嘉定區(qū)制造驅(qū)動電路服務熱線

Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E，然后再計算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數(shù)據(jù)手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）驅(qū)動電路，位于主電路和控制電路之間，主要作用是對控制電路的信號進行放大，使其能夠驅(qū)動功率開關(guān)器件。嘉定區(qū)制造驅(qū)動電路服務熱線

由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓，在實際開關(guān)中存在的米勒效應（Miller 效應）在測量中也沒有被包括在內(nèi)，在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 值大很多。因此，在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies值在實際應用中**只能作為一個參考值使用。確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅(qū)動器來說，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個參數(shù)，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅(qū)動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]虹口區(qū)推廣驅(qū)動電路哪家好驅(qū)動集成芯片：在數(shù)字電源中應用，許多驅(qū)動芯片自帶保護和隔離功能。

調(diào)光原理市面上大多數(shù)可控硅調(diào)光器基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，其工作原理如下：當交流電壓加雙向可控硅TRIAC兩端時，由于Rt、Ct組成的RC充電電路有一個充電時間，電容上的電壓是從0V開始充電的，并且TRIAC的驅(qū)動極串聯(lián)有一個DIAC(雙向觸發(fā)二極管，一般是30V左右)，因此TRIAC可靠截止。當Ct上的電壓上升到30V時，DIAC觸發(fā)導通，TRIAC可靠導通，此時TRIAC兩端的電壓瞬間變?yōu)榱?，Ct通過Rt迅速放電，當Ct電壓跌落到30V以下時，DIAC截止，如果TRIAC通過的電流大于其維持電流則繼續(xù)導通，如果低于其維持電流將會截止。電感L和電容C的作用是減小電流和電壓的變化率，以抑制電磁干擾EMI問題。

a)驅(qū)動器靠近IGBT減小引線長度；b) 驅(qū)動的柵射極引線絞合，并且不要用過粗的線；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動線的距離盡量靠近；d) 柵極電阻使用無感電阻；e) 如果是有感電阻，可以用幾個并聯(lián)以減小電感。2、IGBT 開通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻通常為達到更好的驅(qū)動效果，IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動速度，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的。IGBT驅(qū)動器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。MOSFET驅(qū)動電路：使用MOSFET（場效應晶體管）作為開關(guān)元件，適用于高效能的開關(guān)電源和電機驅(qū)動。

-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當為各個應用選擇IGBT驅(qū)動器時，必須考慮下列細節(jié)：· 驅(qū)動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動功率PG。驅(qū)動器的比較大平均輸出電流必須大于計算值?！?驅(qū)動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計算得到的比較大峰值電流?！?驅(qū)動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動器的數(shù)據(jù)表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅(qū)動器時必須要考慮。低邊驅(qū)動：通常用于將功率開關(guān)器件連接在電源負極（地）一側(cè)。虹口區(qū)推廣驅(qū)動電路哪家好

BJT驅(qū)動電路：使用雙極型晶體管（BJT）來驅(qū)動負載，適合低頻應用。嘉定區(qū)制造驅(qū)動電路服務熱線

IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅(qū)動器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用的參數(shù)，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結(jié)電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。嘉定區(qū)制造驅(qū)動電路服務熱線

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