晶振的主要參數(shù)：負(fù)載電容。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接的集成電路（IC）內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載電容不同，振蕩器的振蕩頻率不同。但標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。一般來(lái)說(shuō)，有低負(fù)載電容（串聯(lián)諧振晶體）和高負(fù)載電容（并聯(lián)諧振晶體）之分。因此，標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶體互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致，不能輕易互換，否則會(huì)造成電路工作不正常。頻率準(zhǔn)確度。頻率準(zhǔn)確度是指在標(biāo)稱(chēng)電源電壓、標(biāo)稱(chēng)負(fù)載阻抗、基準(zhǔn)溫度（25℃）以及其他條件保持不變時(shí)，晶體振蕩器的頻率相對(duì)于其規(guī)定標(biāo)稱(chēng)值的較大允許偏差，即（fmax-fmin）/f0。普通晶體振蕩器是一種完全由晶體自由振蕩完成工...

晶振電路在彩色電視機(jī)電路中的應(yīng)用，彩色電視機(jī)中的晶振電路一般用于系統(tǒng)控制電路和解碼電路中，如圖13所示為典型彩色電視機(jī)電路中系統(tǒng)控制電路圖，如圖14所示為典型彩色電視機(jī)電路中晶振電路的實(shí)物圖。晶體與微處理器（CPU）相配合，形成晶體振蕩電路，為CPU電路提供時(shí)鐘振蕩信號(hào)。晶振電路在電腦主板中的應(yīng)用晶振電路在電腦主板上也是比較常見(jiàn)的，主要有時(shí)鐘晶體振蕩電路、實(shí)時(shí)晶體振蕩電路、聲卡晶體和網(wǎng)卡晶體等，電腦主板中時(shí)鐘晶體振蕩電路的電路結(jié)構(gòu)。X1為石英晶體，在電路中相當(dāng)于電感。金華32 768k晶振直銷(xiāo)溫度式補(bǔ)償晶體振蕩器。溫度式補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO）是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周?chē)鷾囟茸兓a(chǎn)生的振...

晶振是石英晶體振蕩器的簡(jiǎn)稱(chēng)，其作用是與集成電路或三極管一起構(gòu)成頻率十分穩(wěn)定的振蕩器。晶振在電路中的作用是為系統(tǒng)提供基本的時(shí)鐘信號(hào)。通常一個(gè)系統(tǒng)共用一個(gè)晶振，便于各部分保持同步。有些通訊系統(tǒng)的基頻和射頻使用不同的晶振，而通過(guò)電子調(diào)整頻率的方法保持同步。晶振通常與鎖相環(huán)電路配合使用，以提供系統(tǒng)所需的時(shí)鐘頻率。如果不同子系統(tǒng)需要不同頻率的時(shí)鐘信號(hào)，可以用與同一個(gè)晶振相連的不同鎖相環(huán)來(lái)提供。晶振具有壓電效應(yīng)，即在晶片兩極外加電壓后晶體會(huì)產(chǎn)生變形，反過(guò)來(lái)如外力使晶片變形，則兩極上金屬片又會(huì)產(chǎn)生電壓。非溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器是較簡(jiǎn)單的一種，在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中稱(chēng)之為標(biāo)準(zhǔn)封裝晶體振蕩器。合肥音叉晶振廠商晶振的型號(hào)...

選擇振蕩器時(shí)還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門(mén)電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類(lèi)型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。晶振中C3為交流旁路電容，對(duì)交流信號(hào)相當(dāng)于短路。杭州貼片...

振蕩器頻次：振蕩電路中，一個(gè)晶體管和一個(gè)線圈 - 電容由連接的組合是電路依賴(lài)振蕩條件（哈特萊振蕩器的Colpitts振蕩器電路，等等）。在這些電路中，當(dāng)將晶體諧振器連接到需要線圈作為振蕩條件的部分時(shí)，可以獲得固有頻率的振蕩輸出。該頻率可以很容易地以10 6的數(shù)量級(jí)獲得，并且是****的，因此被普遍用作頻率和時(shí)間的參考。由于晶體的大小，許多實(shí)際使用的晶體振蕩器約為1-20 MHz。當(dāng)需要更高的頻率時(shí)，將執(zhí)行泛音振蕩（或可將用于高頻的晶體單元用于泛音），或者使用倍頻器。晶振具有壓電效應(yīng)，即在晶片兩極外加電壓后晶體會(huì)產(chǎn)生變形。上海3225晶振價(jià)格多少單片機(jī)晶振與速度的疑問(wèn)，執(zhí)行一條指令的周期不是由晶...

