DDR測(cè)試DDR/LPDDR簡(jiǎn)介目前在計(jì)算機(jī)主板和各種嵌入式的應(yīng)用中,存儲(chǔ)器是必不可少的。常用的存儲(chǔ)器有兩種:一種是非易失性的,即掉電不會(huì)丟失數(shù)據(jù),常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲(chǔ)器速度較慢,主要用于存儲(chǔ)程序代碼、文件以及長(zhǎng)久的數(shù)據(jù)信息等;另一種是易失性的,即掉電會(huì)丟失數(shù)據(jù),常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機(jī)存儲(chǔ)器),這種存儲(chǔ)器運(yùn)行速度較快,主要用于程序運(yùn)行時(shí)的程序或者數(shù)據(jù)緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲(chǔ)器類型的劃分DDR的信號(hào)測(cè)試和協(xié)議測(cè)試;黑龍江DDR測(cè)試保養(yǎng)
只在TOP和BOTTOM層進(jìn)行了布線,存儲(chǔ)器由兩片的SDRAM以菊花鏈的方式所構(gòu)成。而在DIMM的案例里,只有一個(gè)不帶緩存的DIMM被使用。對(duì)TOP/BOTTOM層布線的一個(gè)閃照?qǐng)D和信號(hào)完整性仿真圖。
ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò),右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò),其時(shí)鐘頻率在800 MHz,數(shù)據(jù)通信率為1600Mbps
ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò),右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò),其時(shí)鐘頻率在400 MHz,數(shù)據(jù)通信率為800Mbps
ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò),右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)
個(gè)經(jīng)過(guò)比較過(guò)的數(shù)據(jù)信號(hào)眼圖,一個(gè)是仿真的結(jié)果,而另一個(gè)是實(shí)際測(cè)量的。在上面的所有案例里,波形的完整性的完美程度都是令人興奮的。
11.結(jié)論本文,針對(duì)DDR2/DDR3的設(shè)計(jì),SI和PI的各種相關(guān)因素都做了的介紹。對(duì)于在4層板里設(shè)計(jì)800Mbps的DDR2和DDR3是可行的,但是對(duì)于DDR3-1600Mbps是具有很大的挑戰(zhàn)性。 福建DDR測(cè)試廠家現(xiàn)貨DDR存儲(chǔ)器信號(hào)和協(xié)議測(cè)試;
9.DIMM之前介紹的大部分規(guī)則都適合于在PCB上含有一個(gè)或更多的DIMM,獨(dú)有例外的是在DIMM里所要考慮到去耦因素同在DIMM組里有所區(qū)別。在DIMM組里,對(duì)于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)里,帶有少的短線菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和樹形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是適用的。
10.案例上面所介紹的相關(guān)規(guī)則,在DDR2PCB、DDR3PCB和DDR3-DIMMPCB里,都已經(jīng)得到普遍的應(yīng)用。在下面的案例中,我們采用MOSAID公司的控制器,它提供了對(duì)DDR2和DDR3的操作功能。在SI仿真方面,采用了IBIS模型,其存儲(chǔ)器的模型來(lái)自MICRONTechnolgy,Inc。對(duì)于DDR3SDRAM的模型提供1333Mbps的速率。在這里,數(shù)據(jù)是操作是在1600Mbps下的。對(duì)于不帶緩存(unbufferedDIMM(MT_DDR3_0542cc)EBD模型是來(lái)自MicronTechnology,下面所有的波形都是采用通常的測(cè)試方法,且是在SDRAMdie級(jí)進(jìn)行計(jì)算和仿真的。
DDR測(cè)試
測(cè)試軟件運(yùn)行后,示波器會(huì)自動(dòng)設(shè)置時(shí)基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測(cè)量并匯總成一個(gè)測(cè)試報(bào)告,測(cè)試報(bào)告中列出了測(cè)試的項(xiàng)目、是否通過(guò)、spec的要求、實(shí)測(cè)值、margin等。圖5.17是自動(dòng)測(cè)試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開度測(cè)量的一個(gè)例子。信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還可以輔助用戶進(jìn)行內(nèi)存參數(shù)的配置,比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能,用戶可以通過(guò)軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻,并分析對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響。除了一致性測(cè)試以外,DDR測(cè)試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個(gè)關(guān)鍵參數(shù)測(cè)試失敗后,可以針對(duì)這個(gè)參數(shù)進(jìn)行Debug。此時(shí),測(cè)試軟件會(huì)捕獲、存儲(chǔ)一段時(shí)間的波形并進(jìn)行參數(shù)統(tǒng)計(jì),根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果可以查找到參數(shù)違規(guī)時(shí)對(duì)應(yīng)的波形位置, DDR4物理層一致性測(cè)試;
一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)領(lǐng)域1.本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,尤其是指一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。背景技術(shù):2.為保證服務(wù)器的平穩(wěn)運(yùn)行以及服務(wù)器ddr4內(nèi)存的完好使用,測(cè)量服務(wù)器內(nèi)存的信號(hào)完整性是否符合標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)成了服務(wù)器研發(fā)過(guò)程中必不可少的重要流程。目前服務(wù)器主流都是適用ddr4內(nèi)存,為了保證數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,ddr4鏈路的測(cè)試對(duì)服務(wù)器存儲(chǔ)性能評(píng)估有著至關(guān)重要的影響。3.目前服務(wù)器ddr4信號(hào)的測(cè)試無(wú)法進(jìn)行正常工作狀態(tài)的讀寫分離,只能利用主控芯片進(jìn)行讀寫命令來(lái)進(jìn)行相應(yīng)讀或?qū)懙臏y(cè)試,效率較低且不能完全反映正常工作狀態(tài)下的波形,在信號(hào)完整性測(cè)試上有比較大的風(fēng)險(xiǎn)。DDR有那些測(cè)試解決方案;黑龍江DDR測(cè)試保養(yǎng)
DDR工作原理與時(shí)序問(wèn)題;黑龍江DDR測(cè)試保養(yǎng)
DDR測(cè)試
DDRSDRAM即我們通常所說(shuō)的DDR內(nèi)存,DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代,目前DDR4已經(jīng)成為市場(chǎng)的主流,DDR5也開始進(jìn)入市場(chǎng)。對(duì)于DDR總線來(lái)說(shuō),我們通常說(shuō)的速率是指其數(shù)據(jù)線上信號(hào)的快跳變速率。比如3200MT/s,對(duì)應(yīng)的工作時(shí)鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率,由于在DDR總線上會(huì)有讀寫間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)間、高阻態(tài)時(shí)間、總線刷新時(shí)間等,因此其實(shí)際的總線傳輸速率達(dá)不到這個(gè)理想值。
克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室
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