9月10日中國國際先進陶瓷產業(yè)博覽會

先進陶瓷粉體作為先進陶瓷產業(yè)鏈的重要上游環(huán)節(jié)，其發(fā)展現(xiàn)狀和未來前景備受關注。目前，先進陶瓷粉體在技術創(chuàng)新方面取得了***進展。制備工藝不斷優(yōu)化，使得粉體的純度、粒度分布和形貌控制等性能得到了極大提升。在應用領域，先進陶瓷粉體***用于電子、航空航天、醫(yī)療、能源、汽車、節(jié)能環(huán)保、**等高科技領域。例如，在電子領域，用于制造高性能的陶瓷電容器和陶瓷基板；在航空航天領域，用于制造耐高溫、**度的陶瓷部件。預計在未來幾年，隨著新興技術的不斷涌現(xiàn)和應用領域的進一步拓展，先進陶瓷粉體的市場將釋放更大的發(fā)展?jié)摿蜕虡I(yè)價值。國內外先進陶瓷粉體的生產企業(yè)的數(shù)量不斷增加，產能持續(xù)增長，企業(yè)在產品質量、技術水平、服務質量和價格等方面展開角逐，市場競爭日益激烈。逐浪排空，陶瓷粉體生產商如何再拉出一條高昂的市場增長曲線？2025華南國際先進陶瓷展（IACE SHENZHEN 2025）作為行業(yè)發(fā)展的風向標，為身處激烈競爭環(huán)境中的陶瓷粉體企業(yè)提供了較好的發(fā)展契機。先進氧化鋁陶瓷材料的燒結技術，來9月華南國際先進陶瓷展，掌握新興的陶瓷燒結技術！9月10日中國國際先進陶瓷產業(yè)博覽會

在各種極端應用環(huán)境下，陶瓷總是能憑借其優(yōu)異的性能脫穎而出，其中，航空航天和**都是先進陶瓷非?；鸨膽檬袌觥６诤娇蘸教焓袌鲋?，“耐高溫”和“隱身”就是陶瓷的兩條發(fā)展主線。隨著單晶、熱障涂層及主動氣冷的潛力逐漸窮盡，新一代***航空發(fā)動機對新型耐高溫結構材料的需求愈發(fā)迫切，SiC/SiC-CMC成為耐高溫結構材料優(yōu)先之一。碳化硅纖維在SiC/SiC-CMC中起到主要的增強增韌作用，耐溫能力1200℃以上的碳化硅纖維作為SiC/SiC-CMC**關鍵的原材料，成為各航空強國的研究競爭重點。吸波材料是**重要的隱身材料之一，一般由基體材料（或粘結劑）與吸收介質（吸收劑）復合而成。在陶瓷吸波材料中，碳化硅是制作多波段吸波材料的主要成分；陶瓷紅外隱身材料是一種由無機陶瓷納米材料與無機高分子材料復合而成的涂料，通過精細控制無機陶瓷納米粒子均勻分散在無機聚合物基體中，實現(xiàn)高效的寬頻帶電磁波吸波。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展，就在9月10-12日，深圳會展中心（福田）2號館！2025年3月10日-12日上海市國際先進陶瓷技術論壇冷燒結技術：先進陶瓷材料低溫燒結的新方案！9月份來華南國際先進陶瓷，探討燒結技術新方向！

陶瓷氣凝膠是高效、輕質且化學穩(wěn)定的隔熱材料，但其脆性和低強度阻礙了其應用。已經開發(fā)了柔性納米結構組裝的可壓縮氣凝膠來克服脆性，但是它們仍然表現(xiàn)出低強度，導致承載能力不足。在這里，我們設計并制作了一個疊層 SiC-SiOx 納米線氣凝膠表現(xiàn)出可逆的壓縮性、可恢復的翹曲變形、延展性拉伸變形，同時具有比其他陶瓷氣凝膠高一個數(shù)量級的**度。氣凝膠還表現(xiàn)出良好的熱穩(wěn)定性，從液氮中的-196°C到丁烷噴燈中的1200°C以上，并且具有良好的隔熱性能，熱導率為39.3 ± 0.4 mW m?1 K?1 。這些綜合性能使氣凝膠成為機械強度高且高效的柔性隔熱材料頗具前景的候選材料。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您于9月10-12日，在深圳會展中心（福田）參展觀展！

