5光控晶閘管是通過光信號控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件,它具有很強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時過電壓承受能力,因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A。6逆變晶閘管因具有較短的關(guān)斷時間(10~15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中,它已讓位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前,其比較大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi)。7非對稱晶閘管是一種正、反向電壓耐量不對稱的晶閘管。而逆導(dǎo)晶閘管不過是非對稱晶閘管的一種特例,是將晶閘管反并聯(lián)一個二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。與普通晶閘管相比,它具有關(guān)斷時間短、正向壓降小、額定結(jié)溫高、高溫特性好等優(yōu)點,主要用于逆變器和整流器中。目前,國內(nèi)有廠家生產(chǎn)3000V/900A的非對稱晶閘管。正高電氣為消費者帶來更***的生活空間。陜西大功率晶閘管模塊
500Vdc)比較大容抗10pf使用溫度范圍-30℃~+75℃電網(wǎng)頻率47-63Hz㈥不同電流等級的固體繼電器的外形㈦LSR的輸入驅(qū)動電路在邏輯電路驅(qū)動時應(yīng)盡可能采用低電平輸出進(jìn)行驅(qū)動,以保證有足夠的帶負(fù)載能力和盡可能低的零電平。下圖為正確的灌電流驅(qū)動的電路圖(一般適合于D3、D2型):D1型(4-8Vdc)通常與單相或三相LSR移相觸發(fā)器配合使用。A3型(90-430Vac)為交流控制交流型,在90-430Vac極寬的范圍內(nèi)均能可靠觸發(fā)繼電器導(dǎo)通,且輸入與輸出沒有相位要求:㈧LSR過壓的保護(hù):除LSR內(nèi)部本身有RC吸收回路保護(hù)外,還可以采取并聯(lián)金屬氧化物壓敏電阻(MOV),MOV面積大小決定吸收功率,MOV的厚度決定保護(hù)電壓值。一般220V系列LSR可選取500V-600V的壓敏電阻,380V系列SSR可選取800V-900V的壓敏電阻,480V系列SSR可選取1000V-1100V的壓敏電阻。㈨LSR的功率擴(kuò)展:本公司生產(chǎn)的2A、8A無RC吸收回路的LSR可用于任何大電流等級的可控硅觸發(fā),功率擴(kuò)展后仍具有過零特性或隨機(jī)特性。功率擴(kuò)展LSR的型號為:LSR-3P02E(D3/D2/D1/A3),LSR-3P08E(D3/D2/D1/A3)。鋼鐵廠三相整流調(diào)壓模塊組件正高電氣全力打造良好的企業(yè)形象。
下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實施方式的平面示意圖。具體實施方式下面結(jié)合附圖所示的各實施方式對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明,但應(yīng)當(dāng)說明的是,這些實施方式并非對本發(fā)明的限制,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代,均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示,本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括:外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中,任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接,并在晶閘管單元的控制下對所在電路進(jìn)行投切控制。所述晶閘管單元包括:壓塊7、門極壓接式組件8、導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11。其中,所述壓塊7設(shè)置于所述門極壓接式組件8上,并通過所述門極壓接式組件8對所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11施加壓合作用力,所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上。為了實現(xiàn)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11與銅底板3的固定連接。
另外在化工、煤礦、鋼鐵和等一些要求特殊的裝置和惡劣的工作環(huán)境中,以及要求工作高可靠的場合中,LSR都比傳統(tǒng)的繼電器有無可比擬的優(yōu)越**流固態(tài)繼電器工作原理:LSR實際是一個受控的電力電子開關(guān),其等效電路如圖1。圖2普通型交流LSR內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖一般情況下,萬用表不能判別LSR的好壞,正確的方法采用圖3的測試電路:當(dāng)輸入電流為零時,電壓表測出的電壓為電網(wǎng)電壓,電燈不亮(燈泡功率須25W以上);當(dāng)輸入電流達(dá)到一定值以后,電燈亮,電壓表測出的電壓為LSR導(dǎo)通壓降(在2V以下)。因LSR內(nèi)部有RC回路而帶來漏電流,因此不能等同于普通觸點式的繼電器、接觸器,不能作隔離開關(guān)用。圖3LSR測試電路㈡LSR特點交流固態(tài)繼電器與通常的電磁繼電器不同:無觸點、輸入電路與輸出電路之間光(電)隔離、由分立元件.半導(dǎo)體微電子電路芯片和電力電子器件組裝而成,以阻燃型環(huán)氧樹脂為原料,采用灌封技術(shù)持其封閉在外殼中、使與外界隔離,具有良好的耐壓、防腐、防潮抗震動性能。主要不足是存在通態(tài)壓降(需相應(yīng)散熱措施),有斷態(tài)漏電流,觸點組數(shù)少,另外過電流、過電壓及電壓上升率、電流上升率等指標(biāo)差。㈢LSR的分類交流固體繼電器按開關(guān)方式分有電壓過零導(dǎo)通型。正高電氣為企業(yè)打造高水準(zhǔn)、高質(zhì)量的產(chǎn)品。
晶閘管模塊的工作原理
在晶閘管模塊T的工作過程中,晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載相連,構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連,形成晶閘管模塊的控制電路。
從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程:
晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。
當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽極電壓時,為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅,承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個晶體管的集電極電流同時是另一個晶體管的基極電流。因此,當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時,兩個復(fù)合晶體管電路會形成較強(qiáng)的正反饋,從而導(dǎo)致兩個晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。 正高電氣以質(zhì)量為生命”保障產(chǎn)品品質(zhì)。陜西大功率晶閘管模塊
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VDRM)的計算:由公式:Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM;VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT(AV)的計算:由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式:Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT(AV)=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍,但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項:l電力半導(dǎo)體模塊屬于溫度敏感性器件,使用時必須安裝于散熱器上。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后,在模塊底板上均勻涂上(采用滾柱來回滾動涂抹)導(dǎo)熱硅脂,導(dǎo)熱硅脂剛好能夠覆蓋整個底板和散熱器。安裝之后可從散熱器上取下模塊,檢查模塊底板整個區(qū)域是否完全沾潤。l手冊中額定電流[IT(AV)、IF(AV)]是在規(guī)定散熱器、強(qiáng)通風(fēng)冷(風(fēng)速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負(fù)載下得出的。若使用條件發(fā)生變化(如感性負(fù)載)額定電流就會下降。l散熱器與模塊接觸面應(yīng)平整,散熱器的平面度≤(1),確保良好的熱傳導(dǎo),電極與銅排連接時。陜西大功率晶閘管模塊
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