某材料科學(xué)研究中心在探索新型納米復(fù)合材料的性能時(shí),需要在材料表面構(gòu)建特殊的納米圖案。德國(guó) Polos 光刻機(jī)成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的得力工具。研究人員利用其無(wú)掩模激光光刻技術(shù),在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結(jié)構(gòu)。經(jīng)過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn),帶有特定圖案的納米復(fù)合材料,其電學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性能發(fā)生了remarkable改變。例如,一種原本光學(xué)性能普通的納米材料,在經(jīng)過(guò) Polos 光刻機(jī)處理后,對(duì)特定波長(zhǎng)光的吸收率提高了 30%,為開(kāi)發(fā)新型光電器件和光學(xué)傳感器提供了新的材料選擇和設(shè)計(jì)思路 。柔性電子制造:可制備叉指電容器與高頻電路,推動(dòng)5G通信與物聯(lián)網(wǎng)硬件發(fā)展。黑龍江德國(guó)POLOS桌面無(wú)掩模光刻...
Polos光刻機(jī)與弗勞恩霍夫ILT的光束整形技術(shù)結(jié)合,可定制激光輪廓以優(yōu)化能量分布,減少材料蒸發(fā)和飛濺,提升金屬3D打印效率7。這種跨領(lǐng)域技術(shù)融合為工業(yè)級(jí)微納制造(如光學(xué)元件封裝)提供新思路,推動(dòng)智能制造向高精度、低能耗方向發(fā)展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻膠,通過(guò)優(yōu)化曝光參數(shù)(如能量密度與聚焦深度)實(shí)現(xiàn)不同材料的高質(zhì)量加工。例如,使用AZ5214E時(shí),可調(diào)節(jié)光束強(qiáng)度以減少側(cè)壁粗糙度,提升微結(jié)構(gòu)的功能性。這一特性使其在生物相容性器件(如仿生傳感器)中表現(xiàn)outstanding26。無(wú)掩模激光直寫(xiě)技術(shù):無(wú)需物理掩膜,軟件直接輸入任意圖案,降低成本與時(shí)間。PSP光刻機(jī)基材厚度可達(dá)...
Polos-BESM XL Mk2專(zhuān)為6英寸晶圓設(shè)計(jì),寫(xiě)入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm,平臺(tái)雙向重復(fù)性精度0.1 μm,滿足工業(yè)級(jí)需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭,支持實(shí)時(shí)觀測(cè)與多層對(duì)準(zhǔn)。配套的BEAM Xplorer軟件簡(jiǎn)化了復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)流程,內(nèi)置高性能筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理,成為微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和光子晶體研究的理想工具。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。Polos-BESM ...
Polos光刻機(jī)與德國(guó)Lab14集團(tuán)、弗勞恩霍夫研究所等機(jī)構(gòu)合作,推動(dòng)光子集成與半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展。例如,Quantum X align系統(tǒng)的高對(duì)準(zhǔn)精度(100 nm)為光通信芯片提供可靠解決方案,彰顯德國(guó)精密制造與全球產(chǎn)業(yè)鏈整合的優(yōu)勢(shì)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效...
SPS POLOS μ以緊湊的桌面設(shè)計(jì)降低實(shí)驗(yàn)室設(shè)備投入,光束引擎通過(guò)壓電驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)高速掃描(單次寫(xiě)入400 μm區(qū)域)。支持AZ5214E等光刻膠的高效曝光,成功制備3 μm間距微圖案陣列和叉指電容器,助力納米材料與柔性電子器件的快速驗(yàn)證。其無(wú)掩模特性進(jìn)一步減少材料浪費(fèi),為中小型實(shí)驗(yàn)室提供經(jīng)濟(jì)解決方案62。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并br...
微納衛(wèi)星對(duì)部件重量與精度要求苛刻,傳統(tǒng)加工難以兼顧。Polos 光刻機(jī)在硅基材料上實(shí)現(xiàn)了 50nm 深度的微溝槽加工,為某航天團(tuán)隊(duì)制造出輕量化星載慣性導(dǎo)航陀螺結(jié)構(gòu)。通過(guò)自定義螺旋型振動(dòng)梁圖案,陀螺的零偏穩(wěn)定性提升至 0.01°/h,較商用產(chǎn)品性能翻倍。該技術(shù)還被用于微推進(jìn)器噴嘴陣列加工,使衛(wèi)星姿態(tài)調(diào)整精度達(dá)到亞毫牛級(jí),助力我國(guó)低軌衛(wèi)星星座建設(shè)取得關(guān)鍵突破。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行...
