寶山區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路圖片

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作，會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào)，這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V)，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路，保護(hù)柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V，驅(qū)動(dòng)信號(hào)超出此范圍就可能破壞柵極。4)由于IGBT多用于高壓場合。要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力。所以驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)與整個(gè)控制電路在電位上嚴(yán)格隔離，一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離。傳感器驅(qū)動(dòng)：驅(qū)動(dòng)電路可以將傳感器檢測到的物理量轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，例如溫度傳感器、壓力傳感器等。寶山區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路圖片

門極驅(qū)動(dòng)功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動(dòng)器總功率 P = PG + PS（驅(qū)動(dòng)器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時(shí)的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實(shí)際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊(cè)中這個(gè)門極電荷參數(shù)沒有給出，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時(shí)候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -嘉定區(qū)好的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路是用于控制和驅(qū)動(dòng)其他電路或設(shè)備的電路。

實(shí)現(xiàn)電氣隔離：在需要電氣隔離的應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)電路通過光耦、變壓器等隔離器件，將輸入信號(hào)與輸出信號(hào)隔離開來，提高系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。三、驅(qū)動(dòng)電路的分類按功率器件的接地類型分類：直接接地驅(qū)動(dòng)：功率器件的接地端電位恒定，常用的有推挽驅(qū)動(dòng)以及圖騰柱驅(qū)動(dòng)等。浮動(dòng)接地驅(qū)動(dòng)：功率器件接地端電位會(huì)隨電路狀態(tài)變化而浮動(dòng)，典型的為自舉驅(qū)動(dòng)電路。按電路結(jié)構(gòu)分類：隔離型驅(qū)動(dòng)電路：包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅(qū)動(dòng)電路。

文中設(shè)計(jì)的電路利用RC充放電電路來實(shí)現(xiàn)這一功能。圖2是一種利用普通的脈寬調(diào)制PWM芯片結(jié)合外圍電路來搭建可控硅調(diào)光的LED驅(qū)動(dòng)電路框圖。維持電流補(bǔ)償電路通過檢測R1端電壓(即輸入電流)來控制流過維持電流補(bǔ)償電路的電流。當(dāng)輸入電流較小時(shí)，維持電流補(bǔ)償電路上流過較大的電流;當(dāng)輸入電流較大時(shí)，維持電流補(bǔ)償電路關(guān)斷，維持電流補(bǔ)償以恒流源的形式保證可控硅的維持電流。調(diào)光控制電路包括比較器、RC充放電電路和增益電路。實(shí)驗(yàn)中選用一款旋鈕行程和斬波角成正比的可控硅調(diào)光器，其**小導(dǎo)通角約為30°。負(fù)載特性：了解負(fù)載的電流、電壓和功率要求。

表1 IGBT門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對(duì)其驅(qū)動(dòng)電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且在IGBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級(jí)總處于飽和狀態(tài)。瞬時(shí)過載時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。LED驅(qū)動(dòng)電路：專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)LED，通常包括恒流源電路，以確保LED在安全的電流范圍內(nèi)工作。寶山區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路圖片

MOSFET驅(qū)動(dòng)：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間。寶山區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路圖片

“驅(qū)動(dòng)”這個(gè)詞在中文中有多種含義，具體取決于上下文。以下是一些常見的解釋：物理意義：指推動(dòng)或驅(qū)使某物運(yùn)動(dòng)的力量或機(jī)制。例如，汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)汽車前進(jìn)。技術(shù)意義：在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，驅(qū)動(dòng)程序（Driver）是指一種軟件，它使操作系統(tǒng)能夠與硬件設(shè)備進(jìn)行通信。例如，打印機(jī)驅(qū)動(dòng)程序使計(jì)算機(jī)能夠識(shí)別和使用打印機(jī)。心理或情感意義：可以指推動(dòng)一個(gè)人采取行動(dòng)的內(nèi)在動(dòng)力或外部激勵(lì)。例如，個(gè)人的職業(yè)發(fā)展可能受到內(nèi)在驅(qū)動(dòng)（如興趣、目標(biāo)）和外部驅(qū)動(dòng)（如薪水、晉升機(jī)會(huì)）的影響。寶山區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路圖片

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