楊浦區(qū)本地驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)

Windows 9x專門提供有“添加新硬件向?qū)А保ㄒ韵潞喎Q硬件向?qū)В﹣韼椭褂谜甙惭b硬件驅(qū)動(dòng)程序，使用者的工作就是在必要時(shí)告訴硬件向?qū)г谀膬嚎梢哉业脚c硬件型號相匹配的.inf文件，剩下的絕大部分安裝工作都將由硬件安裝向?qū)ё约和瓿?。給硬件設(shè)備安裝驅(qū)動(dòng)程序?qū)indows 9x用戶來說并不是一件陌生事，在安裝或重裝Windows時(shí)需要安裝驅(qū)動(dòng)程序，在購買了某些新硬件之后也需要安裝驅(qū)動(dòng)程序。如果驅(qū)動(dòng)程序安裝不對，系統(tǒng)中某些硬件就有一定可能無法正常使用。雖然Windows 9x支持即插即用，能夠?yàn)橛脩魷p少不少工作，但由于PC機(jī)的設(shè)備有非常多的品牌和型號，加上各種新產(chǎn)品不斷問世，Windows不可能自動(dòng)識(shí)別出所有設(shè)備，因此在安裝很多設(shè)備時(shí)都需要人工干預(yù)。傳感器檢測到的物理量（如溫度、壓力等）可以通過驅(qū)動(dòng)電路轉(zhuǎn)換為電信號，以便進(jìn)行后續(xù)處理和分析。楊浦區(qū)本地驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)

Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E，然后再計(jì)算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準(zhǔn)確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數(shù)據(jù)手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）靜安區(qū)好的驅(qū)動(dòng)電路銷售廠MOSFET驅(qū)動(dòng)：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間。

驅(qū)動(dòng)電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高，容易**擾，故驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有良好的電氣隔離性能，以實(shí)現(xiàn)主電路與控制電路之間的隔離，使之具有較強(qiáng)的抗干擾能力，避免功率級電路對控制信號的干擾。光耦隔離驅(qū)動(dòng)可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實(shí)現(xiàn)電路的電磁隔離，是一種電路簡單可靠，又具有電氣隔離作用的電路，但其對脈沖的寬度有較大限制，若脈沖過寬，磁飽和效應(yīng)可能使一次繞組的電流突然增大，甚至使其燒毀，而若脈沖過窄，為驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O關(guān)斷所存儲(chǔ)的能量可能不夠。

如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=2.2Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線，那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門極電荷會(huì)更接近實(shí)際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2驅(qū)動(dòng)電路，位于主電路和控制電路之間，主要作用是對控制電路的信號進(jìn)行放大，使其能夠驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)器件。

非隔離驅(qū)動(dòng)電路：不具有電氣隔離結(jié)構(gòu)，多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅(qū)動(dòng)芯片。按常見形式分類：直接驅(qū)動(dòng)：由單個(gè)電子元器件（如二極管、三極管、電阻、電容等）連接起來組成的驅(qū)動(dòng)電路，多用于功能簡單的小功率驅(qū)動(dòng)場合。隔離驅(qū)動(dòng)：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)以及隔離電容驅(qū)動(dòng)等。**驅(qū)動(dòng)集成芯片：在數(shù)字電源中應(yīng)用***，許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能。功率開關(guān)管常用驅(qū)動(dòng)MOSFET驅(qū)動(dòng)：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間。MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的功率要求不高，在低頻場合可利用三極管直接驅(qū)動(dòng)，而在高頻場合多采用變壓器或**芯片進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。心理或情感意義：可以指推動(dòng)一個(gè)人采取行動(dòng)的內(nèi)在動(dòng)力或外部激勵(lì)。楊浦區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)

驅(qū)動(dòng)電路是電子設(shè)備中的“動(dòng)力源泉”，它負(fù)責(zé)將微弱的控制信號轉(zhuǎn)換為強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)信號。楊浦區(qū)本地驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)

表1 IGBT門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動(dòng)電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且在IGBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時(shí)過載時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。楊浦區(qū)本地驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)

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