接下來(lái)我們?cè)賮?lái)看看NMOS的第二個(gè)重要參數(shù)Rdson，剛才有提到NMOS被完全打開(kāi)的時(shí)候，它的電阻接近于零。但是無(wú)論多小，它總歸是有一個(gè)電阻值的，這就是所謂的Rdson。它指的是NMOS被完全打開(kāi)之后，d、s之間的電阻值。同樣的你也可以在數(shù)據(jù)手冊(cè)上找到它。這個(gè)電阻值當(dāng)然是越小越好。越小的話呢，它分壓分的少，而且發(fā)熱也相對(duì)比較低。但實(shí)際情況一般Rdson越小，這個(gè)NMOS的價(jià)格就越高，而且一般對(duì)應(yīng)的體積也會(huì)比較大。所以還是要量力而行，選擇恰好合適。然后來(lái)說(shuō)一下Cgs，這個(gè)是比較容易被忽視的一個(gè)參數(shù)，它指的是g跟s之間的寄生電容。所有的NMOS都有，這是一個(gè)制造工藝的問(wèn)題，沒(méi)有辦法被避免。那它會(huì)影響到NMOS打開(kāi)速度，因?yàn)榧虞d到gate端的電壓，首先要給這個(gè)電容先充電，這就導(dǎo)致了g、s的電壓并不能一下子到達(dá)給定的一個(gè)數(shù)值。 多維度介紹MOS管，了解MOS管，看這個(gè)就夠了！重慶汽車MOS管
我們把單片機(jī)的一個(gè)IO口接到這個(gè)MOS管的gate端口，就可以控制這個(gè)燈泡的亮滅了。當(dāng)然別忘了供電。當(dāng)這個(gè)單片機(jī)的IO口輸出為高的時(shí)候，NMOS就等效為這個(gè)被閉合的開(kāi)關(guān)，指示燈光就會(huì)被打開(kāi)；那輸出為低的時(shí)候呢，這個(gè)NMOS就等效為這個(gè)開(kāi)關(guān)被松開(kāi)了，那此時(shí)這個(gè)燈光就被關(guān)閉，是不很簡(jiǎn)單。那如果我們不停的切換這個(gè)開(kāi)關(guān)，那燈光就會(huì)閃爍。如果切換的這個(gè)速度再快一點(diǎn)，因?yàn)槿搜鄣囊曈X(jué)暫留效應(yīng)，燈光就不閃爍了。此時(shí)我們還能通過(guò)調(diào)節(jié)這個(gè)開(kāi)關(guān)的時(shí)間來(lái)調(diào)光，這就是所謂的PWM波調(diào)光，以上就是MOS管經(jīng)典的用法，它實(shí)現(xiàn)了單片機(jī)的IO口控制一個(gè)功率器件。當(dāng)然你完全可以把燈泡替換成其他的器件。器件比如說(shuō)像水泵、電機(jī)、電磁鐵這樣的東西。 重慶汽車MOS管mos管的外形和三極管，可控硅，三端穩(wěn)壓器，IGBT類似。
MOS管的開(kāi)通過(guò)程關(guān)于MOS管的開(kāi)通過(guò)程，網(wǎng)絡(luò)上有許多文檔進(jìn)行分析，其來(lái)源應(yīng)為一篇帶感性負(fù)載的MOS管開(kāi)通過(guò)程的分析，很多轉(zhuǎn)發(fā)該文章的網(wǎng)文卻常常忽略了這一點(diǎn)，把這個(gè)過(guò)程當(dāng)做了所有場(chǎng)景下MOS的開(kāi)通過(guò)程。因此，在分析之前，先說(shuō)明本文分析的前提：阻性負(fù)載下，VDS固定時(shí)，加驅(qū)動(dòng)電壓VGS的情況下，MOS管的導(dǎo)通過(guò)程分析。
帶阻性負(fù)載的MOS管電路在GS、GD、DS之間都有寄生電容，在DS之間還有一個(gè)寄生二極管。在t0時(shí)刻，MOS管柵極加一驅(qū)動(dòng)電壓VGS,其值為MOS管完全導(dǎo)通所需要的驅(qū)動(dòng)電壓VGS(sat)后續(xù)，若負(fù)載繼續(xù)加重，使漏極電流繼續(xù)上升，則MOS管的電流將會(huì)飽和，MOS管進(jìn)入飽和區(qū)。
熱穩(wěn)定性測(cè)試是指對(duì)MOS管的熱穩(wěn)定性進(jìn)行測(cè)試。熱穩(wěn)定性是指MOS管在高溫下的穩(wěn)定性。熱穩(wěn)定性測(cè)試可以通過(guò)高溫老化試驗(yàn)儀進(jìn)行。電熱應(yīng)力測(cè)試是指對(duì)MOS管的電熱應(yīng)力進(jìn)行測(cè)試。電熱應(yīng)力是指MOS管在高電壓下的穩(wěn)定性。電熱應(yīng)力測(cè)試可以通過(guò)高電壓老化試驗(yàn)儀進(jìn)行。
