孝感哪里的PCB設(shè)計(jì)批發(fā)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-03-03

通過規(guī)范PCBLayout服務(wù)操作要求,提升PCBLayout服務(wù)質(zhì)量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務(wù)。文件維護(hù)部門設(shè)計(jì)部。定義與縮略語(1)PCBLayout:利用EDA軟件將邏輯原理圖設(shè)計(jì)為印制電路板圖的全過程。(2)PCB:印刷電路板。(3)理圖:一般由原理圖設(shè)計(jì)工具繪制,表達(dá)硬件電路中各種器件之間的連接關(guān)系的圖。(4)網(wǎng)表:一般由原理圖設(shè)計(jì)工具自動(dòng)生成的,表達(dá)元器件電氣連接關(guān)系的文本文件,一般包含元器件封裝,網(wǎng)絡(luò)列表和屬性定義等部分。(5)布局:PCB設(shè)計(jì)過程中,按照設(shè)計(jì)要求、結(jié)構(gòu)圖和原理圖,把元器件放置到板上的過程。(6)布線:PCB設(shè)計(jì)過程中,按照設(shè)計(jì)要求對(duì)信號(hào)進(jìn)行走線和銅皮處理的過程。DDR與SDRAM信號(hào)的不同之處在哪?孝感哪里的PCB設(shè)計(jì)批發(fā)

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Gerber輸出Gerber輸出前重新導(dǎo)入網(wǎng)表,保證終原理圖與PCB網(wǎng)表一致,確保Gerber輸出前“替代”封裝已更新,根據(jù)《PCBLayout檢查表》進(jìn)行自檢后,進(jìn)行Gerber輸出。PCBLayout在輸出Gerber階段的所有設(shè)置、操作、檢查子流程步驟如下:Gerber參數(shù)設(shè)置→生成Gerber文件→IPC網(wǎng)表自檢。(1)光繪格式RS274X,原點(diǎn)位置設(shè)置合理,光繪單位設(shè)置為英制,精度5:5(AD精度2:5)。(2)光繪各層種類齊全、每層內(nèi)容選擇正確,鉆孔表放置合理。(3)層名命名正確,前綴統(tǒng)一為布線層ART,電源層PWR,地層GND,與《PCB加工工藝要求說明書》保持一致。(4)檢查Drill層:(5)孔符層左上角添加CAD編號(hào),每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。(5)孔符層左上角添加CAD編號(hào),每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。(5)孔符層左上角添加CAD編號(hào),每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。(5)孔符層左上角添加CAD編號(hào),每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。(5)孔符層左上角添加CAD編號(hào),每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。荊門設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)廠家如何梳理PCB設(shè)計(jì)布局模塊框圖?

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電源模塊擺放電源模塊要遠(yuǎn)離易受干擾的電路,如ADC、DAC、RF、時(shí)鐘等電路模塊,發(fā)熱量大的電源模塊,需要拉大與其它電路的距離,與其他模塊的器件保持3mm以上的距離。不同模塊的用法電源,靠近模塊擺放,負(fù)載為整板電源供電的模塊優(yōu)先擺放在總電源輸入端。其它器件擺放(1)JTAG接口及外部接口芯片靠近板邊擺放,便于插拔,客戶有指定位置除外。(2)驅(qū)動(dòng)電路靠近接口擺放。(3)測(cè)溫電路靠近發(fā)熱量大的電源模塊或功耗比較高的芯片擺放,擺放時(shí)確定正反面。(4)光耦、繼電器、隔離變壓器、共模電感等隔離器件的輸入輸出模塊分開擺放,隔離間距40Mil以上。(5)熱敏感元件(電解電容、晶振)遠(yuǎn)離大功率的功能模塊、散熱器,風(fēng)道末端,器件絲印邊沿距離>400Mil。

