一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法技術(shù)領(lǐng)域1.本技術(shù)涉及化學(xué)蝕刻技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。背景技術(shù):2.目前,電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜,以便后續(xù)給電子器件可控通電。該ito膜通常通過化學(xué)蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中,對于多晶ito(p-ito)材料,所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低,但其蝕刻速度快,蝕刻的角度難以控制,且容易對ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術(shù)實現(xiàn)要素:3.有鑒于此,為克服目前存在的技術(shù)難題,本技術(shù)提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。4.具體地,本技術(shù)首先方面提供了一種ito蝕刻液,所述ito蝕刻液包括以下重量份數(shù)的各組分:20-22份的鹽酸,6-7份的硝酸,0.5-3份的酸抑制劑,0.5-3份的表面活性劑,以及水;其中,所述酸抑制劑包括n,n-二異丙基乙胺、n,n-二異丙基乙醇胺中的至少一種;所述表面活性劑包括聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯脂肪二胺中的至少一種。5.通過對蝕刻液中硝酸及鹽酸的含量進行精確限定,以實現(xiàn)了對王水系蝕刻液蝕刻速度的初步調(diào)控,并在一定程度上實現(xiàn)了對蝕刻角度的控制(蝕刻角度小于35哪家的蝕刻液比較好用點?南京江化微的蝕刻液蝕刻液銷售公司
提高反應(yīng)體系的穩(wěn)定性。當(dāng)體系中加入過氧化氫后有助于提高過氧化氫的穩(wěn)定性,避免由于過氧化氫分解而引發(fā)的,提高生產(chǎn)的安全性。具體實施方式下面結(jié)合實施例,對本發(fā)明的具體實施方式作進一步描述。以下實施例用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案,而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝,所述工藝包括以下步驟:第一步:將純水進行低溫處理,使純水溫度≤10℃在純水罐中備用;純水罐中設(shè)有通過電路控制的電磁閥,當(dāng)純水溫度高于10℃時,電磁閥無法打開。第二步:配制和準(zhǔn)備原料,將亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸分別投入對應(yīng)的原料罐中,經(jīng)過過濾器循環(huán)過濾,備用;將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對應(yīng)的原料罐,備用。亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸需要稀釋后使用,hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2無需調(diào)配可直接用于制備蝕刻液。第三步:根據(jù)混酸配制表算出各個原料的添加量,按照純水→亞氨基二乙酸→氫氟酸→hno3→四甲基氫氧化銨→乙醇酸的順序依次將原料加入調(diào)配罐,將上述混料充分?jǐn)嚢?,攪拌時間為3~5h。第四步:在第三步的混料中再添加h2o2,繼續(xù)攪拌混勻,攪拌時間為3~5h,用磁力泵將混合液通過過濾器循環(huán)過濾。京東方用的蝕刻液蝕刻液費用是多少哪家的蝕刻液蝕刻效果好?
更推薦滿足。參照圖4,在添加劑(硅烷系偶聯(lián)劑)的aeff處于,能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良**少化,在硅烷系偶聯(lián)劑的aeff處于,能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此,在利用上述范圍所重疊范圍(規(guī)格(spec)滿足區(qū)間)即aeff為2以上,能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內(nèi)的情況下,上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力,由此,即使沒有消耗費用和時間的實際的實驗過程,也能夠選擇具有目標(biāo)防蝕能力的硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑。本發(fā)明的上述硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑推薦按照保護對象膜(氧化物膜)的蝕刻程度(etchingamount,e/a)滿足以上以下的范圍的濃度來添加。例如,對于包含氧化物膜(例如,sio2)和上述氧化物膜上的氮化物膜(例如,sin)的膜在160℃以添加劑濃度1000ppm基準(zhǔn)處理10,000秒的情況下,推薦按照保護對象膜的蝕刻程度(etchingamount,e/a)滿足以上以下的范圍的濃度添加。本發(fā)明的添加劑的防蝕能力可以通過上述添加劑的aeff值與濃度之積來計算,由蝕刻程度(etchingamount,e/a)來表示。蝕刻程度的正的值表示蝕刻工序后厚度增加。
本發(fā)明涉及回收處理技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置。背景技術(shù):廢銅蝕刻液含有可回收的金屬,所以需要進行回收處理,目前通用的做法是,使用化學(xué)方法回收廢液內(nèi)的銅,或提煉成硫酸銅產(chǎn)品,工藝落后,銅回收不徹底,處理的經(jīng)濟效益不明顯,有二次污染污染物排放,一旦處理不當(dāng)往外排放,勢必對水體生態(tài)系統(tǒng)造成大的沖擊。市場上的廢銅蝕刻液的回收處理裝置只能簡單的對蝕刻液進行回收處理,不能對蝕刻液進行循環(huán)電解,使得剩余蝕刻液中的銅離子轉(zhuǎn)化不充分,而且蝕刻液導(dǎo)入到電解池中會對電解池造成沖擊,進而影響電解池的使用壽命,并且在回收處理中會產(chǎn)生有害氣體而影響空氣環(huán)境,也不能在回收結(jié)束后對裝置內(nèi)部進行清理,為此,我們提出一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于提供一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置,以解決上述背景技術(shù)中提出的市場上的廢銅蝕刻液的回收處理裝置只能簡單的對蝕刻液進行回收處理,不能對蝕刻液進行循環(huán)電解,使得剩余蝕刻液中的銅離子轉(zhuǎn)化不充分,而且蝕刻液導(dǎo)入到電解池中會對電解池造成沖擊,進而影響電解池的使用壽命,并且在回收處理中會產(chǎn)生有害氣體而影響空氣環(huán)境。天馬微電子用哪家蝕刻液更多?
