重慶光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

某生物力學(xué)實驗室通過 Polos 光刻機，在單一芯片上集成了壓阻式和電容式細胞力傳感器。其多材料曝光技術(shù)在 20μm 的懸臂梁上同時制備金屬電極與硅基壓阻元件，傳感器的力分辨率達 5pN，位移檢測精度達 1nm。在心肌細胞收縮力檢測中，該集成傳感器實現(xiàn)了力 - 電信號的同步采集，發(fā)現(xiàn)收縮力峰值與動作電位時程的相關(guān)性達 0.92，為心臟電機械耦合機制研究提供了全新工具，相關(guān)論文發(fā)表于《Biophysical Journal》。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。無掩模技術(shù)優(yōu)勢：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案實時調(diào)整，研發(fā)成本降低 70%，小批量生產(chǎn)經(jīng)濟性突出。重慶光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機開發(fā)了基于阻變存儲器（RRAM）的存算一體架構(gòu)。其激光直寫技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO?介質(zhì)層上實現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導(dǎo)均勻性提升至 95%，計算能效比達 10TOPS/W，較傳統(tǒng) GPU 提升兩個數(shù)量級?；谠摷夹g(shù)的邊緣 AI 芯片，在圖像識別任務(wù)中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應(yīng)用于智能攝像頭和無人機避障系統(tǒng)，相關(guān)芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。重慶光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米雙光子聚合擴展：結(jié)合Nanoscribe技術(shù)實現(xiàn)3D微納打印，拓展微型機器人制造。

Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計，寫入?yún)^(qū)域達155×155 mm，平臺雙向重復(fù)性精度0.1 μm，滿足工業(yè)級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實時觀測與多層對準。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復(fù)雜圖案設(shè)計流程，內(nèi)置高性能筆記本電腦實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理，成為微機電系統(tǒng)（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。

一所高校的電子工程實驗室專注于新型傳感器的研究。在開發(fā)一款超靈敏壓力傳感器時，面臨著如何在微小尺寸上構(gòu)建高精度電路圖案的難題。德國 Polos 光刻機的引入解決了這一困境。其可輕松輸入任意圖案進行曝光的特性，讓研究人員能夠根據(jù)傳感器的特殊需求，設(shè)計并制作出獨特的電路結(jié)構(gòu)。通過 Polos 光刻機precise的光刻，成功制造出的壓力傳感器，靈敏度比現(xiàn)有市場產(chǎn)品提高了兩倍以上。該成果已獲得多項patent，并吸引了多家科技企業(yè)的關(guān)注，有望實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，為可穿戴設(shè)備、智能機器人等領(lǐng)域帶來新的發(fā)展機遇。高頻元件驗證：成功開發(fā)射頻器件與IDC電容器，加速國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破。

某分析化學(xué)實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)了集成電化學(xué)傳感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技術(shù)在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極，傳感器的檢測限達 1nM，較傳統(tǒng)電化學(xué)工作站提升 100 倍。通過軟件輸入不同圖案，可在 24 小時內(nèi)完成從葡萄糖檢測到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時檢測（POCT）設(shè)備，使現(xiàn)場水質(zhì)監(jiān)測時間從 2 小時縮短至 10 分鐘，相關(guān)設(shè)備已通過歐盟 CE 認證。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。多材料兼容性：同步加工陶瓷 / PDMS / 金屬，微流控芯片集成電極與通道一步成型。重慶光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

無掩模技術(shù)優(yōu)勢：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案設(shè)計實時調(diào)整，研發(fā)成本直降 70%。重慶光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

在航空航天科研中，某科研團隊致力于研發(fā)用于環(huán)境監(jiān)測和偵察的微型飛行器。其中，制造輕量化且高性能的微機械部件是關(guān)鍵。德國 Polos 光刻機憑借無掩模激光光刻技術(shù)，助力團隊制造出尺寸precise、質(zhì)量輕盈的微型齒輪、機翼骨架等微機械結(jié)構(gòu)。例如，利用該光刻機制造的微型齒輪，齒距精度達到納米級別，極大提高了飛行器動力傳輸系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。基于此，科研團隊成功試飛了一款新型微型飛行器，其續(xù)航時間和飛行靈活性遠超同類產(chǎn)品，為未來微型飛行器在復(fù)雜環(huán)境下的應(yīng)用奠定了堅實基礎(chǔ)。重慶光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米