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清洗劑對(duì)銅引線框架氧化層的去除效率,取決于其成分與氧化層性質(zhì)。銅氧化層分兩層:外層疏松的 CuO 和內(nèi)層致密的 Cu?O,酸性清洗劑(如含檸檬酸、氨基磺酸)可快速溶解氧化層,去除效率達(dá) 90% 以上,但過度使用會(huì)腐蝕基體;中性清洗劑通過螯合與剝離作用去除氧化層,效率約 70%-80%,對(duì)基體損傷小。去除后需即時(shí)防銹處理:一是采用苯并三氮唑(BTA)或甲基苯并三氮唑(TTA)溶液鈍化,形成保護(hù)膜,防銹期可達(dá) 1-3 個(gè)月;二是通過熱風(fēng)烘干(60-80℃)后噴涂薄層防銹油,適用于長期存儲(chǔ);三是惰性氣體(如氮?dú)猓┍Wo(hù)下進(jìn)行后續(xù)工序,避免二次氧化。實(shí)際應(yīng)用中,需平衡去除效率與防銹效果,確保引線框架導(dǎo)電性與焊接性能不受影響。提供定制化清洗方案,滿足不同客戶個(gè)性化需求。河南分立器件功率電子清洗劑配方
DBC基板由陶瓷層與銅箔組成,在電子領(lǐng)域應(yīng)用較廣,清洗時(shí)需避免損傷陶瓷層。通常而言,30-50kHz頻率范圍相對(duì)安全。這一區(qū)間內(nèi),空化效應(yīng)產(chǎn)生的氣泡大小與沖擊力適中。當(dāng)超聲波頻率為30kHz時(shí),能有效去除DBC基板表面的污染物,同時(shí)不會(huì)對(duì)陶瓷層造成過度沖擊。有實(shí)驗(yàn)表明,在此頻率下清洗氮化鋁(AIN)、氧化鋁(Al?O?)等常見陶瓷材質(zhì)的DBC基板,清洗效果良好,且未出現(xiàn)陶瓷層開裂、剝落等損傷現(xiàn)象。若頻率低于30kHz,空化氣泡破裂產(chǎn)生的沖擊力過大,可能震裂陶瓷層;高于50kHz時(shí),雖空化效應(yīng)減弱,但清洗力也隨之降低,難以徹底去除頑固污漬。所以,使用超聲波工藝清洗DBC基板,將頻率控制在30-50kHz,可在保證清洗效果的同時(shí),很大程度保護(hù)陶瓷層不受損傷。深圳什么是功率電子清洗劑代理商能快速去除 IGBT 模塊上的金屬氧化物污垢。
溶劑型清洗劑清洗 IGBT 后,揮發(fā)殘留可能影響模塊的絕緣電阻。若清洗劑含高沸點(diǎn)成分(如某些芳香烴、酯類),揮發(fā)不完全會(huì)在表面形成薄膜,其絕緣性能較差(體積電阻率可能低于 1012Ω?cm),尤其在潮濕環(huán)境中,殘留的極性成分會(huì)吸附水分,導(dǎo)致絕緣電阻下降(可能從正常的 10?Ω 降至 10?Ω 以下)。此外,部分清洗劑含氯離子、硫元素等雜質(zhì),殘留后可能引發(fā)電化學(xué)腐蝕,破壞絕緣層完整性,長期使用還會(huì)導(dǎo)致漏電風(fēng)險(xiǎn)增加。電子級(jí)清洗劑雖純度較高(如異丙醇、正己烷),但若清洗后未充分干燥(如殘留量超過 0.01mg/cm2),在高溫工況下仍可能因揮發(fā)氣體導(dǎo)致局部絕緣性能波動(dòng)。因此,清洗后需通過熱風(fēng)烘干(60-80℃,10-15 分鐘)確保殘留量≤0.005mg/cm2,并采用絕緣電阻測(cè)試儀(施加 500V 電壓)驗(yàn)證,確保阻值≥10?Ω 方可判定合格。編輯分享