Polos系列通過(guò)無(wú)掩模技術(shù)減少化學(xué)廢料產(chǎn)生,同時(shí)低能耗設(shè)計(jì)(如固態(tài)激光光源)符合綠色實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)。例如,其光源系統(tǒng)較傳統(tǒng)DUV光刻機(jī)能耗降低30%,助力科研機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提...
某能源研究團(tuán)隊(duì)采用 Polos 光刻機(jī)制造了壓電式微型能量收集器。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極,器件的能量轉(zhuǎn)換效率達(dá) 35%,在 10Hz 振動(dòng)下可輸出 50μW/cm2 的功率。通過(guò)自定義電極間距和厚度,該收集器可適配不同頻率的環(huán)境振動(dòng),在智能穿戴設(shè)備中實(shí)現(xiàn)了運(yùn)動(dòng)能量的實(shí)時(shí)采集與存儲(chǔ)。其輕量化設(shè)計(jì)(體積 < 1mm3)還被用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點(diǎn),使傳感器續(xù)航時(shí)間從 3 個(gè)月延長(zhǎng)至 2 年。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)...
細(xì)胞培養(yǎng)芯片需根據(jù)不同細(xì)胞類(lèi)型設(shè)計(jì)表面微結(jié)構(gòu),傳統(tǒng)光刻依賴(lài)掩模庫(kù),難以滿足個(gè)性化需求。Polos 光刻機(jī)支持 STL 模型直接導(dǎo)入,某干細(xì)胞研究所在 24 小時(shí)內(nèi)完成了神經(jīng)干細(xì)胞三維培養(yǎng)支架的定制加工。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm,適配不同分化階段的細(xì)胞黏附需求。實(shí)驗(yàn)顯示,使用該支架的神經(jīng)細(xì)胞軸突生長(zhǎng)速度提升 30%,為神經(jīng)再生機(jī)制研究提供了高效工具,相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給生物芯片企業(yè)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)...
針對(duì)碳化硅(SiC)功率模塊的柵極刻蝕難題,Polos 光刻機(jī)的激光直寫(xiě)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制,較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車(chē)芯片廠商利用該設(shè)備,將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%,開(kāi)關(guān)損耗減少 20%,推動(dòng)車(chē)載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗(yàn)證新型柵極結(jié)構(gòu),使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周,助力我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車(chē)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助...
石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴(lài)高精度圖案轉(zhuǎn)移,Polos 光刻機(jī)的激光直寫(xiě)技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問(wèn)題。某納米電子實(shí)驗(yàn)室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列,成功制備出石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其電子遷移率達(dá) 2×10? cm2/(V?s),接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié),使器件研發(fā)效率提升 5 倍,相關(guān)成果推動(dòng)二維材料在柔性電子、量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進(jìn)入快車(chē)道。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)...
在微流控芯片集成領(lǐng)域,某微機(jī)電系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù),在同一塊 PDMS 芯片上直接制備出金屬電極驅(qū)動(dòng)的氣動(dòng)泵閥結(jié)構(gòu)。其微泵通道寬度可控制在 20μm,流量調(diào)節(jié)精度達(dá) ±1%,響應(yīng)時(shí)間小于 50ms。通過(guò)軟件輸入不同圖案,可在 10 分鐘內(nèi)完成從連續(xù)流到脈沖流的模式切換。該芯片被用于單細(xì)胞代謝分析,實(shí)現(xiàn)了單個(gè)tumor細(xì)胞葡萄糖攝取率的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),檢測(cè)靈敏度較傳統(tǒng)方法提升 3 倍,相關(guān)設(shè)備已進(jìn)入臨床前驗(yàn)證階段。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)...