總結(jié)：MOS管的參數(shù)測(cè)試和可靠性評(píng)估是確保MOS管性能和可靠性的重要手段。MOS管的參數(shù)測(cè)試包括靜態(tài)參數(shù)測(cè)試和動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，靜態(tài)參數(shù)測(cè)試包括開(kāi)關(guān)特性測(cè)試、漏電流測(cè)試、閾值電壓測(cè)試和電容測(cè)試，動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試包括開(kāi)關(guān)速度測(cè)試和反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試。MOS管的可靠性評(píng)估包括壽命測(cè)試、熱穩(wěn)定性測(cè)試和電熱應(yīng)力測(cè)試。這些測(cè)試可以通過(guò)各種測(cè)試設(shè)備和方法進(jìn)行。 成都長(zhǎng)九電子科技有限公司為伯恩半導(dǎo)體（BORN）西南分公司。
MOS管的特性1、開(kāi)關(guān)特性。MOS管是壓控器件，作為開(kāi)關(guān)時(shí)，NMOS只要滿足Vgs>Vgs(th)即可導(dǎo)通，PMOS只要滿足Vgs2、開(kāi)關(guān)損耗。MOS的損耗主要包括開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通損耗是由于導(dǎo)通后存在導(dǎo)通電阻而產(chǎn)生的，一般導(dǎo)通電阻都很小。開(kāi)關(guān)損耗是在MOS由可變電阻區(qū)進(jìn)入夾斷區(qū)的過(guò)程中，也就是MOS處于恒流區(qū)時(shí)所產(chǎn)生的損耗。開(kāi)關(guān)損耗遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。減小損耗通常有兩個(gè)方法，一是縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間，二是降低開(kāi)關(guān)頻率。3、由壓控所導(dǎo)致的的開(kāi)關(guān)特性。由于制作工藝的限制，NMOS的使用場(chǎng)景要遠(yuǎn)比PMOS多，因此在將更適合于高驅(qū)動(dòng)的PMOS替換成NMOS時(shí)便出現(xiàn)了問(wèn)題。當(dāng)MOS導(dǎo)通時(shí)，Vs=Vd=Vdd，此時(shí)要保持MOS的導(dǎo)通，就需要Vg>Vdd。在功率驅(qū)動(dòng)電路中，MOS經(jīng)常開(kāi)關(guān)的是電源電壓，或者說(shuō)是系統(tǒng)中達(dá)到闕值電壓，此時(shí)要保證MOS的導(dǎo)通就需要額外升壓提供Vg。4、在寬電壓的應(yīng)用場(chǎng)景中，柵極的控制電壓很多時(shí)候是不確定的，為了保證MOS管的安全工作，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管來(lái)限制柵極的控制電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓大于穩(wěn)壓管電壓時(shí)，會(huì)額外增加管子的功耗。如果柵極控制電壓不足時(shí)，則會(huì)導(dǎo)致管子開(kāi)關(guān)不徹底，也會(huì)增加管子功耗。 從應(yīng)用側(cè)出發(fā)來(lái)給大家介紹一下MOS管里面常見(jiàn)的。重慶汽車級(jí)自恢復(fù)MOS管廠家地址
MOS管和晶體三極管相比的重要特性。重慶汽車MOS管
縱坐標(biāo)是電阻的值，當(dāng)g、s的電壓小于一個(gè)特定值的時(shí)候呢，電阻基本上是無(wú)窮大的。然后這個(gè)電壓值大于這個(gè)特定值的時(shí)候，電阻就接近于零，至于說(shuō)等于這個(gè)值的時(shí)候會(huì)怎么樣，我們先不用管這個(gè)臨界的電壓值，我們稱之為vgsth，也就是打開(kāi)MOS管需要的g、s電壓，這是每一個(gè)MOS管的固有屬性，我們可以在MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)里面找到它。顯然vgsth一定要小于這個(gè)高電平的電壓值，否則的話就沒(méi)有辦法被正常的打開(kāi)。所以在你選擇這個(gè)MOS管的時(shí)候，如果你的高電平是對(duì)應(yīng)的5V，那么選3V左右的vgsth是比較合適的。太小的話會(huì)因?yàn)楦蓴_而誤觸發(fā)，太大的話又打不開(kāi)這個(gè)MOS管。 重慶汽車MOS管