晶振的負(fù)載電容的選擇：晶體工作在基頻時(shí)，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。激勵(lì)電平的影響：一般來(lái)講，AT切晶體激勵(lì)電平的增大，其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過(guò)高會(huì)引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；過(guò)應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過(guò)低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。濾波電路中的應(yīng)用：應(yīng)用于濾波電路中時(shí)，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度，由于濾波晶體設(shè)計(jì)的特殊性，所以用戶選購(gòu)時(shí)應(yīng)特別說(shuō)明。直接補(bǔ)償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路，在振蕩器中與石英晶體振子串聯(lián)而成的。音叉晶振貴不貴
晶振的主要參數(shù)：負(fù)載電容。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接的集成電路（IC）內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載電容不同，振蕩器的振蕩頻率不同。但標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。一般來(lái)說(shuō)，有低負(fù)載電容（串聯(lián)諧振晶體）和高負(fù)載電容（并聯(lián)諧振晶體）之分。因此，標(biāo)稱頻率相同的晶體互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致，不能輕易互換，否則會(huì)造成電路工作不正常。頻率準(zhǔn)確度。頻率準(zhǔn)確度是指在標(biāo)稱電源電壓、標(biāo)稱負(fù)載阻抗、基準(zhǔn)溫度（25℃）以及其他條件保持不變時(shí)，晶體振蕩器的頻率相對(duì)于其規(guī)定標(biāo)稱值的較大允許偏差，即（fmax-fmin）/f0。合肥8m無(wú)源晶振批發(fā)石英晶體振子置于恒溫槽中，有的是將石英晶體振子和有關(guān)重要元器件置于恒溫槽中。
晶振是電子電路中較常用的電子元件之一，一般用字母“X”、“G”或“Z”表示，單位為Hz。晶振主要是由晶體和外面元器件構(gòu)成的。為晶振的實(shí)物外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)及電路圖形符號(hào)和等效電路。并聯(lián)型晶體振蕩器：三極管VT與R1、R2、R3、R4構(gòu)成放大電路；C3為交流旁路電容，對(duì)交流信號(hào)相當(dāng)于短路；X1為石英晶體，在電路中相當(dāng)于電感。從交流等效圖可以看出，該電路是一個(gè)電容三點(diǎn)式振蕩器，C1、C2、X1構(gòu)成選頻電路，其選頻頻率主要由X1決定，頻率接近fp。
石英晶體諧振器（英文：quartz crystal unit或quartz crystal resonator，常被標(biāo)識(shí)為Xtal，Extenal Crystal Osillator，外部晶振器，因?yàn)榫д駟卧３Ｗ鳛殡娐吠饨樱?，?jiǎn)稱石英晶體或晶振，是利用石英晶體（又稱水晶）的壓電效應(yīng)，用來(lái)產(chǎn)生高精度振蕩頻率的一種電子元件，屬于被動(dòng)元件。該元件主要由石英晶片、基座、外殼、銀膠、銀等成分組成。根據(jù)引線狀況可分為直插（有引線）與表面貼裝（無(wú)引線）兩種類型。當(dāng)前常見的主要封裝型號(hào)有HC-49U、HC-49/S、GLASS、UM-1、UM-4、UM-5與SMD。標(biāo)稱頻率、負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等決定了晶振的品質(zhì)和性能。
串聯(lián)型晶體振蕩器的電路的振蕩過(guò)程：接通電源后，三極管VT1、VT2導(dǎo)通，VT2發(fā)射極輸出變化的Ie電流中包含各種頻率的信號(hào)，石英晶體X1對(duì)其中的f0信號(hào)阻抗很小，f0信號(hào)經(jīng)X1、RP1反饋到VT1的發(fā)射極，該信號(hào)經(jīng)VT1放大后從集電極輸出，又加到VT2放大后從發(fā)射極輸出，然后又通過(guò)X1反饋到VT1放大，如此反復(fù)進(jìn)行，VT2輸出的f0信號(hào)幅度越來(lái)越大，VT1、VT2組成的放大電路放大倍數(shù)越來(lái)越小，當(dāng)放大倍數(shù)等于反饋衰減系數(shù)時(shí)，輸出f0信號(hào)幅度不再變化，電路輸出穩(wěn)定的f0信號(hào)。晶片多為石英半導(dǎo)體材料，外殼用金屬封裝。合肥貼片晶振公司
石英晶體振蕩器分為非溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器、溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器等。音叉晶振貴不貴
晶體振蕩器原理將電壓施加到所述石英晶體的壓電元件（電場(chǎng)的應(yīng)用到），變形發(fā)生在壓電體。這種現(xiàn)象發(fā)現(xiàn)者，雅克和皮埃爾居里是兄弟。晶體單元的振蕩頻率本身是由晶體單元的特性決定的，因此基本上不能改變。電性能，通常是一個(gè)電容器作為其固有頻率附近特定頻率光頻帶線圈作為電感性電抗充當(dāng)具有。應(yīng)用此原理的電子組件是晶體諧振器。AT是一種常見的晶體振蕩器諧振器是壓電晶體元件具有兩個(gè)（晶體坯）電極由夾的石英振動(dòng)元件在上籠的影片。由于石英振蕩器會(huì)引起自由振動(dòng)，因此波形會(huì)變成正弦波。音叉晶振貴不貴
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