湖北POLOSBEAM光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

上海有機(jī)化學(xué)研究所通過光刻技術(shù)制備多組分納米纖維，實(shí)現(xiàn)了功能材料的精確組裝。類似地，Polos系列設(shè)備可支持此類結(jié)構(gòu)的可控加工，為新能源器件（如柔性電池）和智能材料提供技術(shù)基礎(chǔ)3。設(shè)備的高重復(fù)性（0.1 μm）確保了科研成果的可轉(zhuǎn)化性。掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導(dǎo)入，微流控芯片制備周期縮短 40%。湖北POLOSBEAM光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

一所高校的電子工程實(shí)驗(yàn)室專注于新型傳感器的研究。在開發(fā)一款超靈敏壓力傳感器時(shí)，面臨著如何在微小尺寸上構(gòu)建高精度電路圖案的難題。德國 Polos 光刻機(jī)的引入解決了這一困境。其可輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光的特性，讓研究人員能夠根據(jù)傳感器的特殊需求，設(shè)計(jì)并制作出獨(dú)特的電路結(jié)構(gòu)。通過 Polos 光刻機(jī)precise的光刻，成功制造出的壓力傳感器，靈敏度比現(xiàn)有市場產(chǎn)品提高了兩倍以上。該成果已獲得多項(xiàng)patent，并吸引了多家科技企業(yè)的關(guān)注，有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，為可穿戴設(shè)備、智能機(jī)器人等領(lǐng)域帶來新的發(fā)展機(jī)遇。天津光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米未來技術(shù)儲(chǔ)備：持續(xù)研發(fā)光束整形與多材料兼容工藝，lead微納制造前沿。

針對植入式醫(yī)療設(shè)備的長期安全性問題，某生物電子實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)在聚乳酸（）基底上制備可降解電極。其無掩模技術(shù)避免了傳統(tǒng)掩模污染，使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2，生物相容性測試顯示細(xì)胞存活率達(dá) 99%。通過自定義螺旋狀天線圖案，開發(fā)出的可降解心率監(jiān)測器，在體內(nèi)降解周期可控制在 3-12 個(gè)月，信號傳輸穩(wěn)定性較同類產(chǎn)品提升 50%，相關(guān)技術(shù)已進(jìn)入臨床前生物相容性評價(jià)階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

Polos光刻機(jī)與德國Lab14集團(tuán)、弗勞恩霍夫研究所等機(jī)構(gòu)合作，推動(dòng)光子集成與半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展。例如，Quantum X align系統(tǒng)的高對準(zhǔn)精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案，彰顯德國精密制造與全球產(chǎn)業(yè)鏈整合的優(yōu)勢。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。無掩模技術(shù)優(yōu)勢：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案實(shí)時(shí)調(diào)整，研發(fā)成本降低 70%，小批量生產(chǎn)經(jīng)濟(jì)性突出。

Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計(jì)，寫入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm，平臺雙向重復(fù)性精度0.1 μm，滿足工業(yè)級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實(shí)時(shí)觀測與多層對準(zhǔn)。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)流程，內(nèi)置高性能筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理，成為微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。6英寸晶圓兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工，工業(yè)級重復(fù)精度0.1 μm。四川光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模

POLOS μ 光刻機(jī)：微型化機(jī)身，納米級曝光精度，微流體芯片制備周期縮短 40%。湖北POLOSBEAM光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

德國 Polos 光刻機(jī)系列以其緊湊的設(shè)計(jì)，在有限的空間內(nèi)發(fā)揮著巨大作用。對于研究實(shí)驗(yàn)室，尤其是空間資源緊張的高校和初創(chuàng)科研機(jī)構(gòu)來說，設(shè)備的空間占用是重要考量因素。Polos 光刻機(jī)占用空間小的特點(diǎn)，使其能夠輕松融入各類實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。? 盡管體積小巧，但它的性能卻毫不遜色。無掩模激光光刻技術(shù)保障了高精度的圖案制作，低成本的優(yōu)勢降低了科研投入門檻。在小型實(shí)驗(yàn)室中，科研人員使用 Polos 光刻機(jī)，在微流體、電子學(xué)等領(lǐng)域開展研究，成功取得多項(xiàng)成果。從微納結(jié)構(gòu)制造到新型器件研發(fā)，Polos 光刻機(jī)證明了小空間也能蘊(yùn)藏大能量，為科研創(chuàng)新提供有力支持。湖北POLOSBEAM光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