保護(hù)裝置整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機(jī)、高精度電流電壓互感器、高絕緣強(qiáng)度出口中間繼電器、高可靠開關(guān)電源模塊等部件組成。是用于測(cè)量、控制、保護(hù)、通訊為一體化的一種經(jīng)濟(jì)型保護(hù)。整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置的優(yōu)點(diǎn)1、可以滿足庫存配制有二十幾種保護(hù)，...

晶閘管（Thyristor）是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它的主要功能是控制電流的開關(guān)，能夠在高電壓和大電流的條件下穩(wěn)定工作。晶閘管的基本結(jié)構(gòu)由四層半導(dǎo)體材料（P-N-P-N結(jié)構(gòu)）組成，具有三個(gè)PN結(jié)。晶閘管的工作原理是，當(dāng)施加一個(gè)觸發(fā)信號(hào)到其門極...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅?？煽毓栝_關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅...

目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來實(shí)現(xiàn)高壓應(yīng)用。國(guó)外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國(guó)的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實(shí)際應(yīng)用，日本東芝也已涉足該領(lǐng)域。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不...

整流電路常用整流電路為單相半波、單相全波、三相半波、三相全波（Y或△）橋式、三相曲折式（Zo形）、六相Y形（中點(diǎn)接線）、六相叉形（又曲折形）、六相Y形并聯(lián)橋式（帶平衡電抗器）、六相△Y形串聯(lián)橋式、十二相四曲折形帶平衡電抗器、六相Y形或△形式、六相（十二、二十四...

常用的不控整流電路有四種。三相半波電路（圖2a）指在電源一個(gè)周期內(nèi)有三個(gè)二極管輪流導(dǎo)電，就可得到三脈波整流電壓。該電路優(yōu)點(diǎn)是接線簡(jiǎn)單，但變壓器次級(jí)繞組的導(dǎo)電角*120°，因此繞組的利用率較低，而且電流是單方向的，它的直流分量形成直流安匝的磁通勢(shì)并產(chǎn)生較大的漏磁...

雙 向：Bi-directional(取***個(gè)字母)三 端：Triode(取***個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”，也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司，均以此來命名雙向可控硅。**型號(hào)如：PHIL...

保護(hù)電路設(shè)計(jì)：設(shè)計(jì)過流和過壓保護(hù)電路，以防止晶閘管因過流或過壓而損壞。環(huán)境影響：工作環(huán)境溫度、濕度以及塵埃和污染都可能影響晶閘管的性能和使用壽命，需要采取相應(yīng)的防護(hù)措施。電磁兼容性（EMC）：設(shè)計(jì)相應(yīng)的電磁屏蔽和濾波電路來減小電磁干擾，并增強(qiáng)晶閘管的電磁抗性。...

導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小，使通態(tài)壓降小。關(guān)斷當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時(shí)，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關(guān)階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因?yàn)閾Q向開始后，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）...

在這r1個(gè)分段TCR中，只有一個(gè)分段TCR的觸發(fā)角是受控的，其他的分段TCR要么是全導(dǎo)通，要么是全關(guān)斷，以吸收制定量的無功功率。由于每個(gè)分段TCR的電感增加了rl倍，因此受控TCR的容量就減小了n倍，受控TCR產(chǎn)生的諧波相對(duì)于額定基波電流也減小了n倍。采用上述...

四、直流輸電用這類整流變壓器的電壓一般在110kV以上，容量在數(shù)萬千伏安。需特別注意對(duì)地絕緣的交、直流疊加問題。 此外還有電鍍用或電加工用直流電源，勵(lì)磁用直流電源，充電用及靜電除塵用直流電源等。應(yīng)用整流變**多的化學(xué)行業(yè)中，大功率整流裝置也是二次電壓低，電流...

整流橋一般帶有足夠大的電感性負(fù)載， 因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。 [1]一般整流橋應(yīng)用時(shí), 常在其負(fù)載端接有平波電抗器, 故可將其負(fù)載視為恒流源。 [2]多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波相互抵消。按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和...

移相方法移相方法就是二次側(cè)采用星、角聯(lián)結(jié)的兩個(gè)繞組，可以使整流電爐的脈波數(shù)提高一倍。10kv干式整流變壓器對(duì)于大功率整流設(shè)備，需要脈波數(shù)也較多，脈波數(shù)為18、24、36等應(yīng)用的日益增多，這就必須在整流變壓器一次側(cè)設(shè)置移相繞組來進(jìn)行移相。移相繞組與主繞組聯(lián)結(jié)方式...

整流二極管是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?，把交流電變成脈動(dòng)直流電。整流二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖3所示，另外，整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個(gè)外，還有比較大整流電流，是指整流二極管長(zhǎng)時(shí)間的工作所允許通過的最大電流值。它是...

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)...