晶振的指標(biāo)，靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱(chēng)電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的較大允許頻偏。ft：頻率溫度穩(wěn)定度（不帶隱含基準(zhǔn)度）；ftref：頻率溫度穩(wěn)定度（帶隱含基準(zhǔn)溫）；fmax ：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的較高頻率；fmin：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的較低頻率；fref：規(guī)定基準(zhǔn)溫度測(cè)得的頻率。說(shuō)明：采用ftref指標(biāo)的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用ft指標(biāo)的晶體振蕩器，故ftref指標(biāo)的晶體振蕩器售價(jià)較高。晶片多為石英半導(dǎo)體材料，外殼用...

晶振是電子電路中較常用的電子元件之一，一般用字母“X”、“G”或“Z”表示，單位為Hz。晶振主要是由晶體和外面元器件構(gòu)成的。為晶振的實(shí)物外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)及電路圖形符號(hào)和等效電路。并聯(lián)型晶體振蕩器：三極管VT與R1、R2、R3、R4構(gòu)成放大電路；C3為交流旁路電容，對(duì)交流信號(hào)相當(dāng)于短路；X1為石英晶體，在電路中相當(dāng)于電感。從交流等效圖可以看出，該電路是一個(gè)電容三點(diǎn)式振蕩器，C1、C2、X1構(gòu)成選頻電路，其選頻頻率主要由X1決定，頻率接近fp。晶振可比喻為各板卡的“心跳”發(fā)生器，如果主卡的“心跳”出現(xiàn)問(wèn)題，必定會(huì)使其他各電路出現(xiàn)故障。上海低頻石英晶振批發(fā)價(jià)溫度控制式補(bǔ)償晶體振蕩器的間接補(bǔ)償型。間接補(bǔ)...

單片機(jī)晶振與速度的疑問(wèn)，執(zhí)行一條指令的周期不是由晶振決定的嗎。那么比如51單片機(jī)和MSP430，給51接高速晶振，430接低速的，是不是51跑的要快？是不是速度單片機(jī)速度光光與晶振有關(guān)，關(guān)鍵是單片機(jī)能不能支持那么大的晶振？每個(gè)單片機(jī)的速度是受到內(nèi)部邏輯門(mén)電平跳變速度的。對(duì)于一個(gè)51，給他用更高的晶振，速度會(huì)快些。但是對(duì)于高級(jí)的單片機(jī)就不一樣了。高級(jí)單片機(jī)內(nèi)部，一般都是有頻率控制寄存器的，所以，簡(jiǎn)單的增加晶振，可能達(dá)到單片機(jī)的極限，導(dǎo)致跑飛。晶片諧振頻率與石英斜面傾角等有關(guān)系，且頻率一定。蘇州16兆晶振供應(yīng)晶體振蕩器原理將電壓施加到所述石英晶體的壓電元件（電場(chǎng)的應(yīng)用到），變形發(fā)生在壓電體。這種現(xiàn)...

晶振的基本概念：壓電效應(yīng)：對(duì)某些電介質(zhì)施加機(jī)械力而引起它們內(nèi)部正負(fù)電荷中心相對(duì)位移，產(chǎn)生極化，從而導(dǎo)致介質(zhì)兩端表面內(nèi)出現(xiàn)符號(hào)相反的束縛電荷.在一定應(yīng)力范圍內(nèi)，機(jī)械力與電荷呈線性可逆關(guān)系。這種現(xiàn)象稱(chēng)為壓電效應(yīng)。作用：提供系統(tǒng)振蕩脈沖，穩(wěn)定頻率，選擇頻率。晶振的參數(shù)：標(biāo)稱(chēng)頻率：在規(guī)定條件下，晶振的諧振中心頻率；調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度時(shí)的工作頻率相對(duì)標(biāo)稱(chēng)頻率的較大偏離值；溫度頻差：在規(guī)定條件下，在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)，相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)工作頻率的允許偏離值。標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶體互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致，不能輕易互換，否則會(huì)造成電路工作不正常。無(wú)錫25兆晶振價(jià)格多少溫度控制式補(bǔ)償晶體振蕩器的間...