碳化硅（SiC）作為第三代半導體的**材料，憑借其高擊穿場強、高導熱性和高耐溫性，在新能源汽車、光伏儲能、5G通信等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。2024年，國內SiC襯底和外延市場經歷了價格劇烈波動與產能大幅擴張，尤其是6英寸SiC襯底價格已逼近成本線，而8英寸技術的突破也在加速推進。市場競爭日益激烈，價格下跌的主要驅動力來自下游市場需求的快速增長，同時國產供應商的競爭加劇也加速了價格下降。展望2025年，SiC市場將迎來行業(yè)洗牌，技術實力、資金儲備以及產業(yè)鏈協(xié)同能力將決定企業(yè)的生存空間。隨著價格趨于穩(wěn)定，行業(yè)將進入高質量發(fā)展階段，形成更成熟的競爭格局。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展！先進陶瓷材料如何助力航空航天及新能源等領域？2025華南國際先進陶瓷展，9月深圳福田，等您來一碳究竟！

隨著半導體技術的不斷發(fā)展，先進封裝作為后摩爾時代全球集成電路的重要發(fā)展趨勢，正日益受到***關注。受益于AI、服務器、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等下游強勁需求，半導體封裝朝著多功能、小型化、便攜式的方向發(fā)展，先進封裝市場有望加速滲透。據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，全球先進封裝市場規(guī)模預計將從2023年的378億美元增長至2029年的695億美元，復合年增長率達到10.7%。傳統(tǒng)封裝首先將晶圓切割成芯片，然后對芯片進行封裝；而晶圓級封裝則是先在晶圓上進行部分或全部封裝，之后再將其切割成單件。晶圓級封裝方法能夠進一步細分為以下四種不同類型：其一，晶圓級芯片封裝（WLCSP），能夠直接在晶圓的頂部形成導線和錫球（SolderBalls），且無需基板。其二，重新分配層（RDL），運用晶圓級工藝對芯片上的焊盤位置進行重新排列，焊盤與外部通過電氣連接的方式相連接。其三，倒片（FlipChip）封裝，在晶圓上形成焊接凸點，以此來完成封裝工藝。其四，硅通孔（TSV）封裝，借助硅通孔技術，在堆疊芯片的內部實現(xiàn)內部連接。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展！堅固而柔韌的陶瓷氣凝膠!就在9月10-12日，華南國際先進陶瓷展！2024年上海國際先進陶瓷技術發(fā)展論壇

真空技術：打造完美先進陶瓷的“竅門”，想更好的掌握真空技術，就來9月華南國際先進陶瓷展！9月10日中國國際先進陶瓷產業(yè)博覽會

在現(xiàn)代工業(yè)中，陶瓷材料因其獨特的物理化學性質扮演著重要角色。鋁基陶瓷中的氮化鋁（AlN）和氧化鋁（Al?O?）是兩類備受關注的材料，但兩者的市場地位卻截然不同：氧化鋁占據(jù)主流，而氮化鋁的普及率不足30%。為何性能更優(yōu)的氮化鋁未能取代氧化鋁？本文將深入探討其背后的科學邏輯與產業(yè)現(xiàn)實。氮化鋁的熱導率（170-200 W/(m·K)）是氧化鋁（20-30 W/(m·K)）的7-10倍。氮化鋁的介電常數(shù)（8.8）低于氧化鋁（9.8），且在高溫（>500℃）或高濕環(huán)境下，其絕緣電阻穩(wěn)定性更優(yōu)。氮化鋁對熔融金屬（如鋁、銅）的耐腐蝕性遠強于氧化鋁，且在強輻射環(huán)境下（如核工業(yè)），其晶體結構更不易被破壞。氮化鋁的產業(yè)化之路，始于一場與物理極限的較量。其合成工藝需在1800℃以上的高溫氮氣環(huán)境中完成，鋁粉純度必須高于99.99%，任何細微的氧雜質（超過0.1%）都會引發(fā)AlON雜相的生成，如同在純凈的晶體中埋下“導熱**”，使熱導率驟降30%以上。氧化鋁的制備，則是一曲工業(yè)化的成熟樂章。其原料成本低廉，工藝窗口寬泛，1500℃以下的常規(guī)燒結即可獲得致密陶瓷，生產成本*為氮化鋁的1/3至1/2。這種“碾壓級”的成本優(yōu)勢，讓氧化鋁在工業(yè)化賽道上**。  2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展！9月10日中國國際先進陶瓷產業(yè)博覽會