選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。晶振中C3為交流旁路電容，對交流信號相當于短路。杭州貼片晶振價格多少
將石英晶體振子置于內部的恒溫槽中，而將振蕩電路置于外部的恒溫槽中進行溫度補償，實行雙重恒溫槽控制法。利用比例控制的恒溫槽能把晶體的溫度穩(wěn)定度提高到5000倍以上，使振蕩器頻率穩(wěn)定度至少保持在1×10-9。OCXO主要用于移動通信基地站、**、導航、頻率計數(shù)器、頻譜和網絡分析儀等設備、儀表中。OCXO是由恒溫槽控制電路和振蕩器電路構成的。通常人們是利用熱敏電阻“電橋”構成的差動串聯(lián)放大器來實現(xiàn)溫度控制的。具有自動增益控制（AGC）的（Clapp）振蕩電路，是目前獲得振蕩頻率高穩(wěn)定度的比較理想的技術方案。近幾年中，OCXO的技術水平有了很大的提高。金華圓柱形直插晶振銷售給晶片加上適當?shù)慕蛔冸妷?，晶片就會產生諧振。
串聯(lián)型晶體振蕩器的電路的振蕩過程：接通電源后，三極管VT1、VT2導通，VT2發(fā)射極輸出變化的Ie電流中包含各種頻率的信號，石英晶體X1對其中的f0信號阻抗很小，f0信號經X1、RP1反饋到VT1的發(fā)射極，該信號經VT1放大后從集電極輸出，又加到VT2放大后從發(fā)射極輸出，然后又通過X1反饋到VT1放大，如此反復進行，VT2輸出的f0信號幅度越來越大，VT1、VT2組成的放大電路放大倍數(shù)越來越小，當放大倍數(shù)等于反饋衰減系數(shù)時，輸出f0信號幅度不再變化，電路輸出穩(wěn)定的f0信號。
如果在石英晶片上加上交變電壓，晶體就會產生機械振動，機械形變振動又會產生交變電場，盡管這種交變電場的電壓極其微弱，但其振動頻率是十分穩(wěn)定的。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（與切割后的晶片尺寸有關，晶體愈薄，切割難度越大，諧振頻率越高）相等時，機械振動的幅度將急劇增加，這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。通常廠家的晶振元件數(shù)據手冊給出的標稱頻率不是Fr或FL，實際的晶體元件應用于振蕩電路中時，它一般還會與負載電容相聯(lián)接，共同作用使晶體工作于Fr和FL之間的某個頻率，這個頻率由振蕩電路的相位和有效電抗確定，通過改變電路的電抗條件，就可以在有限的范圍內調節(jié)晶體頻率。振常與主板、南橋、聲卡等電路連接使用。
晶振的振動模式與頻率關系：基頻1～35MHz；3次泛音10～75MHz；5次泛音 50～150MHz；7次泛音 100～200MHz；9次泛音 150～250MHz。晶體電阻：對于同一頻率，當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。"信號源+電平表"功能由網絡分析儀完成；Ri、R0：儀器內阻：一般為50Ω。R1--濾波器輸入端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。R2--濾波器輸出端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。在濾波器條件的匹配阻抗中有時有并接電容要求，應按上圖連接。晶振一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。上海音叉石英晶振供應
晶振具有壓電效應，即在晶片兩極外加電壓后晶體會產生變形。杭州貼片晶振價格多少
晶振的主要參數(shù)：晶振的主要參數(shù)有標稱頻率、負載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等，這些參數(shù)決定了晶振的品質和性能。因此，在實際應用中要根據具體要求選擇適當?shù)木д?，如通信網絡、無線數(shù)據傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要精度高的晶振。不過，由于性能越高的晶振價格也越貴，所以購買時選擇符合要求的晶振即可。標稱頻率。不同的晶振標稱頻率不同，標稱頻率大都標注在晶振外殼上。負載特性。其他條件保持不變時，負載在規(guī)定變化范圍內晶體振蕩器輸出頻率相對于標稱負載下的輸出頻率的較大允許頻偏。 杭州貼片晶振價格多少
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