目前,AI、5G、汽車(chē)電子等已經(jīng)成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新動(dòng)能。因?yàn)橛蠥I和5G**技術(shù)的發(fā)展,驅(qū)動(dòng)新的智能應(yīng)用,帶動(dòng)集成電路的需求及增長(zhǎng),所以未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍會(huì)持續(xù)成長(zhǎng)。 從14nm到5nm器件加工,刻蝕步驟會(huì)增加近乎三倍,對(duì)設(shè)備提出更高要求。14nm工藝節(jié)點(diǎn)等離子刻蝕機(jī)刻蝕步驟為65步,而在5nm節(jié)點(diǎn)下,刻蝕步驟數(shù)達(dá)到了150步。 對(duì)于刻蝕設(shè)備而言,隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷縮小,一是需要更精密的加工精度來(lái)匹配先進(jìn)制程,二是需要更高的刻蝕速度來(lái)完成更多的步驟要求。因此先進(jìn)制程對(duì)刻蝕設(shè)備的要求***提高。安徽官方刻蝕刻蝕設(shè)備:半導(dǎo)體的“雕刻刀” 半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工過(guò)程主要包括晶圓制造(前道,F(xiàn)ront-End...