天津德國桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

某半導(dǎo)體實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。材料科學(xué)：超疏水表面納米圖案化，接觸角 165°，防腐蝕性能增強 10 倍。天津德國桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道，傳統(tǒng)工藝需多次掩模對準(zhǔn)，良率only 30%。Polos 光刻機的多材料同步曝光技術(shù)，支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道，將良率提升至 85%。某微系統(tǒng)實驗室利用該特性，開發(fā)出可實時切換流路的生化分析芯片，通過軟件輸入不同圖案，10 分鐘內(nèi)即可完成從 DNA 擴增到蛋白質(zhì)檢測的模塊切換。該成果應(yīng)用于 POCT 設(shè)備，使現(xiàn)場快速檢測系統(tǒng)的體積縮小 60%，檢測時間縮短至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。黑龍江桌面無掩模光刻機讓你隨意進行納米圖案化Polos-BESM XL：大尺寸加工空間，保留緊湊設(shè)計，科研級精度實現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)一次性成型。

德國 Polos 光刻機系列是電子學(xué)領(lǐng)域不可或缺的精密設(shè)備。其無掩模激光光刻技術(shù)，讓電路圖案曝光不再受限于掩模，能夠?qū)崿F(xiàn)超高精度的圖案繪制。在芯片研發(fā)過程中，Polos 光刻機可precise刻畫出納米級別的電路結(jié)構(gòu)，為芯片性能提升奠定基礎(chǔ)。? 科研團隊使用 Polos 光刻機，成功開發(fā)出更高效的集成電路，降低芯片能耗，提高運算速度。而且，該光刻機可輕松輸入任意圖案，滿足不同電子元件的多樣化設(shè)計需求。無論是新型傳感器的電路制作，還是微型處理器的研發(fā)，Polos 光刻機都能以高精度、低成本的優(yōu)勢，為電子學(xué)領(lǐng)域的科研成果產(chǎn)出提供有力保障，推動電子技術(shù)不斷創(chuàng)新。

在構(gòu)建肝臟芯片的血管化網(wǎng)絡(luò)時，某生物工程團隊使用 Polos 光刻機實現(xiàn)了跨尺度結(jié)構(gòu)制備。其無掩模技術(shù)在 200μm 的主血管與 5μm 的blood capillary間precise銜接，血管內(nèi)皮細(xì)胞貼壁率達(dá) 95%，較傳統(tǒng)光刻提升 30%。通過輸入 CT 掃描的真實肝臟血管數(shù)據(jù)，芯片成功模擬門靜脈與肝竇的血流梯度，使肝細(xì)胞功能維持時間從 7 天延長至 21 天。該技術(shù)為藥物肝毒性測試提供了接近體內(nèi)環(huán)境的模型，某制藥公司使用后將候選藥物篩選周期縮短 40%，相關(guān)成果登上《Lab on a Chip》封面。電子學(xué)應(yīng)用：2μm 線寬光刻能力，第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)效率提升 3 倍。

某分析化學(xué)實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)了集成電化學(xué)傳感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技術(shù)在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極，傳感器的檢測限達(dá) 1nM，較傳統(tǒng)電化學(xué)工作站提升 100 倍。通過軟件輸入不同圖案，可在 24 小時內(nèi)完成從葡萄糖檢測到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時檢測（POCT）設(shè)備，使現(xiàn)場水質(zhì)監(jiān)測時間從 2 小時縮短至 10 分鐘，相關(guān)設(shè)備已通過歐盟 CE 認(rèn)證。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。無掩模技術(shù)優(yōu)勢：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案實時調(diào)整，研發(fā)成本降低 70%，小批量生產(chǎn)經(jīng)濟性突出。河南PSP光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

Polos-BESM 光刻機：無掩模激光直寫，50nm 精度，支持金屬 / 聚合物同步加工，適配第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)。天津德國桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

單細(xì)胞分選需要復(fù)雜的流體動力學(xué)控制結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)光刻難以實現(xiàn)多尺度結(jié)構(gòu)集成。Polos 光刻機的分層曝光功能，在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細(xì)胞捕獲區(qū)與 50μm 寬的廢液通道，通道高度誤差控制在 ±2% 以內(nèi)。某細(xì)胞生物學(xué)實驗室利用該芯片，將單細(xì)胞分選通量提升至 1000 個 / 秒，分選純度達(dá) 98%，較傳統(tǒng)流式細(xì)胞儀體積縮小 90%。該技術(shù)已應(yīng)用于循環(huán)tumor細(xì)胞檢測，使稀有細(xì)胞捕獲效率提升 3 倍，相關(guān)設(shè)備進入臨床驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。天津德國桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