紹興江化微的蝕刻液剝離液供應(yīng)商

來源: 發(fā)布時間:2025-08-22

IC去除剝離液MSDS1.產(chǎn)品屬性產(chǎn)品形式:混合溶液產(chǎn)品名稱:ANS-908產(chǎn)品功能描述:用于COG重工,使IC與玻璃無損傷分離2.組成成份化學(xué)名稱CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-DIMETHYLACETAMIDE127-19-510~58Other12~45SurfactantThickener3.危險識別可燃性液體和蒸汽警示標(biāo)識外觀:透明或微黃氣味:類氨對人類和環(huán)境的危害:對眼睛和皮膚有刺激性吸入:會引起呼吸道受刺激,肝臟、腎受傷害,對系統(tǒng)有影響攝?。簳鸷粑篮拖来碳らL期接觸:會引起皮膚傷害4.緊急處理吸入:移至空氣新鮮處,呼吸困難時輸氧、看醫(yī)生攝?。貉杆賴I吐或者看醫(yī)生皮膚接觸:用大量水沖洗15分鐘以上,更換衣服、鞋,或者看醫(yī)生眼睛接觸:用大量水沖洗15分鐘以上,嚴(yán)重時看醫(yī)生5.防火措施合適的滅火裝置:水槍、泡沫滅火器、干粉滅火器、CO2滅火器特別防護措施:穿戴防護面罩閃點:>110℃自燃溫度:>340℃6.意外泄漏注意事項人員:避免吸入,避免皮膚、眼睛、衣物的接觸,霧狀時戴防護面罩環(huán)境:迅速移除火源,避免吸入和接觸清潔方法:大量泄漏應(yīng)截流并泵入容器,用吸附材料吸掉殘余物;少量泄漏用水沖洗7.存儲和搬運搬運:遠離火源、煙霧;不要吸入蒸汽。ITO剝離液的配方是什么?紹興江化微的蝕刻液剝離液供應(yīng)商

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本申請實施例還提供一種剝離液機臺的工作方法,請參閱圖5,圖5為本申請實施例提供的剝離液機臺的工作方法的流程示意圖,該方法包括:步驟110、將多級腔室順序排列,按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級向剝離基板提供剝離液;步驟120、將來自于當(dāng)前級腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲于當(dāng)前級腔室相應(yīng)的存儲箱中,所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑;步驟130、使用當(dāng)前級腔室相應(yīng)的過濾器過濾來自當(dāng)前級腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級腔室;步驟140、若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞,則關(guān)閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關(guān);步驟150、取出被阻塞的所述過濾器。若過濾器包括多個并列排布的子過濾器,則可以關(guān)閉被阻塞的子過濾器的閥門,因此,步驟140還可以包括:若所述過濾器包括多個并列排布的子過濾器,則關(guān)閉連接被阻塞的所述子過濾器的管道上的閥門開關(guān)。在上述實施例中,對各個實施例的描述都各有側(cè)重,某個實施例中沒有詳述的部分,可以參見其他實施例的相關(guān)描述。廣東剝離液產(chǎn)品介紹平板顯示用剝離液哪里可以買到;

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高世代面板)表面上,或透入其表面,而把固體物料潤濕,剝離液親水性良好,能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此,本申請中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤濕劑組成。其中,酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一種或多種,酰胺是用于溶解光刻膠;n-甲基甲酰胺下面簡稱″nmf″醇醚為二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一種或多種,醇醚是用于潤濕、膨潤、溶解光刻膠的;二乙二醇丁醚下面簡稱″bdg″。環(huán)胺與鏈胺,用于滲透、斷開光刻膠分子間弱結(jié)合力;鏈胺:分子量的大小決定瞬間溶解力,分子量過大瞬間溶解力小,光刻膠未被完全溶解;分子量過小,對金屬的腐蝕性增強,影響產(chǎn)品質(zhì)量。分子量一般在50g/mol-200g/mol,鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一種或多種;環(huán)胺:溶解光刻膠中環(huán)狀結(jié)構(gòu)的樹脂,包括氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的任意一種或多種;上述鏈胺與環(huán)胺的比例在4∶1-1∶4之間。緩蝕劑,用于降低對金屬的腐蝕速度,緩蝕劑為三唑類物質(zhì),具體為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一種。潤濕劑。