DDR2模塊相對(duì)于DDR內(nèi)存技術(shù)(有時(shí)稱為DDRI),DDRII內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取。兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取,這就意味著,DDRII擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力,因此,DDRII則簡(jiǎn)單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力;DDR采用了支持2.5V電壓的SSTL-2電平標(biāo)準(zhǔn),而DDRII采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標(biāo)準(zhǔn);DDR采用的是TSOP封裝,而DDRII采用的是FBGA封裝,相對(duì)于DDR,DDRII不僅獲得的更高的速度和更高的帶寬,而且在低功耗、低發(fā)熱量及電器穩(wěn)定性方面有著更好的表現(xiàn)。DDRII內(nèi)存技術(shù)比較大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力,而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下,DDRII可以獲得更快的頻率提升,突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。PCB設(shè)計(jì)中如何評(píng)估平面層數(shù)?

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SDRAM時(shí)鐘源同步和外同步1、源同步:是指時(shí)鐘與數(shù)據(jù)同時(shí)在兩個(gè)芯片之間間傳輸,不需要外部時(shí)鐘源來給SDRAM提供時(shí)鐘,CLK由SDRAM控制芯片(如CPU)輸出,數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)由CLK來觸發(fā)和鎖存,CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)滿足一定的時(shí)序匹配關(guān)系才能保證SDRAM正常工作,即CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)在PCB上滿足一定的傳輸線長度匹配。2、外同步:由外部時(shí)鐘給系統(tǒng)提供參考時(shí)鐘,數(shù)據(jù)從發(fā)送到接收需要兩個(gè)時(shí)鐘,一個(gè)鎖存發(fā)送數(shù)據(jù),一個(gè)鎖存接收數(shù)據(jù),在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)完成,對(duì)于SDRAM及其控制芯片,參考時(shí)鐘CLK1、CLK2由外部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生,此時(shí)CLK1、CLK2到達(dá)SDRAM及其控制芯片的延時(shí)必須滿足數(shù)據(jù)總線、地址總線及控制總線信號(hào)的時(shí)序匹配要求,即CLK1、CLK2必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)在PCB上滿足一定的傳輸線長度匹配。如圖6-1-4-3所示。疊層方案子流程以及規(guī)則設(shè)置。十堰專業(yè)PCB設(shè)計(jì)功能

PCB設(shè)計(jì)工藝上的注意事項(xiàng)是什么?孝感哪里的PCB設(shè)計(jì)批發(fā)

ADC/DAC電路:(4)隔離處理:隔離腔體應(yīng)做開窗處理、方便焊接屏蔽殼,在屏蔽腔體上設(shè)計(jì)兩排開窗過孔屏蔽,過孔應(yīng)相互錯(cuò)開,同排過孔間距為150Mil。,在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計(jì)3mm的金屬化固定孔,保證其固定屏蔽殼,隔離腔體內(nèi)的器件與屏蔽殼的間距>0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的,接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結(jié)構(gòu);而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結(jié)構(gòu),這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開槽處理,開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。(5)布線原則1、首先參考射頻信號(hào)的處理原則。2、嚴(yán)格按照原理圖的順序進(jìn)行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下,模擬信號(hào)采用包地處理,包地要間隔≥200Mil打地過孔4、ADC和DAC電源管腳比較好經(jīng)過電容再到電源管腳,線寬≥20Mil,對(duì)于管腳比較細(xì)的器件,出線寬度與管腳寬度一致。5、模擬信號(hào)優(yōu)先采用器件面直接走線,線寬≥10Mil,對(duì)50歐姆單端線、100歐姆差分信號(hào)要采用隔層參考,在保證阻抗的同時(shí),以降低模擬輸入信號(hào)的衰減損耗,6、不同ADC/DAC器件的采樣時(shí)鐘彼此之間需要做等長處理。7、當(dāng)信號(hào)線必須要跨分割時(shí),跨接點(diǎn)選擇在跨接磁珠(或者0歐姆電阻)處。孝感哪里的PCB設(shè)計(jì)批發(fā)

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