在organ芯片研究中,模擬人體organ微環(huán)境需要微米級(jí)精度的三維結(jié)構(gòu)。德國(guó) Polos 光刻機(jī)憑借無(wú)掩模激光光刻技術(shù),幫助科研團(tuán)隊(duì)在 PDMS 材料上構(gòu)建出仿生血管網(wǎng)絡(luò)與組織界面。某再生醫(yī)學(xué)實(shí)驗(yàn)室使用 Polos 光刻機(jī),成功制備出肝芯片微通道,其內(nèi)皮細(xì)胞黏附率較傳統(tǒng)方法提升 40%,且可通過(guò)軟件實(shí)時(shí)調(diào)整通道曲率,precise模擬肝臟血流動(dòng)力學(xué)。該技術(shù)縮短了organ芯片的研發(fā)周期,為藥物肝毒性測(cè)試提供了更真實(shí)的體外模型,相關(guān)成果入選《自然?生物技術(shù)》年度創(chuàng)新技術(shù)案例??焖僮詣?dòng)對(duì)焦:閉環(huán)對(duì)焦系統(tǒng)1秒完成,多層半自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)提升實(shí)驗(yàn)效率。遼寧PSP光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米Polos-BE...
在構(gòu)建肝臟芯片的血管化網(wǎng)絡(luò)時(shí),某生物工程團(tuán)隊(duì)使用 Polos 光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)了跨尺度結(jié)構(gòu)制備。其無(wú)掩模技術(shù)在 200μm 的主血管與 5μm 的blood capillary間precise銜接,血管內(nèi)皮細(xì)胞貼壁率達(dá) 95%,較傳統(tǒng)光刻提升 30%。通過(guò)輸入 CT 掃描的真實(shí)肝臟血管數(shù)據(jù),芯片成功模擬門(mén)靜脈與肝竇的血流梯度,使肝細(xì)胞功能維持時(shí)間從 7 天延長(zhǎng)至 21 天。該技術(shù)為藥物肝毒性測(cè)試提供了接近體內(nèi)環(huán)境的模型,某制藥公司使用后將候選藥物篩選周期縮短 40%,相關(guān)成果登上《Lab on a Chip》封面。掩模制備時(shí)間歸零,科研人員耗時(shí)減少 60%,項(xiàng)目交付周期縮短 50%。河南德國(guó)POLO...
形狀記憶合金、壓電陶瓷等智能材料的微結(jié)構(gòu)加工需要高精度圖案定位。Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)定位精度,幫助科研團(tuán)隊(duì)在鎳鈦合金薄膜上刻制出復(fù)雜驅(qū)動(dòng)電路,成功制備出微型可編程抓手。該抓手在 40℃溫場(chǎng)中可實(shí)現(xiàn) 0.1mm 行程的precise控制,抓取力達(dá) 50mN,較傳統(tǒng)微加工方法性能提升 50%。該技術(shù)被應(yīng)用于微納操作機(jī)器人,在單細(xì)胞膜片鉗實(shí)驗(yàn)中成功率從 40% 提升至 75%,為細(xì)胞級(jí)precise操作提供了關(guān)鍵工具。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)...
Polos系列通過(guò)無(wú)掩模技術(shù)減少化學(xué)廢料產(chǎn)生,同時(shí)低能耗設(shè)計(jì)(如固態(tài)激光光源)符合綠色實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)。例如,其光源系統(tǒng)較傳統(tǒng)DUV光刻機(jī)能耗降低30%,助力科研機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提...
某材料實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)圖案化能力,在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊,使材料表面接觸角達(dá) 165°,滾動(dòng)角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后,防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實(shí)現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合,被用于微流控芯片的液滴定向輸運(yùn),液滴驅(qū)動(dòng)電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 ...
德國(guó)Polos-BESM系列光刻機(jī)采用無(wú)掩模激光直寫(xiě)技術(shù),突破傳統(tǒng)光刻對(duì)物理掩膜的依賴(lài),支持用戶通過(guò)軟件直接輸入任意圖案進(jìn)行快速曝光。其亞微米分辨率(most小線寬0.8 μm)和405 nm紫外光源,可在5英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊,only占桌面空間,搭配閉環(huán)自動(dòng)對(duì)焦(1秒完成)和半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)功能,大幅提升實(shí)驗(yàn)室原型開(kāi)發(fā)效率,適用于微流體芯片設(shè)計(jì)、電子元件制造等領(lǐng)域。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了...
SPS POLOS μ以緊湊的桌面設(shè)計(jì)降低實(shí)驗(yàn)室設(shè)備投入,光束引擎通過(guò)壓電驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)高速掃描(單次寫(xiě)入400 μm區(qū)域)。支持AZ5214E等光刻膠的高效曝光,成功制備3 μm間距微圖案陣列和叉指電容器,助力納米材料與柔性電子器件的快速驗(yàn)證。其無(wú)掩模特性進(jìn)一步減少材料浪費(fèi),為中小型實(shí)驗(yàn)室提供經(jīng)濟(jì)解決方案62。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并br...
