CAK45L-B-25V-6.8uF-K

    片式高分子固體電解質(zhì)鉭電容器是一種電子元件，用于存儲和釋放電荷。它由鉭金屬電極、高分子固體電解質(zhì)和導(dǎo)電聚合物組成。這種電容器具有較高的電容密度和較低的ESR（等效串聯(lián)電阻），適用于高性能電子設(shè)備和電路中的能量存儲和濾波應(yīng)用。高分子固體電解質(zhì)是一種具有固態(tài)結(jié)構(gòu)的電解質(zhì)材料，具有較高的離子導(dǎo)電性能和較低的電子導(dǎo)電性能。它可以提供穩(wěn)定的電解質(zhì)界面，并具有較高的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。這種固體電解質(zhì)可以替代傳統(tǒng)的液體電解質(zhì)，提供更高的安全性和可靠性。鉭電容器是一種電容器的類型，使用鉭金屬作為電極材料。鉭具有較高的電容密度和較低的ESR，能夠提供更高的能量存儲和更低的能量損耗。鉭電容器通常用于高性能電子設(shè)備和電路中，如移動通信設(shè)備、計算機(jī)和汽車電子等。片式高分子固體電解質(zhì)鉭電容器結(jié)合了高分子固體電解質(zhì)和鉭電容器的優(yōu)點，具有較高的電容密度、較低的ESR和較高的安全性。它在電子設(shè)備和電路中廣泛應(yīng)用，以滿足高性能和高可靠性的要求。 鉭電容失效大部分是由于電路降額不足，反向電壓，過功耗導(dǎo)致，主要的失效模式是短路。CAK45L-B-25V-6.8uF-K

AVX表面貼裝鉭電容采用耐高溫的陶瓷封裝與高性能焊端材料，能夠承受多達(dá)5次的回流焊周期，且每次焊接后的性能參數(shù)保持穩(wěn)定。在回流焊過程中，即使經(jīng)歷260℃的高溫峰值，其內(nèi)部的氧化膜結(jié)構(gòu)與電極材料也不會發(fā)生明顯劣化，焊接后等效串聯(lián)電阻（ESR）的變化率控制在5%以內(nèi)。這一特性為電子產(chǎn)品的批量生產(chǎn)提供了便利，減少了因焊接工藝導(dǎo)致的電容失效問題，提高了生產(chǎn)合格率，尤其適合采用表面貼裝技術(shù)（SMT）的大規(guī)模自動化生產(chǎn)線，保障了產(chǎn)品質(zhì)量的一致性與穩(wěn)定性。GCA44-E-4V-100uF-K鉭電容封裝尺寸多樣，如A型（3.2×1.6mm）至E型（7.8×4.5mm），適配不同空間需求，提升電路集成度。

鉭電容簡介和基本結(jié)構(gòu)固體鉭電容是將鉭粉壓制成型,在高溫爐中燒結(jié)成陽極體,其電介質(zhì)是將陽極體放入酸中賦能,形成多孔性非晶型Ta2O5介質(zhì)膜,其工作電解質(zhì)為硝酸錳溶液經(jīng)高溫分解形成MnO2,通過石墨層作為引出連接用。鉭電容性能優(yōu)越，能夠?qū)崿F(xiàn)較大容量的同時可以使體積相對較小，易于加工成小型和片狀元件，適宜目前電子器件裝配自動化，小型化發(fā)展，鉭電容的主要特點有壽命長，耐高溫，準(zhǔn)確度高，但耐電壓和電流能力相對較弱，一般應(yīng)用于電路大容量濾波部分。

    AVX鉭電容的生產(chǎn)工藝一般包括以下主要步驟：原材料檢驗：對鉭粉、鉭絲等原材料進(jìn)行嚴(yán)格檢驗，確保其質(zhì)量符合要求，這些原材料通常由可靠的供應(yīng)商提供47。成型工序：將粗細(xì)比例不同的顆粒鉭粉與溶解于溶劑中的粘合劑均勻混合，待溶劑揮發(fā)后，再與鉭絲一起壓制成陽極鉭塊。此工序自動化程度較高，每隔一定時間，操作員將混好的鉭粉倒入進(jìn)料盤，設(shè)備自動按照尺寸模腔壓制成型47。脫臘和燒結(jié)：脫臘（預(yù)燒）：去除壓制成型的鉭塊內(nèi)的粘結(jié)劑4。燒結(jié)：將已經(jīng)脫粘結(jié)劑的鉭塊燒結(jié)成為具有一定機(jī)械強(qiáng)度的微觀多孔體。燒結(jié)過程中，顆粒與顆粒間接觸的部分熔合在一起，但要嚴(yán)格控制燒結(jié)溫度，避免溫度過高導(dǎo)致顆粒與顆粒之間的熔合部分過多，使表面面積減少。 鉭電容在工業(yè)PLC中通過去耦功能減少電源噪聲，確保輸入/輸出接口信號傳輸穩(wěn)定性。

賦能：通過電化學(xué)反應(yīng)，制得五氧化二鉭氧化膜，作為鉭電容器的介質(zhì)。b)氧化膜厚度：電壓越高，氧化膜的厚度越厚，所以提高賦能電壓，氧化膜的厚度增加，容量就下降c)氧化膜的顏色：不同的形成電壓干涉出的氧化膜的顏色也不同，隨著電壓的升高，顏色呈周期性化。d)形成電壓：經(jīng)驗公式（該公式只能在小范圍內(nèi)提高電壓，如果電壓提高的幅度很大，就不是很準(zhǔn)確，要加保險系數(shù)）。C2------要示的容量C2=KCR(K根據(jù)后道的容量收縮情況而定,可適時修改，一般情況下，容量小，后道容量損失較小，容量大，后道容量損失就大，低比容粉，容量損失較小，比容越高，后道容量損失就越大。通常，CR≤1UF，K=；CR>1UF,K=)。鉭電容封裝支持-50℃至100℃寬溫范圍，相比鋁電容在高溫下電性能衰減更小，穩(wěn)定性更優(yōu)。CAK45A-C-20V-47uF-K

鉭電容封裝采用防潮、防塵、防震包裝，確保運輸與存儲過程中性能不受環(huán)境影響。CAK45L-B-25V-6.8uF-K

KEMET 鉭電容以其獨特的陽極氧化膜結(jié)構(gòu)與精密的電極設(shè)計，在復(fù)雜電磁環(huán)境中展現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性。無論是在工業(yè)自動化車間的強(qiáng)電磁干擾環(huán)境，還是在多設(shè)備同時運行的密集型電子系統(tǒng)中，它都能有效抵抗電磁耦合與射頻干擾，保持電容值的穩(wěn)定輸出。這種高穩(wěn)定性不僅確保了電路的正常工作，更降低了因電磁干擾導(dǎo)致的信號失真、數(shù)據(jù)錯誤等問題，為各類電子設(shè)備的可靠運行提供了堅實保障，尤其在對信號完整性要求極高的通信基站、雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域表現(xiàn)突出。CAK45L-B-25V-6.8uF-K