石英諧振器的模態(tài)譜，包括基模，三階泛音，5 階泛音和一些亂真信號(hào)響應(yīng)，即寄生模。在振蕩器應(yīng)用上，振蕩器總是選擇較強(qiáng)的模式工作。一些干擾模式有急劇升降的頻率—溫度特性。有時(shí)候，當(dāng)溫度發(fā)生改變，在一定溫度下，寄生模的頻率與振蕩頻率一致，這導(dǎo)致了“活動(dòng)性下降”。在活動(dòng)性下降時(shí)，寄生模的激勵(lì)引起諧振器的額外能量的消耗，導(dǎo)致Q 值的減小，等效串聯(lián)電阻增大及振蕩器頻率的改變。當(dāng)阻抗增加到相當(dāng)大的時(shí)候，振蕩器就會(huì)停止，即振蕩器失效。當(dāng)溫度改變遠(yuǎn)離活動(dòng)性下降的溫度時(shí)，振蕩器又會(huì)重新工作。寄生模能有適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)和封裝方法控制。不斷修正電極與晶片的尺寸關(guān)系（即應(yīng)用能陷原則），并保持晶片主平面平行，這樣就能把寄生模較...

一種是皮爾斯振蕩器配置晶振，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡(jiǎn)單的分立RC振蕩器?；诰д衽c陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動(dòng)，成本也比較低，但通常在整個(gè)溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會(huì)在標(biāo)稱(chēng)輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認(rèn)真對(duì)待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時(shí)，陶瓷諧振槽路和相應(yīng)的負(fù)載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進(jìn)行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對(duì)放大器的選擇并不敏感，但在過(guò)驅(qū)動(dòng)時(shí)很容易產(chǎn)生頻率漂移（甚至可能損壞）。壓控制晶體振蕩器是通過(guò)施加外部控制電壓使振蕩頻率可變或是可以調(diào)制的石英晶體...

一種是皮爾斯振蕩器配置晶振，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡(jiǎn)單的分立RC振蕩器。基于晶振與陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動(dòng)，成本也比較低，但通常在整個(gè)溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會(huì)在標(biāo)稱(chēng)輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認(rèn)真對(duì)待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時(shí)，陶瓷諧振槽路和相應(yīng)的負(fù)載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進(jìn)行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對(duì)放大器的選擇并不敏感，但在過(guò)驅(qū)動(dòng)時(shí)很容易產(chǎn)生頻率漂移（甚至可能損壞）。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接的集成電路（IC）內(nèi)部及外部所有有效電容之和...

在一般情況下，晶片機(jī)械振動(dòng)的振幅和交變電場(chǎng)的振幅非常微小，但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時(shí)，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現(xiàn)象稱(chēng)為壓電諧振，它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。當(dāng)晶體不振動(dòng)時(shí)，可把它看成一個(gè)平板電容器稱(chēng)為靜電電容C，它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān)，一般約幾個(gè)皮法到幾十皮法。當(dāng)晶體振蕩時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的慣性可用電感L來(lái)等效。一般L的值為幾十豪亨到幾百豪亨。晶片的彈性可用電容C來(lái)等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1皮法。晶片振動(dòng)時(shí)因摩擦而造成的損耗用R來(lái)等效，它的數(shù)值約為100歐。晶振是石英晶體振蕩器的...

晶振的基本概念：壓電效應(yīng)：對(duì)某些電介質(zhì)施加機(jī)械力而引起它們內(nèi)部正負(fù)電荷中心相對(duì)位移，產(chǎn)生極化，從而導(dǎo)致介質(zhì)兩端表面內(nèi)出現(xiàn)符號(hào)相反的束縛電荷.在一定應(yīng)力范圍內(nèi)，機(jī)械力與電荷呈線性可逆關(guān)系。這種現(xiàn)象稱(chēng)為壓電效應(yīng)。作用：提供系統(tǒng)振蕩脈沖，穩(wěn)定頻率，選擇頻率。晶振的參數(shù)：標(biāo)稱(chēng)頻率：在規(guī)定條件下，晶振的諧振中心頻率；調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度時(shí)的工作頻率相對(duì)標(biāo)稱(chēng)頻率的較大偏離值；溫度頻差：在規(guī)定條件下，在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)，相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)工作頻率的允許偏離值。普通晶體振蕩器是一種完全由晶體自由振蕩完成工作的晶體振蕩器。合肥貼片晶振生產(chǎn)廠家晶振：晶體振蕩器 （電路元件）；有一些電子設(shè)備需要頻率高度...

