含有的胺化合物的質(zhì)量分為:1%-2%。進一步技術(shù)方案中,所述的添加劑中含有醇醚化合物的質(zhì)量分為:30%-50%;含有胺化合物的質(zhì)量分為:35%-55%;含有緩蝕劑的質(zhì)量分為:6%-12%;含有潤濕劑的質(zhì)量分為:1%-7%。進一步技術(shù)方案中,所述的步驟s1中剝離液廢液所含的酰胺化合物以及步驟s2中添加劑所含的酰胺化合物均為n-甲基甲酰胺(nmf)、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的一種或者多種。進一步技術(shù)方案中,所述的步驟s1中剝離液廢液所含的醇醚化合物以及步驟s2中添加劑所含的醇醚化合物均為二乙二醇丁醚(bdg)、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的一種或多種。進一步技術(shù)方案中,所述的步驟s1中剝離液廢液所含的胺化合物以及步驟s2中添加劑所含的胺化合物為環(huán)胺與鏈胺。進一步技術(shù)方案中,所述的環(huán)胺為氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的一種或多種;所述的鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的一種或多種。進一步技術(shù)方案中,所述的三唑類化合物,具體為苯并三氮唑(bta)、甲基苯并三氮唑(tta)中的任意一種。進一步技術(shù)方案中,所述的潤濕劑為含羥基化合物,具體為為聚乙二醇、甘油中的任意一種。剝離液可以有正膠和負膠以及正負膠不同的分類。合肥京東方用的蝕刻液剝離液費用是多少
腔室10及過濾器30可以采用與現(xiàn)有技術(shù)相同的設(shè)計。處于剝離制程中的玻璃基板,按照玻璃基板傳送方向從當(dāng)前腔室101開始逐級由各腔室10向玻璃基板供給剝離液以進行剝離制程。剝離液從當(dāng)前腔室101進入相應(yīng)的存儲箱20,在剝離液的水平面超過預(yù)設(shè)高度后流入過濾器30,再經(jīng)過過濾器30的過濾將過濾后的剝離液傳送至下一級腔室102內(nèi)。其中,薄膜碎屑70一般為金屬碎屑或ito碎屑。其中,如圖2所示,圖2為本申請實施例提供的剝離液機臺100的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。閥門開關(guān)60設(shè)置在***管道40及第二管道50上。在過濾器30被阻塞時,關(guān)閉位于過濾器30兩側(cè)的***管道40及第二管道50上的閥門開關(guān)60,可以保證當(dāng)前級腔室101對應(yīng)的存儲箱20內(nèi)剝離液不會流出,同時下一級腔室102內(nèi)的剝離液也不會流出。在一些實施例中,請參閱圖3,圖3為本申請實施例提供的剝離液機臺100的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。過濾器30包括多個并列排布的子過濾器301,所述***管道40包括多個***子管道401,每一所述***子管道401與一子過濾器301連通,且所述多個***子管道401與當(dāng)前級腔室101對應(yīng)的存儲箱20連通。在一些實施例中,第二管道50包括公共子管道501及多個第二子管道502,每一所述第二子管道502與一子過濾器301連通。東莞京東方用的蝕刻液剝離液主要作用哪家公司的剝離液的口碑比較好?
