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  • SEMIKRON賽米控SKIIP1813GB123-3DL
    SEMIKRON賽米控SKIIP1813GB123-3DL

    SEMIKRON 的 SiNTER 燒結(jié)技術(shù)通過(guò)銀基燒結(jié)材料替代傳統(tǒng)的錫鉛焊料，實(shí)現(xiàn)了模塊導(dǎo)熱性能與壽命的**性提升。銀燒結(jié)層的導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá) 250W/(m?K)，是傳統(tǒng)焊料的 3 倍，可快速將芯片產(chǎn)生的熱量傳遞至散熱基板，使模塊的熱阻降低 40%—— 以 1200V/50A 的 IGBT 模塊為例，采用 SiNTER 技術(shù)后，滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)芯片溫度比傳統(tǒng)模塊低 25℃，直接延長(zhǎng)模塊壽命 3 倍以上。在功率循環(huán)測(cè)試中（ΔTj=100K），采用 SiNTER 技術(shù)的模塊循環(huán)次數(shù)可達(dá) 5 萬(wàn)次，而傳統(tǒng)焊接模塊* 1 萬(wàn)次，特別適用于風(fēng)電、新能源汽車等需要長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的場(chǎng)景。該技術(shù)還具備優(yōu)異的耐高溫性...