晶振的主要參數(shù)：晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱(chēng)頻率、負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等，這些參數(shù)決定了晶振的品質(zhì)和性能。因此，在實(shí)際應(yīng)用中要根據(jù)具體要求選擇適當(dāng)?shù)木д?，如通信網(wǎng)絡(luò)、無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要精度高的晶振。不過(guò)，由于性能越高的晶振價(jià)格也越貴，所以購(gòu)買(mǎi)時(shí)選擇符合要求的晶振即可。標(biāo)稱(chēng)頻率。不同的晶振標(biāo)稱(chēng)頻率不同，標(biāo)稱(chēng)頻率大都標(biāo)注在晶振外殼上。負(fù)載特性。其他條件保持不變時(shí)，負(fù)載在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對(duì)于標(biāo)稱(chēng)負(fù)載下的輸出頻率的較大允許頻偏。 晶振中C3為交流旁路電容，對(duì)交流信號(hào)相當(dāng)于短路。寧波直插晶振批發(fā)價(jià)普通晶體振蕩器。普通晶體振蕩器（SPXO）是一種簡(jiǎn)單的晶體振蕩器，通常稱(chēng)為鐘振。它...

數(shù)字電路都是按節(jié)拍來(lái)進(jìn)行處理的，而晶振就是提供這個(gè)節(jié)拍的，如果沒(méi)有晶振，也就沒(méi)有節(jié)拍，那也就不能處理任何數(shù)據(jù)，CPU主頻是多少，其實(shí)這個(gè)主頻就相當(dāng)于單片機(jī)上面的晶振在單片機(jī)系統(tǒng)里晶振的作用非常大，結(jié)合單片機(jī)內(nèi)部的電路，產(chǎn)生單片機(jī)所必須的時(shí)鐘頻率，單片機(jī)的一切指令的執(zhí)行都是建立在這基礎(chǔ)上的。晶振的提供時(shí)鐘頻率越高，單片機(jī)的運(yùn)行速度也就越快。數(shù)字電路需要各種高頻率開(kāi)關(guān)信號(hào)使計(jì)數(shù)器正常計(jì)數(shù)，使各種數(shù)字模塊能夠同步等，所以需要有一個(gè)高頻率電子振蕩電路產(chǎn)生振蕩信號(hào)，這個(gè)振蕩電路較重要的一個(gè)元件就是晶振，它生成的振蕩信號(hào)頻率可以達(dá)到幾兆甚至十幾兆，再經(jīng)過(guò)分頻器或倍頻器，得到各種不同的頻率信號(hào)。石英晶體有兩...

單片機(jī)晶振與速度的疑問(wèn)，執(zhí)行一條指令的周期不是由晶振決定的嗎。那么比如51單片機(jī)和MSP430，給51接高速晶振，430接低速的，是不是51跑的要快？是不是速度單片機(jī)速度光光與晶振有關(guān)，關(guān)鍵是單片機(jī)能不能支持那么大的晶振？每個(gè)單片機(jī)的速度是受到內(nèi)部邏輯門(mén)電平跳變速度的。對(duì)于一個(gè)51，給他用更高的晶振，速度會(huì)快些。但是對(duì)于高級(jí)的單片機(jī)就不一樣了。高級(jí)單片機(jī)內(nèi)部，一般都是有頻率控制寄存器的，所以，簡(jiǎn)單的增加晶振，可能達(dá)到單片機(jī)的極限，導(dǎo)致跑飛。晶體與微處理器（CPU）相配合，形成晶體振蕩電路，為CPU電路提供時(shí)鐘振蕩信號(hào)。無(wú)錫圓柱形直插晶振廠家推薦從實(shí)際效果上看，對(duì)于給定的負(fù)載電容值，F(xiàn)’r與F’...

