本實用涉及蝕刻設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種ito蝕刻液制備裝置。背景技術(shù):蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術(shù),蝕刻技術(shù)分為濕蝕刻和干蝕刻,其中,濕蝕刻是采用化學試劑,經(jīng)由化學反應達到蝕刻的目的,薄膜場效應晶體管液晶顯示器(tft~lcd)、發(fā)光二極管(led)、有機發(fā)光二極管(oled)等行業(yè)用作面板過程中銦錫氧化物半導體透明導電膜(ito)的蝕刻通常采用鹽酸和硝酸的混合水溶液?,F(xiàn)有的制備裝置在進行制備時會發(fā)***熱反應,使得裝置外殼穩(wěn)定較高,工作人員直接接觸有燙傷風險,熱水與鹽酸接觸會產(chǎn)生較為劇烈的反應,濺出容易傷害工作人員,保護性不足,鹽酸硝酸具有較強的腐蝕性,常規(guī)的攪拌裝置容易被腐蝕,影響蝕刻液的質(zhì)量,用防腐蝕的聚四氟乙烯攪拌漿進行攪拌,成本過高,且混合的效果不好。所以,如何設(shè)計一種ito蝕刻液制備裝置,成為當前要解決的問題。技術(shù)實現(xiàn)要素:本實用新型的目的在于提供一種ito蝕刻液制備裝置,以解決上述背景技術(shù)中提出的ito蝕刻液制備裝置保護性不足、不具備很好的防腐蝕性和混合的效果不好的問題。為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供如下技術(shù)方案:一種ito蝕刻液制備裝置,包括制備裝置主體、高效攪拌裝置和過濾除雜裝置。蝕刻液可以蝕刻什么樣的金屬;佛山格林達蝕刻液銷售價格
本發(fā)明涉及回收處理技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置。背景技術(shù):廢銅蝕刻液含有可回收的金屬,所以需要進行回收處理,目前通用的做法是,使用化學方法回收廢液內(nèi)的銅,或提煉成硫酸銅產(chǎn)品,工藝落后,銅回收不徹底,處理的經(jīng)濟效益不明顯,有二次污染污染物排放,一旦處理不當往外排放,勢必對水體生態(tài)系統(tǒng)造成大的沖擊。市場上的廢銅蝕刻液的回收處理裝置只能簡單的對蝕刻液進行回收處理,不能對蝕刻液進行循環(huán)電解,使得剩余蝕刻液中的銅離子轉(zhuǎn)化不充分,而且蝕刻液導入到電解池中會對電解池造成沖擊,進而影響電解池的使用壽命,并且在回收處理中會產(chǎn)生有害氣體而影響空氣環(huán)境,也不能在回收結(jié)束后對裝置內(nèi)部進行清理,為此,我們提出一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于提供一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置,以解決上述背景技術(shù)中提出的市場上的廢銅蝕刻液的回收處理裝置只能簡單的對蝕刻液進行回收處理,不能對蝕刻液進行循環(huán)電解,使得剩余蝕刻液中的銅離子轉(zhuǎn)化不充分,而且蝕刻液導入到電解池中會對電解池造成沖擊,進而影響電解池的使用壽命,并且在回收處理中會產(chǎn)生有害氣體而影響空氣環(huán)境。蘇州BOE蝕刻液蝕刻液私人定做如何正確使用蝕刻液。
技術(shù)實現(xiàn)要素:本實用新型的目的在于提供高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置,以解決上述背景技術(shù)中提出密封性差,連接安裝步驟繁瑣的問題。為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供如下技術(shù)方案:高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置,包括裝置主體、支撐腿、電源線和單片機,所述裝置主體的底端固定連接有支撐腿,所述裝置主體的后面一側(cè)底部固定連接有電源線,所述裝置主體的一側(cè)中間部位固定連接有控制器,所述裝置主體的內(nèi)部底端一側(cè)固定連接有單片機,所述裝置主體的頂部一端固定連接有去離子水儲罐,所述裝置主體的頂部一側(cè)固定連接有磷酸儲罐,所述磷酸儲罐的底部固定連接有攪拌倉,所述攪拌倉的內(nèi)部頂部固定連接有攪拌電機,所述攪拌倉的另一側(cè)頂部固定連接有醋酸儲罐,所述裝置主體的頂部中間一側(cè)固定連接有硝酸儲罐,所述裝置主體的頂部中間另一側(cè)固定連接有陰離子表面活性劑儲罐,所述陰離子表面活性劑儲罐的另一側(cè)固定連接有聚氧乙烯型非離子表面活性劑儲罐,所述裝置主體的頂部另一側(cè)固定連接有氯化鉀儲罐,所述裝置主體的頂部另一端固定連接有硝酸鉀儲罐,所述裝置主體的內(nèi)部中間部位固定連接有連接構(gòu)件。
