湖南功率電子清洗劑

清洗 SiC 芯片時(shí)，清洗劑 pH 值超過 9 可能損傷表面金屬化層，具體取決于金屬化材料及暴露時(shí)間。SiC 芯片常用金屬化層為鈦（Ti）、鎳（Ni）、金（Au）等多層結(jié)構(gòu)，其中鈦和鎳在堿性條件下穩(wěn)定性較差：pH>9 時(shí)，OH?會(huì)與鈦反應(yīng)生成可溶性鈦酸鹽（如 Na?TiO?），導(dǎo)致鈦層溶解（腐蝕速率隨 pH 升高而加快，pH=10 時(shí)溶解率是 pH=8 時(shí)的 5 倍以上）；鎳則會(huì)發(fā)生氧化反應(yīng)（Ni + 2OH? → Ni (OH)? + 2e?），形成疏松的氫氧化鎳膜，破壞金屬化層連續(xù)性。金雖耐堿性較強(qiáng)，但高 pH 值（>11）會(huì)加速其底層鈦 / 鎳的腐蝕，導(dǎo)致金層剝離。實(shí)驗(yàn)顯示：pH=9.5 的清洗劑處理 SiC 芯片 3 分鐘后，鈦層厚度減少 10%-15%，金屬化層導(dǎo)電性下降 8%-12%；若延長(zhǎng)至 10 分鐘，可能出現(xiàn)局部露底（SiC 基底暴露）。因此，清洗 SiC 芯片的清洗劑 pH 值建議控制在 6.5-8.5，若需堿性條件，應(yīng)限制 pH≤9 并縮短清洗時(shí)間（<2 分鐘），同時(shí)添加金屬緩蝕劑（如苯并三氮唑）降低腐蝕風(fēng)險(xiǎn)。獨(dú)特的乳化配方，使油污快速乳化脫離模塊表面。湖南功率電子清洗劑

功率電子清洗劑的離子殘留量超過 1μg/cm2 會(huì)明顯影響模塊的絕緣耐壓性能。殘留離子（如 Na?、Cl?、SO?2?等）具有導(dǎo)電性，在模塊工作時(shí)會(huì)形成離子遷移通道，尤其在高濕度環(huán)境（相對(duì)濕度 > 60%）或溫度波動(dòng)（-40~125℃）下，離子會(huì)隨水汽擴(kuò)散，降低絕緣層表面電阻（從 1012Ω 降至 10?Ω 以下）。當(dāng)殘留量達(dá) 1μg/cm2 時(shí)，模塊爬電距離間的泄漏電流增加 5-10 倍，在 1kV 耐壓測(cè)試中易出現(xiàn)局部放電（放電量 > 10pC）；若超過 3μg/cm2，長(zhǎng)期工作后可能引發(fā)沿面閃絡(luò)，絕緣耐壓值下降 20%-30%（如從 4kV 降至 2.8kV 以下）。此外，離子殘留會(huì)加速電化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致金屬化層腐蝕（如銅遷移），進(jìn)一步破壞絕緣結(jié)構(gòu)。對(duì)于高頻功率模塊（如 IGBT、SiC 模塊），離子殘留還會(huì)增加介損（tanδ 從 0.001 升至 0.01 以上），引發(fā)局部過熱。因此，行業(yè)通常要求清洗劑離子殘留量≤0.1μg/cm2，超過 1μg/cm2 時(shí)必須返工清洗，否則將明顯降低模塊絕緣可靠性和使用壽命。湖南功率電子清洗劑優(yōu)化配方，減少清洗劑揮發(fā)損耗，降低使用成本。

清洗IGBT模塊的高鉛錫膏殘留，溶劑型清洗劑更適合。高鉛錫膏含鉛錫合金粉末（熔點(diǎn)約183℃）和助焊劑（以松香、有機(jī)酸為主），其殘留具有脂溶性強(qiáng)、易附著于陶瓷基板與金屬引腳縫隙的特點(diǎn)。溶劑型清洗劑（如改性醇醚或碳?xì)淙軇?duì)松香類有機(jī)物溶解力強(qiáng)，能快速滲透至IGBT模塊的柵極、源極引腳間隙，瓦解錫膏殘留的黏性結(jié)構(gòu)。且溶劑表面張力低（通常＜25mN/m），可深入0.1mm以下的細(xì)微縫隙，配合超聲波清洗（30-40kHz）能徹底剝離殘留，避免因清洗不凈導(dǎo)致的電路短路風(fēng)險(xiǎn)。水基清洗劑雖環(huán)保，但對(duì)脂溶性助焊劑的溶解力較弱，且高鉛錫膏中的鉛氧化物遇水可能形成氫氧化物沉淀，反而造成二次污染。此外，IGBT模塊的PCB板若防水性不足，水基清洗后易殘留水分，影響電氣性能。因此，針對(duì)高鉛錫膏殘留，溶劑型清洗劑更能滿足IGBT模塊的精密清洗需求。編輯分享