某分析化學(xué)實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了集成電化學(xué)傳感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技術(shù)在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極,傳感器的檢測(cè)限達(dá) 1nM,較傳統(tǒng)電化學(xué)工作站提升 100 倍。通過(guò)軟件輸入不同圖案,可在 24 小時(shí)內(nèi)完成從葡萄糖檢測(cè)到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時(shí)檢測(cè)(POCT)設(shè)備,使現(xiàn)場(chǎng)水質(zhì)監(jiān)測(cè)時(shí)間從 2 小時(shí)縮短至 10 分鐘,相關(guān)設(shè)備已通過(guò)歐盟 CE 認(rèn)證。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)...
某智能機(jī)器人實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)制造了磁控微納機(jī)器人。其激光直寫(xiě)技術(shù)在鎳鈦合金薄膜上刻制出 10μm 的螺旋槳結(jié)構(gòu),機(jī)器人在旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)下的推進(jìn)速度達(dá) 50μm/s,轉(zhuǎn)向精度小于 5°。通過(guò)自定義三維運(yùn)動(dòng)軌跡,該機(jī)器人在微流控芯片中成功實(shí)現(xiàn)了單個(gè)紅細(xì)胞的捕獲與轉(zhuǎn)運(yùn),操作成功率從傳統(tǒng)方法的 40% 提升至 85%。其輕量化設(shè)計(jì)(質(zhì)量 < 1μg)還支持在活細(xì)胞表面進(jìn)行納米級(jí)手術(shù),相關(guān)成果入選《Science Robotics》年度創(chuàng)新技術(shù)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且...
無(wú)掩模激光光刻:科研效率的revolution性提升!Polos-BESM系列采用無(wú)掩模激光直寫(xiě)技術(shù),用戶可通過(guò)軟件直接輸入任意圖案,省去傳統(tǒng)光刻中掩膜制備的高昂成本與時(shí)間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率(most小線寬0.8 μm)支持5英寸晶圓的高精度加工,特別適合實(shí)驗(yàn)室快速原型開(kāi)發(fā)。閉環(huán)自動(dòng)對(duì)焦系統(tǒng)(1秒完成)和半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)功能,remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發(fā)效率62。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)...
某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了基于阻變存儲(chǔ)器(RRAM)的存算一體架構(gòu)。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO?介質(zhì)層上實(shí)現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制,器件的電導(dǎo)均勻性提升至 95%,計(jì)算能效比達(dá) 10TOPS/W,較傳統(tǒng) GPU 提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)?;谠摷夹g(shù)的邊緣 AI 芯片,在圖像識(shí)別任務(wù)中能耗降低 80%,推理速度提升 3 倍,已應(yīng)用于智能攝像頭和無(wú)人機(jī)避障系統(tǒng),相關(guān)芯片出貨量突破百萬(wàn)片。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)...
在微流控芯片集成領(lǐng)域,某微機(jī)電系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù),在同一塊 PDMS 芯片上直接制備出金屬電極驅(qū)動(dòng)的氣動(dòng)泵閥結(jié)構(gòu)。其微泵通道寬度可控制在 20μm,流量調(diào)節(jié)精度達(dá) ±1%,響應(yīng)時(shí)間小于 50ms。通過(guò)軟件輸入不同圖案,可在 10 分鐘內(nèi)完成從連續(xù)流到脈沖流的模式切換。該芯片被用于單細(xì)胞代謝分析,實(shí)現(xiàn)了單個(gè)tumor細(xì)胞葡萄糖攝取率的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),檢測(cè)靈敏度較傳統(tǒng)方法提升 3 倍,相關(guān)設(shè)備已進(jìn)入臨床前驗(yàn)證階段。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)...
Polos光刻機(jī)與德國(guó)Lab14集團(tuán)、弗勞恩霍夫研究所等機(jī)構(gòu)合作,推動(dòng)光子集成與半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展。例如,Quantum X align系統(tǒng)的高對(duì)準(zhǔn)精度(100 nm)為光通信芯片提供可靠解決方案,彰顯德國(guó)精密制造與全球產(chǎn)業(yè)鏈整合的優(yōu)勢(shì)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效...
