MOS管與三極管、IBGT的差別，它的主要作用就是將微小的信號中止放大。MOS管與三極管有著許多相近的地方，也有許多不同之處。首先是開關(guān)速度的不同。三極管9工作時，兩個PN結(jié)都會感應(yīng)出電荷，當開關(guān)管處于導通狀態(tài)時，三極管處于飽和狀態(tài)，假設(shè)這時三極管截至，PN結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復到平衡狀態(tài)，這個過程需求時間。而MOS由于工作方式不同，不需要恢復時間，因此可以用作高速開關(guān)管。其次是控制方式不同。MOS管是電壓控制元件，而三級管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用MOS管;而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用三極管。接著是載流子種類數(shù)量不同。電力電子技術(shù)中提及的單極器件是指只靠一種載流子導電的器件，雙極器件9是指靠兩種載流子導電的器件。MOS管只應(yīng)用了一種多數(shù)載流子導電，所以也稱為單極型器件;而三極管是既有多數(shù)載流子，也應(yīng)用少數(shù)載流子9導電;是為雙極型器件。第三是靈活性不同。有些MOS管的源極Q和漏極可以互換運用，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好。第四是集成能力不同。MOS管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多MOS管集成在一塊硅片上。 MOS管的損失是電壓和電流的乘積，這稱之為開關(guān)損失。成都車規(guī)MOS管廠址
每一個MOS管都提供有三個電極:Gate柵極(表示為“G”)、Source源極(表示為“S”)、Drain漏極(表示為“D”)。接線時，對于N溝道的電源輸入為D，輸出為S;P溝道的電源輸入為S，輸出為D;且增強型、耗盡型的接法基本一樣。
N溝道型場效應(yīng)管的源極和漏極接在N型半導體上，而P溝道型場效應(yīng)管的源極和漏極則接在P型半導體上。場效應(yīng)管輸出電流由輸入的電壓(或稱場電壓)控制，其輸入的電流極小或沒有電流輸入，使得該器件有很高的輸入阻抗，這也是MOS管被稱為場效應(yīng)管的重要原因。 云南MOS管經(jīng)銷商mos管柵極電阻選取方法。
MOS管有什么優(yōu)點：1)輸入阻抗高，驅(qū)動功率小：控制方式為電壓控制，比較方便。由于柵源之間是二氧化硅（SiO2）絕緣層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻，一般達100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高，對激勵信號不會產(chǎn)生壓降，有電壓就可以驅(qū)動，所以驅(qū)動功率極小（靈敏度高）。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb，再產(chǎn)生基極電流Ib，才能驅(qū)動集電極電流的產(chǎn)生。晶體三極管的驅(qū)動是需要功率的（Vb×Ib）。
2）開關(guān)速度快:MOSFET的開關(guān)速度和輸入的容性特性的有很大關(guān)系，由于輸入容性特性的存在，使開關(guān)的速度變慢，但是在作為開關(guān)運用時，可降低驅(qū)動電路內(nèi)阻，加快開關(guān)速度（輸入采用了后述的“灌流電路”驅(qū)動，加快了容性的充放電的時間）。MOSFET只靠多子導電，不存在少子儲存效應(yīng)，因而關(guān)斷過程非常迅速，開關(guān)時間在10—100ns之間，工作頻率可達100kHz以上，普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)，使開關(guān)總有滯后現(xiàn)象，影響開關(guān)速度的提高（目前采用MOS管的開關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對于普通的大功率晶體三極管來說是難以想象的）。
作為一般的電器電視機維修人員在測量晶體三極管或二極管時，一般是采用普通的萬用表來判斷三極管或者二極管的好壞，雖然對所判斷的三極管或二極管的電氣參數(shù)沒法確認，但是只要方法正確對于確認晶體三極管的“好”與“壞”還是沒有問題的。同樣MOS管也可以應(yīng)用萬用表來判斷其“好”與“壞”,從一般的維修來說，也可以滿足需求了。檢測必須采用指針式萬用表（數(shù)字表是不適宜測量半導體器件的）。對于功率型MOSFET開關(guān)管都屬N溝道增強型，各生產(chǎn)廠的產(chǎn)品也幾乎都采用相同的TO-220F封裝形式（指用于開關(guān)電源中的功率為50—200W的場效應(yīng)開關(guān)管），其三個電極排列也一致，即將三只引腳向下，打印型號面向自巳，左側(cè)引腳為柵極，右測引腳為源極，中間引腳為漏極。 MOS管和晶體三極管相比的重要特性。
夾斷區(qū)和MOS管的夾斷是一回事嗎？實際不是，因為當驅(qū)動電壓小于MOS的導通門限時，MOS管是沒有形成導電溝道的。而書中對MOS管的夾斷也明確寫出MOS管出現(xiàn)夾斷現(xiàn)象時，管子工作在恒流區(qū)。為更好地區(qū)分這兩種工作狀態(tài)，在圖2中，我把這一區(qū)域稱為截止區(qū)。
為什么預夾斷電壓是VDS=VGS-Vth(即VGD=Vth)？因為Vth是MOS管的導通電壓，這意味著在這個電壓下，導電溝道剛剛形成。當漏極電壓升高到VGD=Vth時，說明導電溝道靠漏極一端的電壓降到了導通電壓，所以MOS管漏極出現(xiàn)夾斷。
夾斷時，MOS管為什么由電流通過？闕值漏極電流為什么由VGS確定？當VDS大到一定程度，MOS管被完全夾斷，這其實是反型層的載流子在電場作用下迅速流動的變現(xiàn)而非導電溝道消失。并且，VGS大小決定了反型層的厚度，即決定了載流子的多少。在這種情況下，VDS的越增加，導電溝道的夾斷區(qū)越長，電阻越大，VDS主要用于克服導電溝道夾斷導致的電阻的上升對電流的影響，而VGS的增加則可拓寬導電溝道，所以此時的闕值漏極電流由VGS確定。 mos管也稱場效應(yīng)管，首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。云南MOS管經(jīng)銷商
MOS驅(qū)動開關(guān)的幾個特別應(yīng)用解析及MOS管驅(qū)動電流是怎么估算的呢？成都車規(guī)MOS管廠址
MOS管重要特性：2.損失特性不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，電流就會被電阻消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。小功率MOS管導通電阻一般在幾毫歐至幾十毫歐左右，選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。MOS管在進行導通和截止時，兩端的電壓有一個降落過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，這稱之為開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，損失也越大。導通瞬間電壓和電流的乘積越大，構(gòu)成的損失也就越大。縮短開關(guān)時間，可以減小每次導通時的損失;降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。 成都車規(guī)MOS管廠址