單片清洗工藝避免了不同硅片之間相互污染,降低了產(chǎn)品缺陷,提高了產(chǎn)品良率??蛇x擇的,清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和過氧化氨混合物溶液??蛇x的,進一步改進,清洗液采用h2so4:h2o2配比范圍為6:1~4:1且溫度范圍為110℃~140℃的過氧化硫磺混合物溶液;以及,nh4oh:h2o2:h2o配比為1:℃~70℃的過氧化氨混合物溶液。本發(fā)明采用等離子體氮氫混合氣體能與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應(yīng)生成含氨揮發(fā)性化合物氣體,且與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應(yīng)速率相等能更高效的剝離去除光刻膠,能有效減少光刻膠殘留。進而避免由于光刻膠殘留造成對后續(xù)工藝的影響,提高產(chǎn)品良率。附圖說明本發(fā)明附圖旨在示出根據(jù)本發(fā)明的特定示例性實施例中所使用的方法、結(jié)構(gòu)和/或材料的一般特性,對說明書中的描述進行補充。然而,本發(fā)明附圖是未按比例繪制的示意圖,因而可能未能夠準(zhǔn)確反映任何所給出的實施例的精確結(jié)構(gòu)或性能特點,本發(fā)明附圖不應(yīng)當(dāng)被解釋為限定或限制由根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例所涵蓋的數(shù)值或?qū)傩缘姆秶?。下面結(jié)合附圖與具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明:圖1是本發(fā)明的流程示意圖。圖2是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖一,其顯示襯底上形成介質(zhì)層并旋圖光刻膠。剝離液的配方是什么?

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本申請涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種剝離液機臺及其工作方法。背景技術(shù):剝離(lift-off)工藝通常用于薄膜晶體管(thinfilmtransistor)制程中的光罩縮減,lift-off先形成光阻并圖案化,再在光阻上成膜,移除光阻的同時,沉積在光阻上的膜層也被剝離,從而完成膜層的圖形化,通過該制程可以實現(xiàn)兩次光刻合并為一次以達到光罩縮減的目的?,F(xiàn)有技術(shù)中,由于光阻上沉積了薄膜(該薄膜材料可以為金屬,ito(氧化銦錫)等用于制備tft的膜層),在剝離光阻的同時薄膜碎屑被帶入剝離液(stripper)中,大量的薄膜碎屑將會導(dǎo)致剝離液機臺中的過濾器(filter)堵塞,從而導(dǎo)致機臺無法使用,并且需要停止所有剝離液機臺的工作,待將filter清理后再次啟動,降低了生產(chǎn)效率。技術(shù)實現(xiàn)要素:本申請實施例提供一種剝離液機臺及其工作方法,可以提高生產(chǎn)效率。本申請實施例提供一種剝離液機臺,包括:依次順序排列的多級腔室、每一級所述腔室對應(yīng)連接一存儲箱;過濾器,所述過濾器的一端設(shè)置通過管道與當(dāng)前級腔室對應(yīng)的存儲箱連接,所述過濾器的另一端通過第二管道與下一級腔室連接;其中,至少在所述管道或所述第二管道上設(shè)置有閥門開關(guān)。在一些實施例中。剝離液適用于半導(dǎo)體和顯示行業(yè)光刻膠的剝離;池州顯示面板用剝離液銷售公司

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本發(fā)明涉及能夠從施加有抗蝕劑的基材剝離抗蝕劑的抗蝕劑的剝離液。背景技術(shù)::印刷布線板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蝕劑等抗蝕劑的剝離液中,伴隨微細布線化而使用胺系的剝離液。然而,以往的胺系的抗蝕劑的剝離液有廢液處理性難、海外的法規(guī)制度的問題,而避免其使用。近年來,為了避免胺系的抗蝕劑的剝離液的問題點,還報道了一種含有氫氧化鈉和溶纖劑的剝離液(專利文獻1),由于剝離時的抗蝕劑沒有微細地粉碎,因此存在近年的微細的布線間的抗蝕劑難以除去的問題點?,F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1:日本特開2002-323776號公報技術(shù)實現(xiàn)要素:發(fā)明要解決的問題因此,本發(fā)明的課題在于,提供容易除去微細的布線間的抗蝕劑的技術(shù)。用于解決問題的手段本發(fā)明人等為了解決上述課題而深入研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn),含有鉀鹽和溶纖劑的溶液與專利文獻1那樣的含有氫氧化鈉和溶纖劑的溶液相比,即使是非常微細的布線間的抗蝕劑也能細小地粉碎,從而完成本發(fā)明。即,本發(fā)明涉及一種抗蝕劑的剝離液,其特征在于,含有鉀鹽和溶纖劑。另外,本發(fā)明涉及一種抗蝕劑的除去方法,其特征在于,用上述抗蝕劑的剝離液處理施加有抗蝕劑的基材。紹興江化微的蝕刻液剝離液供應(yīng)商