如果在石英晶片上加上交變電壓，晶體就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，機(jī)械形變振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)，盡管這種交變電場(chǎng)的電壓極其微弱，但其振動(dòng)頻率是十分穩(wěn)定的。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（與切割后的晶片尺寸有關(guān)，晶體愈薄，切割難度越大，諧振頻率越高）相等時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的幅度將急劇增加，這種現(xiàn)象稱(chēng)為“壓電諧振”。通常廠家的晶振元件數(shù)據(jù)手冊(cè)給出的標(biāo)稱(chēng)頻率不是Fr或FL，實(shí)際的晶體元件應(yīng)用于振蕩電路中時(shí)，它一般還會(huì)與負(fù)載電容相聯(lián)接，共同作用使晶體工作于Fr和FL之間的某個(gè)頻率，這個(gè)頻率由振蕩電路的相位和有效電抗確定，通過(guò)改變電路的電抗條件，就可以在有限的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)晶體頻率。石英晶體振子置于恒溫槽中，有的是將石英...

晶振是電子電路中較常用的電子元件之一，一般用字母“X”、“G”或“Z”表示，單位為Hz。晶振主要是由晶體和外面元器件構(gòu)成的。為晶振的實(shí)物外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)及電路圖形符號(hào)和等效電路。并聯(lián)型晶體振蕩器：三極管VT與R1、R2、R3、R4構(gòu)成放大電路；C3為交流旁路電容，對(duì)交流信號(hào)相當(dāng)于短路；X1為石英晶體，在電路中相當(dāng)于電感。從交流等效圖可以看出，該電路是一個(gè)電容三點(diǎn)式振蕩器，C1、C2、X1構(gòu)成選頻電路，其選頻頻率主要由X1決定，頻率接近fp。直接補(bǔ)償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路，在振蕩器中與石英晶體振子串聯(lián)而成的。溫州定制晶振批發(fā)晶體振蕩器原理將電壓施加到所述石英晶體的壓電元...

溫度式補(bǔ)償晶體振蕩器。溫度式補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO）是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周?chē)鷾囟茸兓a(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器，如圖7所示。TCXO中，對(duì)石英晶體振子頻率溫度漂移的補(bǔ)償方法主要有直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償兩種類(lèi)型：直接補(bǔ)償型。直接補(bǔ)償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路，在振蕩器中與石英晶體振子串聯(lián)而成的。間接補(bǔ)償型。間接補(bǔ)償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類(lèi)型。模擬式間接溫度補(bǔ)償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度-電壓變換電路，并將該電壓施加到一只與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過(guò)晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對(duì)晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補(bǔ)償。壓控制晶體振蕩器通常...

由于晶體單元的振蕩頻率本身是由晶體單元的特性決定的，因此基本上不能改變。因此，在無(wú)線通信等中，可以采用根據(jù)所使用的頻率來(lái)更換晶體單元的方法。然而，通過(guò)調(diào)整外部電容，±0幾個(gè)％是約并應(yīng)用此可能微調(diào)VXO（可變晶體振蕩器），以允許電壓控制將被替換為可變電容二極管的電容的VCXO（壓控晶體振蕩器，VCXO）具有電路，例如。此外，晶體振蕩器和電壓控制振蕩器，一個(gè)數(shù)字電路，由于計(jì)數(shù)器組合電路和相位比較器等的頻率合成器通過(guò)，所以能夠獲得任意的頻率穩(wěn)定的輸出信號(hào)。晶振是電子電路中較常用的電子元件之一。上海32.768圓柱晶振價(jià)格振蕩器頻次：振蕩電路中，一個(gè)晶體管和一個(gè)線圈 - 電容由連接的組合是電路依賴(lài)振蕩...

晶振為何被要求緊挨著IC，單片機(jī)晶振不起振？晶振是通過(guò)電激勵(lì)來(lái)產(chǎn)生固定頻率的機(jī)械振動(dòng)，而振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生電流反饋給電路，電路接到反饋 后進(jìn)行信號(hào)放大，再次用放大的電信號(hào)來(lái)激勵(lì)晶振機(jī)械振動(dòng)，晶振再將振動(dòng)產(chǎn)生的電流反饋給電路，如此這般。當(dāng)電路中的激勵(lì)電信號(hào)和晶振的標(biāo)稱(chēng)頻率相同時(shí)，電 路就能輸出信號(hào)強(qiáng)大，頻率穩(wěn)定的正弦波。整形電路再將正弦波變成方波送到數(shù)字電路中供其使用。問(wèn)題在于晶振的輸出能力有限，它光光輸出以毫瓦為單位的電能量。在 IC（集成電路） 內(nèi)部，通過(guò)放大器將這個(gè)信號(hào)放大幾百倍甚至上千倍才能正常使用。石英晶體振子置于內(nèi)部的恒溫槽中，振蕩電路置于外部的恒溫槽中進(jìn)行溫度補(bǔ)償，實(shí)行雙重恒溫槽控制法。...

