過改變VGS的大小來改變MOS的導通電阻大小關于MOS管的夾斷：當VGS為一固定值時，若在DS之間加一正向電壓，增必將產(chǎn)生漏極電流，并且VDS的增大會使ID增大，溝道沿源漏方向變窄，并在VDS=VGS-Vth(即VGD=Vth)時，出現(xiàn)預夾斷，隨著VDS繼續(xù)增大，MOS將承擔管子的壓降，但漏極電流基本不變，管子進入恒流區(qū)。 車規(guī)級MOS管購買聯(lián)系電話MOS管的發(fā)展趨勢是向著更小、更快、更低功耗的方向發(fā)展。

MOS管重要特性：2.損失特性不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，電流就會被電阻消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。小功率MOS管導通電阻一般在幾毫歐至幾十毫歐左右，選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。MOS管在進行導通和截止時，兩端的電壓有一個降落過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，這稱之為開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。導通瞬間電壓和電流的乘積越大，構(gòu)成的損失也就越大?？s短開關時間，可以減小每次導通時的損失;降低開關頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關損失。

MOS管有什么優(yōu)點：1)輸入阻抗高，驅(qū)動功率?。嚎刂品绞綖殡妷嚎刂?，比較方便。由于柵源之間是二氧化硅（SiO2）絕緣層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻，一般達100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高，對激勵信號不會產(chǎn)生壓降，有電壓就可以驅(qū)動，所以驅(qū)動功率極?。`敏度高）。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb，再產(chǎn)生基極電流Ib，才能驅(qū)動集電極電流的產(chǎn)生。晶體三極管的驅(qū)動是需要功率的（Vb×Ib）。

2）開關速度快:MOSFET的開關速度和輸入的容性特性的有很大關系，由于輸入容性特性的存在，使開關的速度變慢，但是在作為開關運用時，可降低驅(qū)動電路內(nèi)阻，加快開關速度（輸入采用了后述的“灌流電路”驅(qū)動，加快了容性的充放電的時間）。MOSFET只靠多子導電，不存在少子儲存效應，因而關斷過程非常迅速，開關時間在10—100ns之間，工作頻率可達100kHz以上，普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲效應，使開關總有滯后現(xiàn)象，影響開關速度的提高（目前采用MOS管的開關電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對于普通的大功率晶體三極管來說是難以想象的）。 如何為MOS管選擇合適的驅(qū)動電路。

MOS管快速入門到精通

6.MOS管的開關條件N溝道—導通時Ug>Us,Ugs>Ugs(th)時導通P溝道—導通時Ug<Us,Ugs<Ugs(th)時導通總之，導通條件：|Ugs|>|Ugs(th)|

7.相關概念BJTBipolarJunctionTransistor雙極性晶體管，BJT是電流控制器件；FETFieldEffectTransistor場效應晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件.按結(jié)構(gòu)場效應管分為：結(jié)型場效應（簡稱JFET）、絕緣柵場效應（簡稱MOSFET）兩大類按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.按導電方式：耗盡型與增強型，結(jié)型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的?？偟膩碚f場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。

8.MOS管重要參數(shù)①封裝②類型（NMOS、PMOS）③耐壓Vds（器件在斷開狀態(tài)下漏極和源極所能承受的闕值的電壓）④飽和電流Id⑤導通阻抗Rds⑥柵極閾值電壓Vgs(th) MOS管的制造工藝包括沉積氧化物、蝕刻金屬、摻雜半導體等步驟。車規(guī)級MOS管購買聯(lián)系電話

mos管的三個極電壓關系。車規(guī)級MOS管購買聯(lián)系電話

N溝道耗盡型場效應管原理：N溝道耗盡型MOS管的結(jié)構(gòu)與增強型MOS管結(jié)構(gòu)類似，只有一點不同，就是N溝道耗盡型MOS管9在柵極電壓VGS=0時，溝道已經(jīng)存在。這是因為N溝道是在制造過程中采用離子注入。法預先在D、S之間襯底的表面、柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子，該溝道亦稱為初始溝道。當VGS=0時，這些正離子已經(jīng)感應出反型層，形成了溝道，所以只要有漏源電壓，就有漏極電流存在;當VGS>0時，將使ID進一步增加;VGS<0時，隨著VGS的減小，漏極電流逐漸減小，直至ID=0。對應ID=0的VGS稱為夾斷電壓或閾值電壓，用符號VGS(off)或Up表示。由于耗盡型MOSFET在VGS=0時，漏源之間的溝道已經(jīng)存在，所以只要加上VDS，就有ID流通。如果增加正向柵壓VGSa，柵極與襯底之間的電場將使溝道中感應更多的電子，溝道變厚，溝道的電導增大。 車規(guī)級MOS管購買聯(lián)系電話