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針對碳化硅(SiC)功率模塊的柵極刻蝕難題,Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)實(shí)現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制,較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設(shè)備,將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%,開關(guān)損耗減少 20%,推動(dòng)車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗(yàn)證新型柵極結(jié)構(gòu),使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周,助力我國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。微流體3D成型:復(fù)雜流道快速曝光,助力tumor篩查芯片與藥物遞送系統(tǒng)研發(fā)。陜西德國PSP-POLOS光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸
在微流體研究領(lǐng)域,德國 Polos 光刻機(jī)系列憑借獨(dú)特優(yōu)勢脫穎而出。其無掩模激光光刻技術(shù),打破傳統(tǒng)光刻的局限,無需掩模就能實(shí)現(xiàn)高精度圖案制作。這使得科研人員在構(gòu)建微通道網(wǎng)絡(luò)時(shí),可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求自由設(shè)計(jì),快速完成從圖紙到實(shí)體的轉(zhuǎn)化。?以藥物傳輸研究為例,利用 Polos 光刻機(jī),能制造出尺寸precise、結(jié)構(gòu)復(fù)雜的微通道,模擬人體環(huán)境,讓藥物在微小空間內(nèi)可控流動(dòng),much提升藥物傳輸效率研究的準(zhǔn)確性。同時(shí),在細(xì)胞培養(yǎng)實(shí)驗(yàn)中,該光刻機(jī)制作的微流體芯片,為細(xì)胞提供穩(wěn)定且適宜的生長環(huán)境,助力細(xì)胞生物學(xué)研究取得新突破。小空間大作為的 Polos 光刻機(jī),正推動(dòng)微流體研究不斷向前。江蘇光刻機(jī)分辨率1.5微米實(shí)時(shí)觀測系統(tǒng):120 FPS高清攝像頭搭配20x尼康物鏡,實(shí)現(xiàn)加工過程動(dòng)態(tài)監(jiān)控。
針對植入式醫(yī)療設(shè)備的長期安全性問題,某生物電子實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)在聚乳酸()基底上制備可降解電極。其無掩模技術(shù)避免了傳統(tǒng)掩模污染,使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2,生物相容性測試顯示細(xì)胞存活率達(dá) 99%。通過自定義螺旋狀天線圖案,開發(fā)出的可降解心率監(jiān)測器,在體內(nèi)降解周期可控制在 3-12 個(gè)月,信號傳輸穩(wěn)定性較同類產(chǎn)品提升 50%,相關(guān)技術(shù)已進(jìn)入臨床前生物相容性評價(jià)階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。
在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時(shí),Polos 光刻機(jī)的亞微米級定位精度(±50nm)確保了圖案的均勻復(fù)制。某光電實(shí)驗(yàn)室使用該設(shè)備,在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列,模板的圖案保真度達(dá) 99.8%,邊緣缺陷率低于 0.1%?;诖四0迳a(chǎn)的柔性 OLED 背光模組,亮度均勻性提升至 98%,厚度減至 50μm,成功應(yīng)用于下一代折疊屏手機(jī),相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。生物界面創(chuàng)新:微納結(jié)構(gòu)可控加工,為組織工程提供新型仿生材料解決方案。
超表面通過納米結(jié)構(gòu)調(diào)控光場,傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)在石英基底上實(shí)現(xiàn)了亞波長量級的圖案曝光,將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學(xué)實(shí)驗(yàn)室利用該設(shè)備,研制出寬帶消色差超表面透鏡,在 400-1000nm 波長范圍內(nèi)成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實(shí)時(shí)優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù),使器件研發(fā)周期從數(shù)周縮短至 24 小時(shí),推動(dòng)超表面技術(shù)從理論走向集成光學(xué)應(yīng)用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。成本效益:單次曝光成本低于傳統(tǒng)光刻 1/3,小批量研發(fā)更經(jīng)濟(jì)。陜西德國PSP-POLOS光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸
德國技術(shù)基因:融合精密光學(xué)與自動(dòng)化控制,確保設(shè)備高穩(wěn)定性與長壽命。陜西德國PSP-POLOS光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸
無掩模激光光刻技術(shù)為研究實(shí)驗(yàn)室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具,可用于創(chuàng)建亞微米級特征,并促進(jìn)電路和器件的快速原型設(shè)計(jì)。經(jīng)濟(jì)高效的桌面配置使研究人員和行業(yè)從業(yè)者無需復(fù)雜的基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備即可使用光刻技術(shù)。應(yīng)用范圍擴(kuò)展至微機(jī)電系統(tǒng) (MEM)、生物醫(yī)學(xué)設(shè)備和微電子器件的設(shè)計(jì)和制造,例如以下領(lǐng)域:醫(yī)療(包括微流體)、半導(dǎo)體、電子、生物技術(shù)和生命科學(xué)、先進(jìn)材料研究。全球無掩模光刻系統(tǒng)市場規(guī)模預(yù)計(jì)在 2022 年達(dá)到 3.3606 億美元,預(yù)計(jì)到 2028 年將增長至 5.0143 億美元,復(fù)合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯(lián)網(wǎng)以及半導(dǎo)體電路性能和能耗優(yōu)化的需求不斷增長,預(yù)計(jì)未來幾十年光刻市場將持續(xù)增長。陜西德國PSP-POLOS光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