晶振的工作溫度范圍與溫度頻差：在提出溫度頻差時(shí)，應(yīng)考慮設(shè)備工作引起的溫升容限。當(dāng)對(duì)溫度頻差要求很高，同時(shí)空間和功率都允許的情況下，應(yīng)考慮恒溫工作，恒溫晶體振蕩器就是為此而設(shè)計(jì)的。負(fù)載電容與頻率牽引：在許多應(yīng)用中，都有用一負(fù)載電抗元件來(lái)牽引晶體頻率的要求，這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要，大多數(shù)情況下，這個(gè)負(fù)載電抗呈容性，當(dāng)該電容值為CL時(shí)，則相對(duì)負(fù)載諧振頻率偏移量為：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作為可調(diào)元件由DL1調(diào)至DL2時(shí)，相對(duì)頻率牽引為：DL1，L2= C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。彩色電視機(jī)中的晶振電路一般用于系統(tǒng)控制電路和解碼電路中。...

單片機(jī)晶振不起振原因分析遇到單片機(jī)晶振不起振是常見(jiàn)現(xiàn)象，那么引起晶振不起振的原因有哪些呢？PCB板布線錯(cuò)誤；單片機(jī)質(zhì)量有問(wèn)題；晶振質(zhì)量有問(wèn)題；負(fù)載電容或匹配電容與晶振不匹配或者電容質(zhì)量有問(wèn)題；PCB板受潮，導(dǎo)致阻抗失配而不能起振；晶振電路的走線過(guò)長(zhǎng)；晶振兩腳之間有走線；外面電路的影響。解決方案，建議按如下方法逐個(gè)排除故障：排除電路錯(cuò)誤的可能性，因此你可以用相應(yīng)型號(hào)單片機(jī)的推薦電路進(jìn)行比較。排除外面元件不良的可能性，因?yàn)橥饷媪慵o(wú)非為電阻，電容，你很容易鑒別是否為良品。排除晶振為停振品的可能性，因?yàn)槟悴粫?huì)只試了一二個(gè)晶振。試著改換晶體兩端的電容，也許晶振就能起振了，電容的大小請(qǐng)參考晶振的使用說(shuō)明...

溫度頻差（Frequency Stability vs Temp）表示在特定溫度范圍內(nèi)，工作頻率相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)工作頻率的允許偏離，它的單位也是ppm。石英晶體有一種特性，如果在晶片某軸向上施加壓力時(shí)，相應(yīng)施力的方向會(huì)產(chǎn)生一定的電位相反的，在晶體的某些軸向施加電場(chǎng)時(shí)，會(huì)使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形；晶體的自然諧振頻率，它在高穩(wěn)晶振的設(shè)計(jì)中，是作為使晶振穩(wěn)定工作于標(biāo)稱(chēng)頻率、確定頻率調(diào)整范圍、設(shè)置頻率微調(diào)裝置等要求時(shí)的設(shè)計(jì)參數(shù)（但不是標(biāo)稱(chēng)頻率）。當(dāng)晶體元件與外部電容相連接時(shí)（并聯(lián)或串聯(lián)），在負(fù)載諧振頻率時(shí)的電阻即為負(fù)載諧振電阻RL，它總是大于晶體元件本身的諧振電阻。晶振：晶體振蕩器，有一些電子設(shè)備需要頻率高...

晶振的主要參數(shù)：溫度穩(wěn)定度。溫度穩(wěn)定度是指其他條件保持不變時(shí)，在規(guī)定溫度范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率的較大變化量相對(duì)于溫度范圍內(nèi)輸出頻率極值之和的允許頻偏值，即（fmax-fmin）/（fmax+fmin）。頻率調(diào)節(jié)范圍。通過(guò)調(diào)節(jié)晶體振蕩器的某可變?cè)筛淖冚敵鲱l率的范圍。 電壓特性。其他條件保持不變時(shí)，電源電壓在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對(duì)于標(biāo)稱(chēng)電源電壓下的輸出頻率的較大允許頻偏。雜波。雜波是指輸出信號(hào)中與主頻無(wú)諧波（副諧波除外）關(guān)系的離散頻譜分量與主頻的功率比，用dBc表示。 諧波。諧波是指諧波分量功率Pi與載波功率P0之比，用dBc表示。日波動(dòng)。指振蕩器經(jīng)過(guò)規(guī)定的預(yù)熱時(shí)間后，每隔1...

