MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動電路MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點，但是在作為大功率開關(guān)管應(yīng)用時，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個小電容器，輸入的開關(guān)激勵信號，實際上是在對這個電容進行反復(fù)的充電、放電的過程，在充放電的過程中，使MOS管道導(dǎo)通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后，使“開”與“關(guān)”的過程變慢，這是開關(guān)元件不能允許的（功耗增加，燒壞開關(guān)管）。
由于MOS管在制造工藝上柵極S的引線的電流容量有一定的限度，所以在Q1在飽和導(dǎo)通時VCC對MOS管柵極S的瞬時充電電流巨大，極易損壞MOS管的輸入端，為了保護MOS管的安全，在具體的電路中必須采取措施限制瞬時充電的電流值，在柵極充電的電路中串接一個適當?shù)某潆娤蘖麟娮琛?MOS管可以用于制作數(shù)字電路和模擬電路。重慶汽車級自恢復(fù)MOS管廠商
mos管也稱場效應(yīng)管，首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsicsilicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為gatedielectric(柵介質(zhì))。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。這個MOS電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小。MOS管為壓控元件，你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通，它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣，導(dǎo)通結(jié)的壓降小。這就是常說的精典是開關(guān)作用。去掉這個控制電壓經(jīng)就截止。我們知道MOS管對于整個供電系統(tǒng)起著穩(wěn)壓的作用，但是MOS管不能單獨使用，它必須和電感線圈、電容等共同組成的濾波穩(wěn)壓電路，才能發(fā)揮充分它的優(yōu)勢。 重慶汽車級自恢復(fù)MOS管廠商MOS管在形成導(dǎo)電溝道時，出現(xiàn)的耗盡層和反型層有什么區(qū)別？
我們把單片機的一個IO口接到這個MOS管的gate端口，就可以控制這個燈泡的亮滅了。當然別忘了供電。當這個單片機的IO口輸出為高的時候，NMOS就等效為這個被閉合的開關(guān)，指示燈光就會被打開；那輸出為低的時候呢，這個NMOS就等效為這個開關(guān)被松開了，那此時這個燈光就被關(guān)閉，是不很簡單。那如果我們不停的切換這個開關(guān)，那燈光就會閃爍。如果切換的這個速度再快一點，因為人眼的視覺暫留效應(yīng)，燈光就不閃爍了。此時我們還能通過調(diào)節(jié)這個開關(guān)的時間來調(diào)光，這就是所謂的PWM波調(diào)光，以上就是MOS管經(jīng)典的用法，它實現(xiàn)了單片機的IO口控制一個功率器件。當然你完全可以把燈泡替換成其他的器件。器件比如說像水泵、電機、電磁鐵這樣的東西。
每一個MOS管都提供有三個電極:Gate柵極(表示為“G”)、Source源極(表示為“S”)、Drain漏極(表示為“D”)。接線時，對于N溝道的電源輸入為D，輸出為S;P溝道的電源輸入為S，輸出為D;且增強型、耗盡型的接法基本一樣。
N溝道型場效應(yīng)管的源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，而P溝道型場效應(yīng)管的源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場效應(yīng)管輸出電流由輸入的電壓(或稱場電壓)控制，其輸入的電流極小或沒有電流輸入，使得該器件有很高的輸入阻抗，這也是MOS管被稱為場效應(yīng)管的重要原因。 mos管的計算公式是什么？
夾斷區(qū)：當VGS
mos管柵極和源極電壓一樣嘛？重慶汽車級自恢復(fù)MOS管廠商
夾斷區(qū)和MOS管的夾斷是一回事嗎？實際不是，因為當驅(qū)動電壓小于MOS的導(dǎo)通門限時，MOS管是沒有形成導(dǎo)電溝道的。而書中對MOS管的夾斷也明確寫出MOS管出現(xiàn)夾斷現(xiàn)象時，管子工作在恒流區(qū)。為更好地區(qū)分這兩種工作狀態(tài)，在圖2中，我把這一區(qū)域稱為截止區(qū)。
為什么預(yù)夾斷電壓是VDS=VGS-Vth(即VGD=Vth)？因為Vth是MOS管的導(dǎo)通電壓，這意味著在這個電壓下，導(dǎo)電溝道剛剛形成。當漏極電壓升高到VGD=Vth時，說明導(dǎo)電溝道靠漏極一端的電壓降到了導(dǎo)通電壓，所以MOS管漏極出現(xiàn)夾斷。
夾斷時，MOS管為什么由電流通過？闕值漏極電流為什么由VGS確定？當VDS大到一定程度，MOS管被完全夾斷，這其實是反型層的載流子在電場作用下迅速流動的變現(xiàn)而非導(dǎo)電溝道消失。并且，VGS大小決定了反型層的厚度，即決定了載流子的多少。在這種情況下，VDS的越增加，導(dǎo)電溝道的夾斷區(qū)越長，電阻越大，VDS主要用于克服導(dǎo)電溝道夾斷導(dǎo)致的電阻的上升對電流的影響，而VGS的增加則可拓寬導(dǎo)電溝道，所以此時的闕值漏極電流由VGS確定。 重慶汽車級自恢復(fù)MOS管廠商