某半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)氮化鎵(GaN)基高電子遷移率晶體管(HEMT)。其激光直寫(xiě)技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了 50nm 柵極長(zhǎng)度的precise曝光,較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過(guò)自定義多晶硅柵極圖案,器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm2/(V?s),擊穿電壓提升至 1200V,遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺(tái)面刻蝕,刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%,助力我國(guó)新能源汽車(chē)電控系統(tǒng)core器件的國(guó)產(chǎn)化突破。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一...
某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了基于阻變存儲(chǔ)器(RRAM)的存算一體架構(gòu)。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO?介質(zhì)層上實(shí)現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制,器件的電導(dǎo)均勻性提升至 95%,計(jì)算能效比達(dá) 10TOPS/W,較傳統(tǒng) GPU 提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)。基于該技術(shù)的邊緣 AI 芯片,在圖像識(shí)別任務(wù)中能耗降低 80%,推理速度提升 3 倍,已應(yīng)用于智能攝像頭和無(wú)人機(jī)避障系統(tǒng),相關(guān)芯片出貨量突破百萬(wàn)片。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)...
Polos光刻機(jī)與弗勞恩霍夫ILT的光束整形技術(shù)結(jié)合,可定制激光輪廓以優(yōu)化能量分布,減少材料蒸發(fā)和飛濺,提升金屬3D打印效率7。這種跨領(lǐng)域技術(shù)融合為工業(yè)級(jí)微納制造(如光學(xué)元件封裝)提供新思路,推動(dòng)智能制造向高精度、低能耗方向發(fā)展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻膠,通過(guò)優(yōu)化曝光參數(shù)(如能量密度與聚焦深度)實(shí)現(xiàn)不同材料的高質(zhì)量加工。例如,使用AZ5214E時(shí),可調(diào)節(jié)光束強(qiáng)度以減少側(cè)壁粗糙度,提升微結(jié)構(gòu)的功能性。這一特性使其在生物相容性器件(如仿生傳感器)中表現(xiàn)outstanding26。德國(guó)技術(shù)基因:融合精密光學(xué)與自動(dòng)化控制,確保設(shè)備高穩(wěn)定性與長(zhǎng)壽命。浙江德國(guó)PSP-POLOS光刻...
某能源研究團(tuán)隊(duì)采用 Polos 光刻機(jī)制造了壓電式微型能量收集器。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極,器件的能量轉(zhuǎn)換效率達(dá) 35%,在 10Hz 振動(dòng)下可輸出 50μW/cm2 的功率。通過(guò)自定義電極間距和厚度,該收集器可適配不同頻率的環(huán)境振動(dòng),在智能穿戴設(shè)備中實(shí)現(xiàn)了運(yùn)動(dòng)能量的實(shí)時(shí)采集與存儲(chǔ)。其輕量化設(shè)計(jì)(體積 < 1mm3)還被用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點(diǎn),使傳感器續(xù)航時(shí)間從 3 個(gè)月延長(zhǎng)至 2 年。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)...
在微流體研究領(lǐng)域,德國(guó) Polos 光刻機(jī)系列憑借獨(dú)特優(yōu)勢(shì)脫穎而出。其無(wú)掩模激光光刻技術(shù),打破傳統(tǒng)光刻的局限,無(wú)需掩模就能實(shí)現(xiàn)高精度圖案制作。這使得科研人員在構(gòu)建微通道網(wǎng)絡(luò)時(shí),可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求自由設(shè)計(jì),快速完成從圖紙到實(shí)體的轉(zhuǎn)化。?以藥物傳輸研究為例,利用 Polos 光刻機(jī),能制造出尺寸precise、結(jié)構(gòu)復(fù)雜的微通道,模擬人體環(huán)境,讓藥物在微小空間內(nèi)可控流動(dòng),much提升藥物傳輸效率研究的準(zhǔn)確性。同時(shí),在細(xì)胞培養(yǎng)實(shí)驗(yàn)中,該光刻機(jī)制作的微流體芯片,為細(xì)胞提供穩(wěn)定且適宜的生長(zhǎng)環(huán)境,助力細(xì)胞生物學(xué)研究取得新突破。小空間大作為的 Polos 光刻機(jī),正推動(dòng)微流體研究不斷向前。納 / 微機(jī)械:亞微米級(jí)...