晶振的主要參數(shù)：晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱(chēng)頻率、負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等，這些參數(shù)決定了晶振的品質(zhì)和性能。因此，在實(shí)際應(yīng)用中要根據(jù)具體要求選擇適當(dāng)?shù)木д?，如通信網(wǎng)絡(luò)、無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要精度高的晶振。不過(guò)，由于性能越高的晶振價(jià)格也越貴，所以購(gòu)買(mǎi)時(shí)選擇符合要求的晶振即可。標(biāo)稱(chēng)頻率。不同的晶振標(biāo)稱(chēng)頻率不同，標(biāo)稱(chēng)頻率大都標(biāo)注在晶振外殼上。負(fù)載特性。其他條件保持不變時(shí)，負(fù)載在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對(duì)于標(biāo)稱(chēng)負(fù)載下的輸出頻率的較大允許頻偏。 晶振：晶體振蕩器，有一些電子設(shè)備需要頻率高度穩(wěn)定的交流信號(hào)，而LC振蕩器穩(wěn)定性較差，頻率容易漂移。合肥高穩(wěn)定性晶振制造商晶振：晶體振蕩器 （電路元件...

數(shù)字電路都是按節(jié)拍來(lái)進(jìn)行處理的，而晶振就是提供這個(gè)節(jié)拍的，如果沒(méi)有晶振，也就沒(méi)有節(jié)拍，那也就不能處理任何數(shù)據(jù)，CPU主頻是多少，其實(shí)這個(gè)主頻就相當(dāng)于單片機(jī)上面的晶振在單片機(jī)系統(tǒng)里晶振的作用非常大，結(jié)合單片機(jī)內(nèi)部的電路，產(chǎn)生單片機(jī)所必須的時(shí)鐘頻率，單片機(jī)的一切指令的執(zhí)行都是建立在這基礎(chǔ)上的。晶振的提供時(shí)鐘頻率越高，單片機(jī)的運(yùn)行速度也就越快。數(shù)字電路需要各種高頻率開(kāi)關(guān)信號(hào)使計(jì)數(shù)器正常計(jì)數(shù)，使各種數(shù)字模塊能夠同步等，所以需要有一個(gè)高頻率電子振蕩電路產(chǎn)生振蕩信號(hào)，這個(gè)振蕩電路較重要的一個(gè)元件就是晶振，它生成的振蕩信號(hào)頻率可以達(dá)到幾兆甚至十幾兆，再經(jīng)過(guò)分頻器或倍頻器，得到各種不同的頻率信號(hào)。晶振可比喻為...

晶振的負(fù)載電容的選擇：晶體工作在基頻時(shí)，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。激勵(lì)電平的影響：一般來(lái)講，AT切晶體激勵(lì)電平的增大，其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過(guò)高會(huì)引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；過(guò)應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過(guò)低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。濾波電路中的應(yīng)用：應(yīng)用于濾波電路中時(shí)，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度，由于濾波晶體設(shè)計(jì)的特殊性，所...

晶振的主要參數(shù)：晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱(chēng)頻率、負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等，這些參數(shù)決定了晶振的品質(zhì)和性能。因此，在實(shí)際應(yīng)用中要根據(jù)具體要求選擇適當(dāng)?shù)木д?，如通信網(wǎng)絡(luò)、無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要精度高的晶振。不過(guò)，由于性能越高的晶振價(jià)格也越貴，所以購(gòu)買(mǎi)時(shí)選擇符合要求的晶振即可。標(biāo)稱(chēng)頻率。不同的晶振標(biāo)稱(chēng)頻率不同，標(biāo)稱(chēng)頻率大都標(biāo)注在晶振外殼上。負(fù)載特性。其他條件保持不變時(shí)，負(fù)載在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對(duì)于標(biāo)稱(chēng)負(fù)載下的輸出頻率的較大允許頻偏。 晶片諧振頻率與石英斜面傾角等有關(guān)系，且頻率一定。上海16兆晶振價(jià)格多少串聯(lián)型晶體振蕩器的電路的振蕩過(guò)程：接通電源后，三極管VT1、VT2導(dǎo)通，VT2...