對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例,基于本實用新型中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。實施例一,請參閱圖1-4,本實用新型提供技術(shù)方案:高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置,包括裝置主體1、支撐腿2、電源線3和單片機4,裝置主體1的底端固定連接有支撐腿2,裝置主體1的后面一側(cè)底部固定連接有電源線3,裝置主體1的一側(cè)中間部位固定連接有控制器5,裝置主體1的內(nèi)部底端一側(cè)固定連接有單片機4,裝置主體1的頂部一端固定連接有去離子水儲罐14,裝置主體1的頂部一側(cè)固定連接有磷酸儲罐15,磷酸儲罐15的底部固定連接有攪拌倉23,攪拌倉23的內(nèi)部頂部固定連接有攪拌電機13,攪拌倉23的另一側(cè)頂部固定連接有醋酸儲罐16,裝置主體1的頂部中間一側(cè)固定連接有硝酸儲罐17,裝置主體1的頂部中間另一側(cè)固定連接有陰離子表面活性劑儲罐18,陰離子表面活性劑儲罐18的另一側(cè)固定連接有聚氧乙烯型非離子表面活性劑儲罐19,裝置主體1的頂部另一側(cè)固定連接有氯化鉀儲罐20。蝕刻液 [博洋化學(xué)] 新工藝,實現(xiàn)循環(huán)使用!京東方用的蝕刻液蝕刻液費用是多少
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將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對應(yīng)的原料罐,備用;第三步:根據(jù)混酸配制表算出各個原料的添加量,按照純水→亞氨基二乙酸→氫氟酸→hno3→四甲基氫氧化銨→乙醇酸的順序依次將原料加入調(diào)配罐,將上述混料充分?jǐn)嚢?,攪拌時間為3~5h;第四步:在第三步的混料中再添加h2o2,繼續(xù)攪拌混勻,攪拌時間為3~5h,用磁力泵將混合液通過過濾器循環(huán)過濾。作為推薦的技術(shù)方案,所述磁力泵出口壓力≤,過濾器入口壓力≤。根據(jù)制備銅蝕刻液的原料確定磁力泵的出口壓力和過濾器的入口壓力,包裝原料可以被充分過濾。作為推薦的技術(shù)方案,所述調(diào)配罐內(nèi)的溫度設(shè)定在30~35℃。調(diào)配罐的溫度不能超過35℃,由于過氧化氫的密度隨溫度的升高而減小,因此保證交底的反應(yīng)溫度有助于保證原料體系的穩(wěn)定作為推薦的技術(shù)方案,所述過濾器的微濾膜孔徑為~μm。作為推薦的技術(shù)方案,第三步中各種原料在~,調(diào)配罐內(nèi)填充氮氣,攪拌速度為30~50r/min。作為推薦的技術(shù)方案,原料罐和調(diào)配罐大拼配量不超過罐容積的80%。本發(fā)明的優(yōu)點和有益效果在于:本發(fā)明在制備酸性銅蝕刻液的過程中,用低溫純水(10℃)替代常溫純水(25℃),將低溫純水加入反應(yīng)體系中,降低反應(yīng)體系的反應(yīng)溫度。南京江化微的蝕刻液蝕刻液銷售公司