上海真空鍍膜廠

LPCVD技術(shù)是一種在低壓下進(jìn)行化學(xué)氣相沉積的技術(shù)，它有以下幾個優(yōu)點(diǎn)高質(zhì)量：LPCVD技術(shù)可以在低壓下進(jìn)行高溫沉積，使得氣相前驅(qū)體與襯底表面發(fā)生充分且均勻的化學(xué)反應(yīng)，形成高純度、低缺陷密度、低氫含量、低應(yīng)力等特點(diǎn)的薄膜材料。高均勻性：LPCVD技術(shù)可以在低壓下進(jìn)行大面積沉積，使得氣相前驅(qū)體在襯底表面上有較長的停留時間和較大的擴(kuò)散距離，形成高均勻性和高一致性的薄膜材料。高精度：LPCVD技術(shù)可以通過調(diào)節(jié)壓力、溫度、氣體流量和時間等參數(shù)來控制沉積速率和厚度，形成高精度和可重復(fù)性的薄膜材料。高效率：LPCVD技術(shù)可以采用批量裝載和連續(xù)送氣的方式來進(jìn)行沉積。鍍膜過程需在高度真空環(huán)境中進(jìn)行。上海真空鍍膜廠

對于PECVD如果成膜質(zhì)量差，則主要由一下幾項因素造成：1.樣片表面清潔度差，檢查樣品表面是否清潔。2.工藝腔體清潔度差，清洗工藝腔體。3.樣品溫度異常，檢查溫控系統(tǒng)是否正常，校準(zhǔn)測溫?zé)犭娕肌?.膜淀積過程中壓力異常，檢查腔體真空系統(tǒng)漏率。5.射頻功率設(shè)置不合理，檢查射頻電源，調(diào)整設(shè)置功率。影響PECVD工藝質(zhì)量的因素主要有以下幾個方面：1.起輝電壓：間距的選擇應(yīng)使起輝電壓盡量低，以降低等離子電位，減少對襯底的損傷。2.極板間距和腔體氣壓：極板間距較大時，對襯底的損傷較小，但間距不宜過大，否則會加重電場的邊緣效應(yīng)，影響淀積的均勻性。反應(yīng)腔體的尺寸可以增加生產(chǎn)率，但是也會對厚度的均勻性產(chǎn)生影響。3.射頻電源的工作頻率，射頻PECVD通常采用50kHz~13.56MHz頻段射頻電源，頻率高，等離子體中離子的轟擊作用強(qiáng)，淀積的薄膜更加致密，但對襯底的損傷也比較大。江西真空鍍膜廠家薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長過程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性(雜質(zhì)、空位、晶粒邊界、錯位等)、表面能態(tài)的存在等。

電子束蒸發(fā)蒸鍍?nèi)珂u(W）、鉬（Mo）等高熔點(diǎn)材料，需要在坩堝的結(jié)構(gòu)上做一定的改進(jìn)。高熔點(diǎn)的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當(dāng)中，因為水冷坩堝導(dǎo)熱過快，材料難以達(dá)到其蒸發(fā)的溫度。經(jīng)過實驗的驗證，蒸發(fā)高熔點(diǎn)的材料可以用薄片來蒸鍍，將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，薄片只能通過坩堝邊沿來導(dǎo)熱，散熱速率慢，有利于達(dá)到蒸發(fā)的熔點(diǎn)。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。PVD(氣相沉積)鍍膜技術(shù)主要分為三類，真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜。對應(yīng)于PVD技術(shù)的三個分類，相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備也就有真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)、真空濺射鍍膜機(jī)和真空離子鍍膜機(jī)這三種。近十多年來，真空離子鍍膜技術(shù)的發(fā)展是快的，它已經(jīng)成為當(dāng)今先進(jìn)的表面處理方式之一。我們通常所說的PVD鍍膜，指的就是真空離子鍍膜；通常所說的PVD鍍膜機(jī)，指的也就是真空離子鍍膜機(jī)。

蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子撞擊后沉積在固體表面稱為離子鍍。蒸發(fā)源接陽極，工件接陰極，當(dāng)通以三至五千伏高壓直流電以后，蒸發(fā)源與工件之間產(chǎn)生輝光放電。由于真空罩內(nèi)充有惰性氬氣，在放電電場作用下部分氬氣被電離，從而在陰極工件周圍形成一等離子暗區(qū)。帶正電荷的氬離子受陰極負(fù)高壓的吸引，猛烈地轟擊工件表面，致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出，從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后，接通蒸發(fā)源交流電源，蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā)，進(jìn)入輝光放電區(qū)并被電離。帶正電荷的蒸發(fā)料離子，在陰極吸引下，隨同氬離子一同沖向工件，當(dāng)拋鍍于工件表面上的蒸發(fā)料離子超過濺失離子的數(shù)量時，則逐漸堆積形成一層牢固粘附于工件表面的鍍層。真空鍍膜在航空航天領(lǐng)域有重要應(yīng)用。

LPCVD設(shè)備可以沉積多種類型的薄膜材料，如多晶硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅等。設(shè)備通常由以下幾個部分組成：真空系統(tǒng)、氣體輸送系統(tǒng)、反應(yīng)室、加熱系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)、流量控制系統(tǒng)等。LPCVD設(shè)備的缺點(diǎn)主要有以下幾點(diǎn)：（1）由于高溫條件下襯底材料會發(fā)生熱膨脹和熱應(yīng)力，使得襯底材料可能出現(xiàn)變形、開裂、彎曲等問題；（2）由于高溫條件下襯底材料會發(fā)生熱擴(kuò)散和熱反應(yīng)，使得襯底材料可能出現(xiàn)雜質(zhì)摻雜、界面反應(yīng)、相變等問題；（3）由于高溫條件下氣體前驅(qū)體會發(fā)生熱分解和熱聚合，使得氣體前驅(qū)體可能出現(xiàn)不穩(wěn)定性、副反應(yīng)、沉積速率降低等問題；（4）LPCVD設(shè)備需要較大的真空泵和加熱功率，使得設(shè)備成本和運(yùn)行成本較高真空鍍膜過程中需確保鍍膜均勻性。湖南等離子體增強(qiáng)氣相沉積真空鍍膜

鍍膜技術(shù)可用于提升產(chǎn)品的抗老化性能。上海真空鍍膜廠

柵極氧化介電層除了純二氧化硅薄膜，也會用到氮氧化硅作為介質(zhì)層，之所以用氮氧化硅來作為柵極氧化介電層，一方面是因為跟二氧化硅比，氮氧化硅具有較高的介電常數(shù)，在相同的等效二氧化硅厚度下，其柵極漏電流會降低；另一方面，氮氧化硅中的氮對PMOS多晶硅中硼元素有較好的阻擋作用，它可以防止離子注入和隨后的熱處理過程中，硼元素穿過柵極氧化層到溝道，引起溝道摻雜濃度的變化，從而影響閾值電壓的控制。作為柵極氧化介電層的氮氧化硅必須要有比較好的薄膜特性及工藝可控性，所以一般的工藝是先形成一層致密的、很薄的、高質(zhì)量的二氧化硅層，然后通過對二氧化硅的氮化來實現(xiàn)的。上海真空鍍膜廠