上海江化微的蝕刻液蝕刻液配方技術(shù)

上述硅烷系偶聯(lián)劑的選擇方法的特征在于，選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)形態(tài)的分子量之后乘以。以下，通過實施例更加詳細(xì)地說明本發(fā)明。但是，以下的實施例用于更加具體地說明本發(fā)明，本發(fā)明的范圍并不受以下實施例的限定。實施例和比較例的蝕刻液組合物的制造參照以下表1(重量％)，制造實施例和比較例的蝕刻液組合物。[表1]參照以下表2和圖5，利用實施例和比較例的蝕刻液組合物，對于包含作為氧化物膜sio2和作為上述氧化物膜上的氮化物膜sin的膜的、總厚度的膜進(jìn)行如下處理。在160℃用硅烷系偶聯(lián)劑％對上述膜處理10,000秒的情況下，可以確認(rèn)到，aeff值與蝕刻程度(etchingamount，e/a)呈線性相互關(guān)系。具體而言，可以判斷，作為硅烷系偶聯(lián)劑，包含aeff值處于～14的蝕刻程度(etchingamount，e/a)優(yōu)異，從而阻止氧化物膜損傷不良和因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良的效果優(yōu)異。另一方面，可以判斷，作為硅烷系偶聯(lián)劑，包含aeff值不處于～11的蝕刻程度不佳，從而發(fā)生氧化物膜損傷不良。[表2]例如，參照以下表3，包含雙。鋁蝕刻液的配方是什么？上海江化微的蝕刻液蝕刻液配方技術(shù)

本發(fā)明涉及一種用來在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法。背景技術(shù)：以往，在蝕刻鈦時一直使用含有氫氟酸或過氧化氫的蝕刻液。例如專利文獻(xiàn)1中提出了一種鈦的蝕刻液，該鈦的蝕刻液是用來在銅或鋁的存在下蝕刻鈦，并且該蝕刻液的特征在于：利用由10重量％至40重量％的過氧化氫、％至5重量％的磷酸、％至％的膦酸系化合物及氨所構(gòu)成的水溶液將pH值調(diào)整為7至9。但是，含有氫氟酸的蝕刻液存在毒性高的問題，含有過氧化氫的蝕刻液存在缺乏保存穩(wěn)定性的問題。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特許第4471094號說明書。技術(shù)實現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的問題本發(fā)明是鑒于所述實際情況而成，其目的在于提供一種蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法，所述蝕刻液可在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦，而且毒性低，保存穩(wěn)定性優(yōu)異。解決問題的技術(shù)手段本發(fā)明的蝕刻液是為了在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦而使用，并且含有：選自由硫酸、鹽酸及三氯乙酸所組成的群組中的至少一種酸；以及選自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所組成的群組中的至少一種有機硫化合物。所述硫酮系化合物推薦為選自由硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所組成的群組中的至少一種。揚州蝕刻液聯(lián)系方式選擇蘇州博洋化學(xué)股份有限公司，安心，放心，舒心。

內(nèi)部頂部兩側(cè)的震蕩彈簧件14，震蕩彈簧件14頂端的運轉(zhuǎn)電機組13，運轉(zhuǎn)電機組13頂端的控制面板15，內(nèi)部中間部位的致密防腐桿16和致密防腐桿16內(nèi)部內(nèi)側(cè)的攪動孔17共同組合而成，由于鹽酸硝酸具有較強的腐蝕性，常規(guī)的攪拌裝置容易被腐蝕，影響蝕刻液的質(zhì)量，用防腐蝕的聚四氟乙烯攪拌漿進(jìn)行攪拌，成本過高，且混合的效果不好，通過設(shè)置高效攪拌裝置2，該裝置通過運轉(zhuǎn)電機組13驅(qū)動旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤12，使旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤12帶動高效攪拌裝置2進(jìn)行旋轉(zhuǎn)搖勻，同時設(shè)置的震蕩彈簧件14可通過驅(qū)動對高效攪拌裝置2進(jìn)行震蕩搖勻，高效攪拌裝置2內(nèi)部的蝕刻液通過內(nèi)置的致密防腐桿16，致密防腐桿16內(nèi)部的攪動孔17能夠使蝕刻液不斷細(xì)化均勻化，從而很好的防止了蝕刻液的腐蝕，且成本低廉，攪拌均勻效果較好。推薦的，注入量精確調(diào)配裝置是由鹽酸裝罐7內(nèi)部一側(cè)的嵌入引流口22，嵌入引流口22一端的負(fù)壓引流器21，負(fù)壓引流器21一端的注入量控制容器18，注入量控制容器18內(nèi)部內(nèi)側(cè)的注入量觀察刻度線19和注入量控制容器18一側(cè)的限流銷20共同組合而成，現(xiàn)有的制備裝置無法對相關(guān)原料的注入量進(jìn)行精確控制，無法很好的保證蝕刻液制備的純度，通過設(shè)置注入量精確調(diào)配裝置。

