導(dǎo)通場效應(yīng)管

鐵電場效應(yīng)管（FeFET）是一種新型的場效應(yīng)管，結(jié)合了鐵電材料和 MOSFET 的優(yōu)勢(shì)。嘉興南電在鐵電場效應(yīng)管領(lǐng)域進(jìn)行了深入研究和開發(fā)。鐵電場效應(yīng)管具有非易失性存儲(chǔ)特性，能夠在斷電后保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，同時(shí)具有高速讀寫和低功耗的優(yōu)點(diǎn)。在存儲(chǔ)器應(yīng)用中，鐵電場效應(yīng)管可替代傳統(tǒng)的 Flash 存儲(chǔ)器，提供更高的讀寫速度和更長的使用壽命。在邏輯電路中，鐵電場效應(yīng)管可實(shí)現(xiàn)非易失性邏輯，減少系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)間和功耗。嘉興南電的鐵電場效應(yīng)管產(chǎn)品采用先進(jìn)的鐵電材料和工藝，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的存儲(chǔ)性能和可靠性。公司正在積極推進(jìn)鐵電場效應(yīng)管的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，為下一代電子設(shè)備提供創(chuàng)新解決方案。功率場效應(yīng)管 Idmax=60A，Vds=100V，電動(dòng)車控制器大電流場景穩(wěn)定運(yùn)行。導(dǎo)通場效應(yīng)管

在逆變器應(yīng)用中，選擇合適的場效應(yīng)管至關(guān)重要。嘉興南電的逆變器 MOS 管系列在耐壓、電流容量和開關(guān)速度方面進(jìn)行了優(yōu)化。例如在 400V 耐壓等級(jí)產(chǎn)品中，導(dǎo)通電阻低至 5mΩ，能夠承受大電流沖擊而保持低功耗。公司的 MOS 管還采用了特殊的抗雪崩設(shè)計(jì)，能夠在短路情況下安全關(guān)斷，保護(hù)逆變器系統(tǒng)。在實(shí)際應(yīng)用中，嘉興南電的 MOS 管在光伏逆變器中的效率表現(xiàn)比同類產(chǎn)品高 1.5%，在不間斷電源（UPS）中的可靠性提升了 30%。此外，公司還提供完整的逆變器解決方案，包括驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)、散熱方案優(yōu)化和 EMC 設(shè)計(jì)指導(dǎo)，幫助客戶快速開發(fā)高性能逆變器產(chǎn)品。mos管vgs電壓高功率密度場效應(yīng)管 3D 堆疊封裝，功率密度提升 2 倍，體積小。

增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管是常見的 MOSFET 類型，嘉興南電的增強(qiáng)型 MOSFET 系列具有多種優(yōu)勢(shì)。增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管在柵源電壓為零時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)，只有當(dāng)柵源電壓超過閾值電壓時(shí)才開始導(dǎo)通。這種特性使其在開關(guān)電路中應(yīng)用。嘉興南電的增強(qiáng)型 MOSFET 采用先進(jìn)的 DMOS 工藝，實(shí)現(xiàn)了極低的閾值電壓（通常為 2-4V），降低了驅(qū)動(dòng)難度。在高頻開關(guān)應(yīng)用中，公司的增強(qiáng)型 MOSFET 具有快速的開關(guān)速度和低柵極電荷，減少了開關(guān)損耗。例如在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中，使用嘉興南電的增強(qiáng)型 MOSFET 可使轉(zhuǎn)換效率提高 1-2%。此外，公司的增強(qiáng)型 MOSFET 還具有良好的溫度穩(wěn)定性和抗雪崩能力，確保了在不同工作環(huán)境下的可靠性。

場效應(yīng)管功耗是評(píng)估其性能的重要指標(biāo)之一，嘉興南電的 MOS 管在降低功耗方面具有優(yōu)勢(shì)。場效應(yīng)管的功耗主要包括導(dǎo)通功耗和開關(guān)功耗兩部分。導(dǎo)通功耗與導(dǎo)通電阻和電流的平方成正比，開關(guān)功耗與開關(guān)頻率、柵極電荷和電壓的平方成正比。嘉興南電通過優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)和工藝，降低了 MOS 管的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。例如在低壓大電流 MOS 管中，導(dǎo)通電阻可低至 1mΩ 以下，減少了導(dǎo)通功耗。在高頻開關(guān)應(yīng)用中，柵極電荷的降低使開關(guān)速度加快，減少了開關(guān)損耗。在實(shí)際應(yīng)用中，使用嘉興南電的 MOS 管可使系統(tǒng)總功耗降低 20-30%，提高了能源利用效率，延長了設(shè)備使用壽命。高可靠性場效應(yīng)管 1000 小時(shí)老化測試，工業(yè)級(jí)品質(zhì)保障。

場效應(yīng)管三級(jí)是指場效應(yīng)管的三個(gè)電極：柵極（G）、源極（S）和漏極（D）。對(duì)于 n 溝道 MOS 管，當(dāng)柵極電壓高于源極電壓時(shí)，在柵極下方形成 n 型導(dǎo)電溝道，電子從源極流向漏極，形成漏極電流。對(duì)于 p 溝道 MOS 管，當(dāng)柵極電壓低于源極電壓時(shí)，在柵極下方形成 p 型導(dǎo)電溝道，空穴從源極流向漏極，形成漏極電流。嘉興南電的 MOS 管在電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上進(jìn)行了優(yōu)化，降低了電極電阻和寄生電容，提高了器件的高頻性能。在功率 MOS 管中，源極和漏極通常采用大面積金屬化設(shè)計(jì)，以降低接觸電阻，提高電流承載能力。此外，公司的 MOS 管在柵極結(jié)構(gòu)上采用了多層金屬化工藝，提高了柵極的可靠性和穩(wěn)定性。圖騰柱驅(qū)動(dòng) MOS 管配半橋芯片，開關(guān)損耗降低 30%，效率提升。導(dǎo)通場效應(yīng)管

低漏電場效應(yīng)管漏電流 < 1μA，電池設(shè)備待機(jī)功耗低至微瓦級(jí)。導(dǎo)通場效應(yīng)管

單端甲類場效應(yīng)管前級(jí)以其溫暖、細(xì)膩的音色特質(zhì)受到音頻發(fā)燒友的喜愛。嘉興南電的 MOS 管在這類前級(jí)電路中表現(xiàn)出色。例如使用 2SK389 作為輸入級(jí)，可獲得極低的噪聲和高輸入阻抗，非常適合與高內(nèi)阻的信號(hào)源匹配。在電路設(shè)計(jì)中，采用純甲類放大方式，確保信號(hào)在整個(gè)周期內(nèi)都得到線性放大，避免了交越失真。通過優(yōu)化的電源濾波和退耦電路，減少了電源噪聲對(duì)音質(zhì)的影響。嘉興南電的 MOS 管還具有良好的溫度穩(wěn)定性，在長時(shí)間工作下仍能保持音色的一致性。在實(shí)際聽音測試中，使用嘉興南電 MOS 管的單端甲類前級(jí)表現(xiàn)出豐富的音樂細(xì)節(jié)和自然的音色過渡，為后級(jí)功放提供了高質(zhì)量的音頻信號(hào)。導(dǎo)通場效應(yīng)管