普通電子清洗劑不能隨意替代功率電子清洗劑,兩者在配方和適用范圍上存在本質(zhì)區(qū)別。配方上,普通電子清洗劑多以單一溶劑(如異丙醇、酒精)或低濃度表面活性劑為主,側(cè)重去除輕度灰塵、指紋等污染物,對(duì)高溫氧化層、焊錫膏殘留的溶解力弱;功率電子清洗劑則采用復(fù)配體系,含高效溶劑(如乙二醇丁醚)、螯合劑(如EDTA衍生物)和緩蝕劑,能針對(duì)性分解功率器件特有的高溫碳化助焊劑、硅脂油污,且對(duì)銅、鋁等金屬材質(zhì)無腐蝕。適用范圍上,普通清洗劑適合清洗PCB板表面、連接器等低功率器件,而功率電子清洗劑專為IGBT、MOSFET等大功率器件設(shè)計(jì),可應(yīng)對(duì)其高密度引腳縫隙、散熱片凹槽內(nèi)的頑固污染物,且能耐受功率器件清洗時(shí)的高溫(40-55℃)環(huán)境,避免因配方不穩(wěn)定導(dǎo)致清洗失效。若用普通清洗劑替代,易出現(xiàn)殘留去除不徹底、器件腐蝕等問題,影響功率電子設(shè)備的可靠性。針對(duì)智能家電控制板,深度清潔,延長使用壽命。
水基清洗劑清洗功率模塊時(shí),若操作不當(dāng)可能導(dǎo)致鋁鍵合線氧化,但若工藝規(guī)范則可有效避免。鋁鍵合線表面存在一層天然氧化膜(Al?O?),這層薄膜能保護(hù)內(nèi)部鋁不被進(jìn)一步氧化。水基清洗劑若pH值控制不當(dāng)(如堿性過強(qiáng),pH>9),會(huì)破壞這層氧化膜,使新鮮鋁表面暴露在水中,與氧氣、水分發(fā)生反應(yīng)生成疏松的氧化層,導(dǎo)致鍵合強(qiáng)度下降甚至斷裂。此外,若清洗后干燥不徹底,殘留水分會(huì)加速鋁的電化學(xué)腐蝕,尤其在高溫高濕環(huán)境下,氧化風(fēng)險(xiǎn)更高。反之,選用pH值6.5-8.5的中性水基清洗劑,搭配添加鋁緩蝕劑的配方,可減少對(duì)氧化膜的侵蝕。同時(shí),控制清洗溫度(通常40-60℃)、縮短浸泡時(shí)間,并采用熱風(fēng)烘干(溫度≤80℃)確保水分完全蒸發(fā),就能在有效去除污染物的同時(shí),保護(hù)鋁鍵合線不受氧化影響。編輯分享功率模塊清洗后如何檢測(cè)鋁鍵合線是否氧化?鋁緩蝕劑是如何保護(hù)鋁鍵合線的?不同類型的功率模塊對(duì)清洗劑的離子殘留量要求有何差異?通過 RoHS/REACH 雙認(rèn)證,無 VOC 揮發(fā),呵護(hù)工人健康。佛山DCB功率電子清洗劑銷售
對(duì) IGBT 模塊的焊點(diǎn)進(jìn)行無損清洗,保障焊接可靠性。河南分立器件功率電子清洗劑配方
溶劑型清洗劑清洗功率模塊后,若為高純度非極性溶劑(如異構(gòu)烷烴、氫氟醚),其揮發(fā)殘留極少(通常 <0.1mg/cm2),且殘留成分為惰性有機(jī)物,對(duì)金絲鍵合處電遷移的誘發(fā)風(fēng)險(xiǎn)極低;但若為劣質(zhì)溶劑(含氯代烴、硫雜質(zhì)),揮發(fā)后殘留的離子性雜質(zhì)(如 Cl?、SO?2?)可能增加電遷移風(fēng)險(xiǎn)。金絲鍵合處電遷移的重要誘因是電流密度(IGBT 工作時(shí)可達(dá) 10?-10?A/cm2)與雜質(zhì)離子的協(xié)同作用:惰性殘留(如烷烴)不導(dǎo)電,不會(huì)形成離子遷移通道,且化學(xué)穩(wěn)定性高(沸點(diǎn)> 150℃),在模塊工作溫度(-40~175℃)下不分解,對(duì)金絲(Au)的擴(kuò)散系數(shù)無影響;而含活性雜質(zhì)的殘留會(huì)降低鍵合處界面電阻(從 10??Ω?cm2 升至 10??Ω?cm2),加速 Au 離子在電場(chǎng)下的定向遷移,導(dǎo)致鍵合線頸縮或空洞(1000 小時(shí)老化后失效概率增加 3-5 倍)。因此,選用高純度(雜質(zhì) < 10ppm)、低殘留溶劑型清洗劑(如電子級(jí)異構(gòu)十二烷),揮發(fā)后對(duì)金絲鍵合線電遷移的風(fēng)險(xiǎn)可控制在 0.1% 以下,明顯低于殘留離子超標(biāo)的清洗劑。河南分立器件功率電子清洗劑配方