負(fù)的值表示厚度減小。上述蝕刻液組合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜為特征，上述氧化物膜推薦包含sio2，上述氮化物膜推薦包含sin。上述蝕刻液組合物用于3dnand閃存制造工序，能夠使上述氮化物膜去除工序中發(fā)生的副反應(yīng)氧化物的殘留和氧化物膜損傷不良問題**少化。本發(fā)明的蝕刻液組合物包含如上選擇的添加劑，在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜時，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良(參照圖2)以及氮化物膜雖被完全去除但也造成氧化物膜損傷(damage)的工序不良(參照圖3)的發(fā)生**少化。因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良在添加劑的防蝕能力強于適宜水平時發(fā)生，氧化物膜不良在添加劑的防蝕能力弱于適宜水平時發(fā)生。以下，對于本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的磷酸、作為添加劑的硅烷(silane)系偶聯(lián)劑以及進(jìn)行更詳細(xì)的說明。(a)磷酸本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述磷酸(phosphoricacid)作為主氧化劑可以在使氮化物膜氧化時使用。相對于組合物總重量，上述磷酸的含量為50～95重量％，推薦為80～90重量％。在上述磷酸的含量處于上述含量范圍內(nèi)的情況下。哪家的蝕刻液蝕刻效果好？

以及一設(shè)置于基板下方的第二風(fēng)刀，其中***風(fēng)刀與第二風(fēng)刀分別吹出一氣體至基板。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中蝕刻設(shè)備可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置，噴灑裝置相對于風(fēng)刀裝置一端而設(shè)置于擋液板結(jié)構(gòu)的另一端部。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中噴灑裝置噴灑一藥液至基板上。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中擋液板結(jié)構(gòu)與基板的垂直距離介于8mm至15mm之間。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中滾輪呈順時針方向轉(zhuǎn)動，并帶動基板由噴灑裝置下端部朝向風(fēng)刀裝置的***風(fēng)刀下端部的方向移動。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中氣體遠(yuǎn)離***風(fēng)刀與第二風(fēng)刀的方向分別與基板的法線方向夾設(shè)有一第三夾角。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中第三夾角介于20度至35度之間。再者，為了達(dá)到上述實施目的，本實用新型另研擬一種蝕刻方法，于一濕式蝕刻機的一槽體內(nèi)運行；首先，設(shè)置一擋液板結(jié)構(gòu)，其中擋液板結(jié)構(gòu)設(shè)置有復(fù)數(shù)個宣泄孔；接著，使用一設(shè)置于擋液板結(jié)構(gòu)下方的輸送裝置輸送一基板，以經(jīng)過一噴灑裝置進(jìn)行一藥液噴灑；接續(xù)，使用一設(shè)置于擋液板結(jié)構(gòu)下方的風(fēng)刀裝置對基板吹出一氣體，以使基板干燥；***，氣體經(jīng)由宣泄孔宣泄。如上所述的蝕刻方法?！覆┭蠡瘜W(xué)」蝕刻劑廠家,質(zhì)優(yōu)價實,行業(yè)靠譜!揚州蝕刻液聯(lián)系方式

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所述液位計7安裝于所述分離器的外表面。液位計7安裝在方便工作人員查看的位置，有利于提高工作人員工作的效率。在一個實施例中，如圖1所示，所述液位開關(guān)9為控制閥，設(shè)置于所述濾液出口2處?？刂崎y為內(nèi)螺紋截止閥，通過旋轉(zhuǎn)操縱盤實現(xiàn)閥門的開關(guān)，這種閥結(jié)構(gòu)簡單，維修方便，工作行程小，啟閉時間短，使用壽命長。在一個實施例中，如圖2所示，所述分離器的側(cè)壁上設(shè)有多個視鏡10。分離器側(cè)壁上設(shè)置的視鏡10可以幫助工作人員輔助判斷液位計7的工作狀況。在一個實施例中，如圖1所示，所述加熱器11為盤管式加熱器。盤管式加熱器的受熱更加均勻，加熱效率更高。在一個實施例中，如圖1所示，所述分離器底部為錐體形狀。分離器底部設(shè)置成錐體形狀更有利于濾液排出，不會殘留在分離器內(nèi)。以上所述是本實用新型的推薦實施方式，本實用新型的保護(hù)范圍并不局限于上述實施例，凡屬于本實用新型思路下的技術(shù)方案均屬于本實用新型的保護(hù)范圍。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理前提下的若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護(hù)范圍。上海江化微的蝕刻液蝕刻液配方技術(shù)