泰晟供三菱htpvc 耐熱樹脂板材半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備配件

來源：發(fā)布時間：2025-04-25

半導(dǎo)體芯片的制造有以下幾個步驟：

1. 生長棒分為直拉法（CZ）和區(qū)熔法（FZ）：由于熔融多晶材料將直接接觸定時坩堝，定時坩堝中的雜質(zhì)將污染熔融多晶材料。直拉法碳、氧含量高，雜質(zhì)和缺陷多，但成本低，適用于大直徑（300mm）硅片的拉伸。是目前半導(dǎo)體硅片的主要材料。區(qū)熔法拉制的單晶由于多晶原料不與石英坩堝接觸，內(nèi)部

缺陷少，碳、氧含量低，但價格昂貴，成本較高，適用于大功率設(shè)備和一些高精端產(chǎn)品。

2. 切片：拔出的單晶硅棒需去除頭尾料，然后滾磨成所需直徑，切成平邊或V型槽，再切成薄片硅片?，F(xiàn)在采用的是金剛石線切割技術(shù)，該技術(shù)效率高，翹曲度大，硅片曲率好。一些異形件將被切割成一個內(nèi)圓。

3. 研磨：切片后，需要用研磨的方法去除損壞的截面層，以保證硅片的表面質(zhì)量，大約要去除50um。

4. 腐蝕：腐蝕是為了進(jìn)一步去除切削和磨削造成的損傷層，為下一個拋光工藝做準(zhǔn)備。腐蝕通常包括堿腐蝕和酸腐蝕。目前，由于生態(tài)環(huán)境保護(hù)的因素，大部分采用堿腐蝕。腐蝕去除量可達(dá)30—40μm，表面粗糙度也可達(dá)微米級。

5. 拋光：拋光是硅片生產(chǎn)中的一個重要工序。拋光是通過化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)進(jìn)一步提高硅片的表面質(zhì)量，使其達(dá)到Ra<5A的通常生產(chǎn)要求。

6. 清洗和包裝：隨著集成電路的行寬越來越小，對提高顆粒度指標(biāo)的要求也越來越高。清洗和封裝也是硅片生產(chǎn)過程中的一個重要工序。微波清洗能清潔并粘附在硅片表面的顆粒達(dá)到微芯片表面所要求的粒度指標(biāo)，使硅片表面清潔度達(dá)到集成電路的要求。

目前的半導(dǎo)體材料都是單晶硅。半導(dǎo)體芯片的純度要求在9N以上（99.9999999%），區(qū)熔單晶硅極大值可達(dá)11N（99.9999999%）。晶體生長通常采用直拉法（CZ）和區(qū)熔法（FZ），晶體取向由晶種決定。半導(dǎo)體材料以單晶硅為主，占半導(dǎo)體材料市場的90%以上，是集成電路的基礎(chǔ)材料。

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