清洗劑中的緩蝕劑是否與功率模塊的銀燒結(jié)層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，主要取決于緩蝕劑的化學(xué)類型。銀燒結(jié)層由金屬銀（Ag）構(gòu)成，銀在常溫下化學(xué)穩(wěn)定性較高，但與含硫、含氯的緩蝕劑可能發(fā)生反應(yīng)：含硫緩蝕劑（如硫脲、巰基苯并噻唑）中的硫離子（S2?）或巰基（-SH）會(huì)與銀反應(yīng)生成硫化銀（Ag?S），這是一種黑色脆性物質(zhì)，會(huì)降低燒結(jié)層的導(dǎo)電性（電阻升高 30%-50%）并破壞結(jié)構(gòu)完整性；含氯緩蝕劑（如有機(jī)氯代物）則可能生成氯化銀（AgCl），雖溶解度低，但長(zhǎng)期積累會(huì)導(dǎo)致接觸電阻增大。而多數(shù)常用緩蝕劑（如苯并三氮唑 BTA、硅酸鹽、有機(jī)胺類）與銀的反應(yīng)性極低：BTA 主要與銅、鋁結(jié)合，對(duì)銀無明顯作用；硅酸鹽通過形成保護(hù)膜起效，不與銀反應(yīng)；有機(jī)胺類為堿性，銀在堿性環(huán)境中穩(wěn)定，無化學(xué)反應(yīng)。實(shí)際應(yīng)用中，電子清洗劑多選用無硫、無氯緩蝕劑，因此對(duì)銀燒結(jié)層的化學(xué)反應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)極低，只需避免含硫 / 氯成分的緩蝕劑即可。編輯分享通過 RoHS/REACH 雙認(rèn)證，無 VOC 揮發(fā)，呵護(hù)工人健康。

功率電子清洗劑在超聲波與噴淋工藝中的成本差異，主要體現(xiàn)在清洗劑用量、設(shè)備能耗、耗材損耗及人工成本上：超聲波清洗為浸泡式，需足量清洗劑（通常需沒過器件，單次用量 10-50L），且因超聲震蕩加速溶劑揮發(fā)，補(bǔ)加頻率高（每 2-3 天補(bǔ)加 10%-15%），同時(shí)設(shè)備功率大（3-10kW），需維持清洗液溫度（50-60℃），能耗成本較高；此外，超聲槽易積累殘留雜質(zhì)，清洗劑更換周期短（1-2 周 / 次），且振子、清洗槽等部件易因溶液腐蝕損耗，維護(hù)成本約占總投入的 15%-20%。噴淋清洗為高壓噴射（0.2-0.5MPa），清洗劑可循環(huán)過濾使用（配備濾芯，過濾精度 5-10μm），單次用量只 2-10L，補(bǔ)加周期長(zhǎng)（1 周左右補(bǔ)加 5%-10%），設(shè)備功率低（1-5kW），無需持續(xù)加熱，能耗只為超聲波的 40%-60%；且噴淋系統(tǒng)損耗部件只為噴嘴、泵體，維護(hù)成本低（占比 5%-10%），還可自動(dòng)化輸送工件，人工成本節(jié)省 30% 以上?？纱钆涑暡ㄝo助清潔，加速污垢分解，提升清洗效率。安徽IGBT功率電子清洗劑哪里有賣的

對(duì) IGBT 模塊的陶瓷基板有良好的清潔保護(hù)作用。湖南功率電子清洗劑

去除功率LED芯片表面助焊劑飛濺且不損傷鍍銀層，需兼顧清洗效率與銀層保護(hù)，重要在于選擇溫和介質(zhì)與精細(xì)工藝控制。助焊劑飛濺多為松香基樹脂、有機(jī)酸及活化劑殘留，呈半固態(tài)附著，銀層（厚度通常1-3μm）易被酸性物質(zhì)腐蝕（生成Ag?S）或堿性物質(zhì)氧化（形成AgO）。需采用弱堿性中性清洗劑（pH7.5-8.5），含非離子表面活性劑（如C12-14脂肪醇醚）與有機(jī)胺螯合劑（如三乙醇胺），既能乳化松香樹脂，又可絡(luò)合有機(jī)酸，且對(duì)銀層腐蝕率＜0.01μm/h。清洗工藝采用“低壓噴淋+低頻超聲”組合：先用0.1-0.2MPa去離子水噴淋，沖掉表面松散飛濺；再投入清洗劑中，以28kHz超聲波（功率20-30W/L）作用3-5分鐘，利用空化效應(yīng)剝離縫隙殘留；然后經(jīng)3次去離子水（電導(dǎo)率≤10μS/cm）漂洗，避免清洗劑殘留。干燥采用60-70℃熱風(fēng)循環(huán)（風(fēng)速＜1m/s），防止銀層高溫變色。清洗后通過X射線熒光測(cè)厚儀檢測(cè)，銀層厚度變化≤0.05μm，光學(xué)顯微鏡下無腐蝕點(diǎn)，可滿足LED封裝的鍵合可靠性要求。湖南功率電子清洗劑