內(nèi)部頂部兩側(cè)的震蕩彈簧件14,震蕩彈簧件14頂端的運轉(zhuǎn)電機組13,運轉(zhuǎn)電機組13頂端的控制面板15,內(nèi)部中間部位的致密防腐桿16和致密防腐桿16內(nèi)部內(nèi)側(cè)的攪動孔17共同組合而成,由于鹽酸硝酸具有較強的腐蝕性,常規(guī)的攪拌裝置容易被腐蝕,影響蝕刻液的質(zhì)量,用防腐蝕的聚四氟乙烯攪拌漿進行攪拌,成本過高,且混合的效果不好,通過設(shè)置高效攪拌裝置2,該裝置通過運轉(zhuǎn)電機組13驅(qū)動旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤12,使旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤12帶動高效攪拌裝置2進行旋轉(zhuǎn)搖勻,同時設(shè)置的震蕩彈簧件14可通過驅(qū)動對高效攪拌裝置2進行震蕩搖勻,高效攪拌裝置2內(nèi)部的蝕刻液通過內(nèi)置的致密防腐桿16,致密防腐桿16內(nèi)部的攪動孔17能夠使蝕刻液不斷細化均勻化,從而很好的防止了蝕刻液的腐蝕,且成本低廉,攪拌均勻效果較好。推薦的,注入量精確調(diào)配裝置是由鹽酸裝罐7內(nèi)部一側(cè)的嵌入引流口22,嵌入引流口22一端的負壓引流器21,負壓引流器21一端的注入量控制容器18,注入量控制容器18內(nèi)部內(nèi)側(cè)的注入量觀察刻度線19和注入量控制容器18一側(cè)的限流銷20共同組合而成,現(xiàn)有的制備裝置無法對相關(guān)原料的注入量進行精確控制,無法很好的保證蝕刻液制備的純度,通過設(shè)置注入量精確調(diào)配裝置。BOE蝕刻液推薦蘇州博洋化學股份有限公司。
一種ito蝕刻液及其制備方法、應用方法技術(shù)領(lǐng)域1.本技術(shù)涉及化學蝕刻技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應用方法。背景技術(shù):2.目前,電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜,以便后續(xù)給電子器件可控通電。該ito膜通常通過化學蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中,對于多晶ito(p-ito)材料,所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低,但其蝕刻速度快,蝕刻的角度難以控制,且容易對ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術(shù)實現(xiàn)要素:3.有鑒于此,為克服目前存在的技術(shù)難題,本技術(shù)提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應用方法。4.具體地,本技術(shù)首先方面提供了一種ito蝕刻液,所述ito蝕刻液包括以下重量份數(shù)的各組分:20-22份的鹽酸,6-7份的硝酸,0.5-3份的酸抑制劑,0.5-3份的表面活性劑,以及水;其中,所述酸抑制劑包括n,n-二異丙基乙胺、n,n-二異丙基乙醇胺中的至少一種;所述表面活性劑包括聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯脂肪二胺中的至少一種。5.通過對蝕刻液中硝酸及鹽酸的含量進行精確限定,以實現(xiàn)了對王水系蝕刻液蝕刻速度的初步調(diào)控,并在一定程度上實現(xiàn)了對蝕刻角度的控制(蝕刻角度小于35使用蝕刻液需要什么條件。安慶市面上哪家蝕刻液按需定制
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本發(fā)明涉及一種用來在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法。背景技術(shù):以往,在蝕刻鈦時一直使用含有氫氟酸或過氧化氫的蝕刻液。例如專利文獻1中提出了一種鈦的蝕刻液,該鈦的蝕刻液是用來在銅或鋁的存在下蝕刻鈦,并且該蝕刻液的特征在于:利用由10重量%至40重量%的過氧化氫、%至5重量%的磷酸、%至%的膦酸系化合物及氨所構(gòu)成的水溶液將pH值調(diào)整為7至9。但是,含有氫氟酸的蝕刻液存在毒性高的問題,含有過氧化氫的蝕刻液存在缺乏保存穩(wěn)定性的問題。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1:日本特許第4471094號說明書。技術(shù)實現(xiàn)要素:發(fā)明所要解決的問題本發(fā)明是鑒于所述實際情況而成,其目的在于提供一種蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法,所述蝕刻液可在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦,而且毒性低,保存穩(wěn)定性優(yōu)異。解決問題的技術(shù)手段本發(fā)明的蝕刻液是為了在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦而使用,并且含有:選自由硫酸、鹽酸及三氯乙酸所組成的群組中的至少一種酸;以及選自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所組成的群組中的至少一種有機硫化合物。所述硫酮系化合物推薦為選自由硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所組成的群組中的至少一種。佛山格林達蝕刻液銷售價格