半導(dǎo)體失效分析熱紅外顯微鏡廠家

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-09-01

在半導(dǎo)體IC裸芯片的研發(fā)與檢測(cè)過(guò)程中,熱紅外顯微鏡是一種不可或缺的分析工具。裸芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)高度緊湊、集成度極高,即便出現(xiàn)微小的熱異常,也可能對(duì)性能產(chǎn)生不良影響,甚至引發(fā)失效。因此,建立精確可靠的熱檢測(cè)手段顯得尤為重要。熱紅外顯微鏡能夠以非接觸方式實(shí)現(xiàn)芯片熱分布的成像與分析,直觀展示芯片在運(yùn)行狀態(tài)下的溫度變化。通過(guò)識(shí)別局部熱點(diǎn),工程師可以發(fā)現(xiàn)潛在問(wèn)題,這些問(wèn)題可能來(lái)源于電路設(shè)計(jì)缺陷、局部電流過(guò)大或器件老化等因素,從而在早期階段采取調(diào)整設(shè)計(jì)或改進(jìn)工藝的措施。


半導(dǎo)體芯片內(nèi)部缺陷定位是工藝優(yōu)化與失效分析的關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)。半導(dǎo)體失效分析熱紅外顯微鏡廠家

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Thermal EMMI 在第三代半導(dǎo)體器件檢測(cè)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。第三代半導(dǎo)體以氮化鎵、碳化硅等材料,具有耐高溫、耐高壓、高頻的特性,廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、5G 通信等領(lǐng)域。但這類(lèi)器件在制造和工作過(guò)程中,容易因材料缺陷或工藝問(wèn)題產(chǎn)生漏電和局部過(guò)熱,影響器件可靠性。thermal emmi 憑借其高靈敏度的光信號(hào)和熱信號(hào)檢測(cè)能力,能定位這些缺陷。例如,在檢測(cè)氮化鎵功率器件時(shí),可同時(shí)捕捉漏電產(chǎn)生的微光和局部過(guò)熱信號(hào),幫助工程師分析缺陷產(chǎn)生的原因,優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和制造工藝,提升第三代半導(dǎo)體器件的質(zhì)量??蒲杏脽峒t外顯微鏡品牌熱紅外顯微鏡采用先進(jìn)的探測(cè)器,實(shí)現(xiàn)對(duì)微小熱量變化的快速響應(yīng) 。

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作為國(guó)內(nèi)少數(shù)掌握 Thermal EMMI 技術(shù)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)之一,致晟光電在設(shè)備國(guó)產(chǎn)化和產(chǎn)業(yè)落地方面取得了雙重突破。設(shè)備在光路設(shè)計(jì)、探測(cè)器匹配、樣品平臺(tái)穩(wěn)定性等關(guān)鍵環(huán)節(jié)均采用自主方案,確保整機(jī)性能穩(wěn)定且易于維護(hù)。更重要的是,致晟光電深度參與國(guó)內(nèi)封測(cè)廠、晶圓廠及科研機(jī)構(gòu)的失效分析項(xiàng)目,將 Thermal EMMI 不僅用于研發(fā)驗(yàn)證,還延伸至生產(chǎn)線(xiàn)質(zhì)量監(jiān)控和來(lái)料檢測(cè)。這種從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)線(xiàn)的轉(zhuǎn)變,意味著 Thermal EMMI 不再只是少數(shù)工程師的“顯微鏡”,而是成為支撐國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)質(zhì)量提升的重要裝備。通過(guò)持續(xù)優(yōu)化算法、提升檢測(cè)效率,致晟光電正推動(dòng) Thermal EMMI 技術(shù)在國(guó)內(nèi)形成成熟的應(yīng)用生態(tài),為本土芯片制造保駕護(hù)航。

在電子設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中,當(dāng)某個(gè)元件出現(xiàn)故障或異常時(shí),通常會(huì)伴隨局部溫度升高。熱紅外顯微鏡能夠通過(guò)高靈敏度的紅外探測(cè)器捕捉到這些極其微弱的熱輻射信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)對(duì)故障元件的定位。這些探測(cè)器通常采用量子級(jí)聯(lián)激光器或其他高性能紅外傳感方案,具備寬溫區(qū)適應(yīng)性和高分辨率成像能力。借助這些技術(shù),熱紅外顯微鏡能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備表面的溫度分布轉(zhuǎn)化為高對(duì)比度的熱圖像,直觀呈現(xiàn)熱點(diǎn)區(qū)域的位置、尺寸及溫度變化趨勢(shì)。工程師可以通過(guò)對(duì)這些熱圖像的分析,快速識(shí)別異常發(fā)熱區(qū)域,判斷潛在故障點(diǎn)的性質(zhì)與嚴(yán)重程度,從而為后續(xù)的維修、優(yōu)化設(shè)計(jì)或工藝改進(jìn)提供可靠依據(jù)。得益于非接觸式測(cè)量和高精度成像能力,熱紅外顯微鏡在復(fù)雜集成電路、高性能半導(dǎo)體器件及精密印制電路板等多種電子組件的故障排查中,提升了效率和準(zhǔn)確性,成為現(xiàn)代電子檢測(cè)和失效分析的重要工具。熱紅外顯微鏡借助圖像分析技術(shù),直觀展示電子設(shè)備熱分布狀況 。

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從技術(shù)演進(jìn)來(lái)看,熱紅外顯微鏡thermal emmi正加速向三大方向突破:一是靈敏度持續(xù)躍升,如量子點(diǎn)探測(cè)器的應(yīng)用可大幅增強(qiáng)光子捕捉能力,讓微弱熱信號(hào)的識(shí)別更精確;二是多模態(tài)融合,通過(guò)集成 EMMI 光子探測(cè)、OBIRCH 電阻分析等功能,實(shí)現(xiàn) “熱 - 光 - 電” 多維度協(xié)同檢測(cè);三是智能化升級(jí),部分設(shè)備已內(nèi)置 AI 算法,能自動(dòng)標(biāo)記異常熱點(diǎn)并生成分析報(bào)告。這些進(jìn)步為半導(dǎo)體良率提升、新能源汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)熱管理等場(chǎng)景,提供了更高效、更好的解決方案。 熱紅外顯微鏡助力科研人員研究新型材料的熱穩(wěn)定性與熱性能 ??蒲杏脽峒t外顯微鏡品牌

工程師們常常面對(duì)這樣的困境:一塊價(jià)值百萬(wàn)的芯片突然“停工”,傳統(tǒng)檢測(cè)手段輪番上陣卻找不到故障點(diǎn)。半導(dǎo)體失效分析熱紅外顯微鏡廠家

從傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡到致晟光電熱紅外顯微鏡的技術(shù)進(jìn)化,不只是觀測(cè)精度與靈敏度的提升,更實(shí)現(xiàn)了對(duì)先進(jìn)制程研發(fā)需求的深度適配。它以微觀熱信號(hào)為紐帶,串聯(lián)起芯片設(shè)計(jì)、制造與可靠性評(píng)估全流程。在設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)助力優(yōu)化熱布局,制造階段輔助排查熱相關(guān)缺陷,可靠性評(píng)估時(shí)提供精細(xì)熱數(shù)據(jù)。這種全鏈條支撐,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破先進(jìn)制程的熱壁壘提供了扎實(shí)技術(shù)保障,助力研發(fā)更小巧、運(yùn)算更快、性能更可靠的芯片,推動(dòng)其從實(shí)驗(yàn)室研發(fā)穩(wěn)步邁向量產(chǎn)應(yīng)用。半導(dǎo)體失效分析熱紅外顯微鏡廠家