所述的鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一種或多種。技術(shù)方案中,所述的環(huán)胺為氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的任意一種或多種。技術(shù)方案中,所述的緩蝕劑為三唑類物質(zhì)。的技術(shù)方案中,所述的緩蝕劑為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一種。技術(shù)方案中,所述的潤濕劑含有羥基。技術(shù)方案中,所述的潤濕劑為聚乙二醇、甘油中的任意一種。經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明中加入環(huán)胺與鏈胺,能夠滲透、斷開光刻膠分子間弱結(jié)合力,能夠快速、有效地溶解光刻膠,而配方中加入潤濕劑,能夠有效地減少接觸角,增強親水性,使得剝離液親水性良好,能快速高效地剝離溶解光刻膠。附圖說明:圖1為配方一和配方二的剝離液滴落在平面時兩者的接觸角對比圖。圖2為配方一和配方二的剝離液應(yīng)用是光刻膠的殘留量對比圖。具體實施方式現(xiàn)有技術(shù)中的剝離液其水置換能力較差,容易造成面板邊緣光刻膠殘留,本申請經(jīng)過大量的試驗,創(chuàng)造性的發(fā)現(xiàn),在剝離液中加入潤濕劑,能夠使固體物料(高世代面板)更易被水浸濕的物質(zhì),通過降低其表面張力或界面張力,使水能展開在固體物料。
本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域:,更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術(shù)::電子行業(yè)飛速發(fā)展,光刻膠應(yīng)用也越來越。在半導(dǎo)體元器件制造過程中,經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程,在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后,必須在除去殘余光刻膠的同時不能損傷任何基材,才能再進行下道工序。因此,光刻膠的剝離質(zhì)量也有直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。但是傳統(tǒng)光刻膠剝離液雖然能剝離絕大部分光阻,但對于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板),傳統(tǒng)剝離液親水性不夠,水置換能力較差,容易造成面板邊緣光刻膠殘留。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的是提供一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:本申請公開了一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液,包括以下質(zhì)量組分:酰胺:50-60%;醇醚:35-45%;環(huán)胺與鏈胺:3-7%;緩蝕劑:%%;潤濕劑:%%。的技術(shù)方案中,所述的酰胺為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一種或多種。的技術(shù)方案中,所述的醇醚為二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一種或多種。的技術(shù)方案中。剝離液分為溶劑型和水系兩種類別;
隨著電子元器件制作要求的提高,相關(guān)行業(yè)應(yīng)用對濕電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。為了適應(yīng)電子信息產(chǎn)業(yè)微處理工藝技術(shù)水平不斷提高的趨勢,并規(guī)范世界超凈高純試劑的標準,國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織(SEMI)將濕電子化學(xué)品按金屬雜質(zhì)、控制粒徑、顆粒個數(shù)和應(yīng)用范圍等指標制定國際等級分類標準。濕電子化學(xué)品在各應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品標準有所不同,光伏太陽能電池領(lǐng)域一般只需要G1級水平;平板顯示和LED領(lǐng)域?qū)耠娮踊瘜W(xué)品的等級要求為G2、G3水平;半導(dǎo)體領(lǐng)域中,集成電路用濕電子化學(xué)品的純度要求較高,基本集中在G3、G4水平,分立器件對濕電子化學(xué)品純度的要求低于集成電路,基本集中在G2級水平。一般認為,產(chǎn)生集成電路斷絲、短路等物理性故障的雜質(zhì)分子大小為**小線寬的1/10。因此隨著集成電路電線寬的尺寸減少,對工藝中所需的濕電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。從技術(shù)趨勢上看,滿足納米級集成電路加工需求是超凈高純試劑今后發(fā)展方向之一。剝離液的作用和使用場景。南京銅蝕刻液剝離液配方技術(shù)
哪家公司的剝離液是比較劃算的?合肥京東方用的蝕刻液剝離液費用是多少
每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通,所述公共子管道501與所述下一級腔室102連通。其中,閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實施例中,閥門開關(guān)60設(shè)置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實施例中,閥門開關(guān)60設(shè)置在每一第二子管道502上。具體的,閥門開關(guān)60的設(shè)置位置可以設(shè)置在連接過濾器30的任意管道上,在此不做贅述。在一些實施例中,請參閱圖4,圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺100的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。第二管道50包括多個第三子管道503,每一所述第三子管道503與一子過濾器連通301,且每一所述第三子管道503與所述下一級腔室連通102。其中,閥門開關(guān)60設(shè)置在每一第三子管道503上。本申請實施例提供的剝離液機臺,包括:依次順序排列的多級腔室、每一級所述腔室對應(yīng)連接一存儲箱;過濾器,所述過濾器的一端設(shè)置通過管道與當(dāng)前級腔室對應(yīng)的存儲箱連接,所述過濾器的另一端通過第二管道與下一級腔室連接;其中,至少在管道或所述第二管道上設(shè)置有閥門開關(guān)。通過閥門開關(guān)控制連接每一級腔室的過濾器相互獨立,從而在過濾器被阻塞時通過閥門開關(guān)將被堵塞的過濾器取下并不影響整體的剝離進程,提高生產(chǎn)效率。合肥京東方用的蝕刻液剝離液費用是多少