高純氣體系統(tǒng)工程中,保壓測(cè)試可初步判斷泄漏,氦檢漏則準(zhǔn)確定位,兩者需聯(lián)動(dòng)進(jìn)行。保壓測(cè)試發(fā)現(xiàn)壓力降超標(biāo)(>0.5%)后,立即用氦檢漏定位泄漏點(diǎn);保壓合格但需驗(yàn)證微小泄漏時(shí),也需用氦檢漏(泄漏率≤1×10?1?Pa?m3/s)。例如某光纖廠的高純氦氣系統(tǒng),保壓測(cè)試壓力降 0.3%(合格),但氦檢漏發(fā)現(xiàn)過濾器密封不良(泄漏率 5×10??Pa?m3/s),長(zhǎng)期運(yùn)行會(huì)導(dǎo)致純度下降。這種聯(lián)動(dòng)檢測(cè)能多方面保障系統(tǒng)密封性,避免 “保壓合格但仍有微漏” 的隱患,符合高純氣體系統(tǒng)的嚴(yán)苛要求。實(shí)驗(yàn)室氣路系統(tǒng)的 0.1 微米顆粒度檢測(cè),每立方米≤5000 個(gè),防止顆粒污染實(shí)驗(yàn)樣品。潮州工業(yè)集中供氣系統(tǒng)氣體管道五項(xiàng)檢測(cè)0.1微米顆粒度檢測(cè)
實(shí)驗(yàn)室氣路系統(tǒng)的保壓測(cè)試不合格(泄漏)會(huì)導(dǎo)致空氣中的水分進(jìn)入管道,因此需聯(lián)動(dòng)檢測(cè)。例如氫氣管道泄漏會(huì)吸入潮濕空氣,導(dǎo)致水分含量從 10ppb 升至 1000ppb,影響實(shí)驗(yàn)。檢測(cè)時(shí),保壓測(cè)試合格(壓力降≤1%)后,測(cè)水分含量(≤50ppb);若保壓不合格,需修復(fù)后重新檢測(cè)水分。實(shí)驗(yàn)室氣路系統(tǒng)的閥門若使用普通密封脂(含水分),也會(huì)導(dǎo)致水分超標(biāo),因此需用硅基密封脂(低水分),且保壓測(cè)試需驗(yàn)證閥門密封性能。這種聯(lián)動(dòng)檢測(cè)能確保氣體干燥度,為實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性提供保障。韶關(guān)氣體管道五項(xiàng)檢測(cè)氦撿漏高純氣體管道的保壓測(cè)試,充氮?dú)庵?1.0MPa,48 小時(shí)壓降≤0.5%,驗(yàn)證管道密封性。
電子特氣系統(tǒng)工程輸送的氣體多為劇毒、腐蝕性氣體,泄漏會(huì)造成嚴(yán)重后果,氦檢漏是保障其安全性的 關(guān)鍵一環(huán)。檢測(cè)時(shí),管道抽真空至≤1Pa,充入氦氣(壓力 0.5MPa),用氦質(zhì)譜檢漏儀掃描,泄漏率需≤1×10?1?Pa?m3/s。電子特氣管道的閥門、接頭是泄漏高發(fā)區(qū) —— 例如隔膜閥的隔膜老化會(huì)導(dǎo)致泄漏,焊接接頭的熱影響區(qū)可能存在微縫。某半導(dǎo)體廠曾因三氟化氮管道泄漏,導(dǎo)致車間人員中毒,停產(chǎn) 3 天,損失超百萬元。因此,電子特氣系統(tǒng)工程的氦檢漏需 100% 覆蓋所有管道部件,檢測(cè)合格后方可投入使用,且每年需復(fù)檢一次,確保長(zhǎng)期安全。
工業(yè)集中供氣系統(tǒng)中的氮?dú)馊粞鹾砍瑯?biāo),會(huì)影響產(chǎn)品質(zhì)量,尤其在熱處理、焊接等工藝中。例如在軸承淬火中,氮?dú)庵械难鯕鈺?huì)導(dǎo)致軸承表面氧化,硬度下降;在粉末冶金中,氧含量過高會(huì)導(dǎo)致粉末氧化,影響燒結(jié)后的強(qiáng)度。ppb 級(jí)氧含量檢測(cè)需用氧化鋯傳感器,在管道出口處采樣,檢測(cè)范圍 1-1000ppb,誤差≤±2%。