保護(hù)裝置整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機(jī)、高精度電流電壓互感器、高絕緣強(qiáng)度出口中間繼電器、高可靠開關(guān)電源模塊等部件組成。是用于測(cè)量、控制、保護(hù)、通訊為一體化的一種經(jīng)濟(jì)型保護(hù)。整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置的優(yōu)點(diǎn)1、可以滿足庫存配制有二十幾種保護(hù)，...

同時(shí)，晶閘管模塊的智能化和模塊化趨勢(shì)也日益明顯。通過集成先進(jìn)的控制算法和通信技術(shù)，晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)更復(fù)雜的電力電子控制和能源管理功能，為未來的智能電網(wǎng)和分布式能源系統(tǒng)提供有力支持。綜上所述，晶閘管模塊作為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要器件，以其獨(dú)特的性能和廣闊的應(yīng)...

實(shí)際上，實(shí)際中的三相電抗器的參數(shù)不可能完全相同。三相供電電壓也不一定完全平衡。這種不平衡就會(huì)導(dǎo)致非特征諧波的產(chǎn)生，包括3倍數(shù)次諧波，擴(kuò)散到線路中。正常情況下，非特征諧波的數(shù)值是非常小的。但在嚴(yán)重?cái)_動(dòng)的情況下，正負(fù)半波的觸發(fā)角可能不同，這就會(huì)導(dǎo)致直流分量的產(chǎn)生，...

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半...

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作，會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào)，這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向...

通常，小規(guī)模的ipm的特點(diǎn)在于其引線框架技術(shù)。穿孔銅板用作功率開關(guān)和驅(qū)動(dòng)ic的載體。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進(jìn)行散熱。 用于中高功率應(yīng)用的ipm模塊的設(shè)計(jì)特點(diǎn)是將模塊分為兩個(gè)層次。功率半導(dǎo)體在底部，驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)電路在上部。本領(lǐng)域內(nèi)名氣比較大的ipm是賽...

當(dāng)運(yùn)行點(diǎn)到達(dá)控制范圍的**右端，節(jié)點(diǎn)電壓進(jìn)一步升高后將不能由控制系統(tǒng)來補(bǔ)償，因?yàn)門CR的電抗器已經(jīng)處于完全導(dǎo)通狀態(tài)，所以運(yùn)行點(diǎn)將沿著對(duì)應(yīng)電抗器全導(dǎo)通(α=90°)的特性曲線向上移動(dòng)，此時(shí)補(bǔ)償器運(yùn)行在過負(fù)荷范圍，超過此范圍后，觸發(fā)控制將設(shè)置～個(gè)電流極限以防止晶閘...

5. ih：**小維持電流在室溫下，控制極開路、晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后，維持導(dǎo)通狀態(tài)所必須的**小電流。一般為幾十到一百多毫安。 6. ug、ig：控制極觸發(fā)電壓和電流 在室溫下， 陽極電壓為直流 6v 時(shí)，使晶閘管完全導(dǎo)通所必須的**小控制極直流電壓、電流 ...

三相全波整流橋不需要輸入電源的零線（中性線）。整流橋堆一般用在全波整流電路中。全橋是由6只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的，右圖為其外形。全橋的正向電流有5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格，耐壓值（比較高反向電壓）有50V、...

整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。選用整流二極管時(shí)，主要應(yīng)考慮其比較大整流電流、比較大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時(shí)間等參數(shù)。普通串聯(lián)穩(wěn)壓電源電路中使用的整流二極管，對(duì)截止頻率的反向恢復(fù)時(shí)間要求不高，只要根據(jù)電路的要求選擇比較大整流電...

若測(cè)得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí)，1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...

結(jié)構(gòu)特點(diǎn)（1）鐵芯：采用30Q130高導(dǎo)磁硅鋼片，同時(shí)采用選進(jìn)的3～6級(jí)step-lap core stacking步進(jìn)多級(jí)疊片方式，有較降低了空載損耗、空載電流和噪聲。（2）繞組：電磁線采用了高導(dǎo)電率的無氧銅導(dǎo)線，繞組采用園筒式、雙餅式和新型螺旋式等結(jié)構(gòu)的整...

整流電路常用整流電路為單相半波、單相全波、三相半波、三相全波（Y或△）橋式、三相曲折式（Zo形）、六相Y形（中點(diǎn)接線）、六相叉形（又曲折形）、六相Y形并聯(lián)橋式（帶平衡電抗器）、六相△Y形串聯(lián)橋式、十二相四曲折形帶平衡電抗器、六相Y形或△形式、六相（十二、二十四...

（3）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱底板相互隔離，導(dǎo)熱底板不帶電，絕緣強(qiáng)度≥2500V（RMS），保證人身安全。（4）三相交流模塊輸出對(duì)稱性好，直流分量小。大規(guī)格模塊具有過熱、過流、缺相保護(hù)作用。（5）輸入0～10V直流控制信號(hào)或0～5V直流控制信號(hào)、4～20mA...