工業(yè)集中供氣系統(tǒng)的管道若未徹底置換,或止回閥泄漏,會(huì)導(dǎo)致空氣進(jìn)入 —— 例如氮?dú)夤艿琅c空氣管道并行鋪設(shè)時(shí),若氮?dú)鈮毫Φ陀诳諝鈮毫Γ瑫?huì)發(fā)生倒灌。通過氧含量檢測(cè),可及時(shí)發(fā)現(xiàn)這些問題,確保氮?dú)饧兌龋ㄑ鹾俊?0ppb)滿足工藝要求,這是工業(yè)集中供氣系統(tǒng)質(zhì)量的重要指標(biāo)。高純氣體系統(tǒng)工程的水分(ppb 級(jí))檢測(cè)≤10ppb,避免水分導(dǎo)致精密儀器故障。
高純氣體系統(tǒng)工程輸送的氣體(如超高純氬氣、氮?dú)猓┘兌刃柽_(dá)到 99.9999% 以上,氧含量需控制在 ppb 級(jí),否則會(huì)影響下游生產(chǎn)。例如在鈦合金焊接中,氬氣中氧含量超過 50ppb 會(huì)導(dǎo)致焊縫氧化,降低強(qiáng)度;在 LED 外延片生產(chǎn)中,氧氣會(huì)污染 MOCVD 反應(yīng)腔,影響芯片發(fā)光效率。ppb 級(jí)氧含量檢測(cè)需用氧化鋯氧分析儀,在管道出口處采樣,檢測(cè)前用標(biāo)準(zhǔn)氣(氧含量 10ppb、100ppb)校準(zhǔn),測(cè)量誤差≤±5%。檢測(cè)時(shí)需關(guān)注管道材質(zhì) —— 普通不銹鋼管內(nèi)壁會(huì)吸附氧氣,因此高純氣體管道需采用電解拋光 316L 不銹鋼,且焊接時(shí)用高純氬氣保護(hù),避免氧化。通過嚴(yán)格的氧含量檢測(cè),可確保氣體純度滿足工藝要求,這是高純氣體系統(tǒng)工程質(zhì)量的重要指標(biāo)。實(shí)驗(yàn)室氣路系統(tǒng)保壓測(cè)試充氮?dú)庵?0.3MPa,24 小時(shí)壓力降≤1%,防止泄漏影響實(shí)驗(yàn)精度。清遠(yuǎn)工業(yè)集中供氣系統(tǒng)氣體管道五項(xiàng)檢測(cè)0.1微米顆粒度檢測(cè)
大宗供氣系統(tǒng)保壓測(cè)試不合格時(shí),需用氦檢漏定位泄漏點(diǎn),修復(fù)后重新測(cè)試。潮州工業(yè)集中供氣系統(tǒng)氣體管道五項(xiàng)檢測(cè)0.1微米顆粒度檢測(cè)
實(shí)驗(yàn)室氣路系統(tǒng)常用于輸送分析用高純氣體(如色譜載氣、光譜儀用氣),管道內(nèi)的顆粒污染物會(huì)直接影響檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性。0.1 微米顆粒度檢測(cè)是控制這類污染的關(guān)鍵手段。檢測(cè)時(shí),需用特定顆粒計(jì)數(shù)器接入管道出口,通過高純氮?dú)獯祾吖艿?30 分鐘后開始采樣,采樣流量為 1L/min,連續(xù)監(jiān)測(cè) 10 分鐘。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn),每立方米氣體中 0.1 微米及以上顆粒數(shù)需≤1000 個(gè)。實(shí)驗(yàn)室氣路系統(tǒng)的管道多采用 316L 不銹鋼電解拋光管,內(nèi)壁粗糙度≤0.8μm,但其焊接處若處理不當(dāng),易形成微小凹陷,成為顆粒積聚的 “溫床”。0.1 微米顆粒度檢測(cè)能捕捉這些隱患,確保進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室儀器的氣體無顆粒干擾,比如在氣相色譜分析中,顆粒可能堵塞色譜柱,導(dǎo)致分離效率下降,而嚴(yán)格的顆粒度檢測(cè)可從源頭規(guī)避這類問題。潮州工業(yè)集中供氣系統(tǒng)氣體管道五項(xiàng)檢測(cè)0.1微米顆粒度檢測(cè)