導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小,使通態(tài)壓降小。關(guān)斷當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時(shí),溝道被禁止,沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下,如果MOSFET電流在開關(guān)階段迅速下降,集電極電流則逐漸降低,這是因?yàn)閾Q向開始后,在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子(少子)...
(五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。(六)過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā),必須是過零點(diǎn)才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅。(七)非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見的是移相觸...
雙向可控硅可被認(rèn)為是一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成,工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個(gè)主電極T1和T2, 一個(gè)門極G, 門極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通,所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都...
該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子,從集電極襯底p+層開始流入空穴,進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制(雙極工作),所以可以降低集電極-發(fā)射極間飽和電壓。在發(fā)射極電極側(cè)形成n+pn-寄生晶體管。若n+pn-寄生晶體管工作,又變成p+n- pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動,直到輸出側(cè)停...
四、直流輸電用這類整流變壓器的電壓一般在110kV以上,容量在數(shù)萬千伏安。需特別注意對地絕緣的交、直流疊加問題。 此外還有電鍍用或電加工用直流電源,勵磁用直流電源,充電用及靜電除塵用直流電源等。應(yīng)用整流變**多的化學(xué)行業(yè)中,大功率整流裝置也是二次電壓低,電流...
二、晶閘管模塊的應(yīng)用領(lǐng)域晶閘管模塊的應(yīng)用范圍較為廣闊,涵蓋了幾乎所有需要電力電子轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)域。在電力行業(yè),晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)和柔**流輸電系統(tǒng)(FACTS)中。作為換流閥的關(guān)鍵部件,晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)大功率電能的遠(yuǎn)距離傳輸,同時(shí)...
晶閘管特性單向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號為了能夠直觀地認(rèn)識晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來,通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極,陰極K接電源的負(fù)極,控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極(這里使用...
若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞??煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷...
IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸...
主要廠家品牌:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,TOSHIBA,JX ,SANREX,SANKEN ,SEMIKRON ,EUPEC,IR,JBL等。IT(A...
晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板,采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。(1)本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實(shí)現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控作用。(2)采用進(jìn)口方形芯片,模塊壓降小、功耗低,效率高;采用進(jìn)口貼片元件...
TCR的響應(yīng)迅速,典型的響應(yīng)時(shí)間為1.5~3個(gè)周期。實(shí)際的響應(yīng)時(shí)間是測量延遲、TCR控制器的參數(shù)和系統(tǒng)強(qiáng)度的函數(shù)。如果對TCR采用電壓控制的正常運(yùn)行區(qū)域就被壓縮到一條特性曲線上。這種特性曲線體現(xiàn)了補(bǔ)償器的硬電壓控制特性,它將系統(tǒng)電壓精確地穩(wěn)定在電壓設(shè)定值%上。...
散熱性能好:模塊設(shè)計(jì)通??紤]了散熱問題,能夠在高功率下穩(wěn)定工作。在使用晶閘管模塊時(shí),需要注意其工作環(huán)境、散熱設(shè)計(jì)以及觸發(fā)電路的設(shè)計(jì),以確保其正常運(yùn)行和延長使用壽命。晶閘管(Thyristor)是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它是一種具有四層半導(dǎo)體材料...
2.變壓器設(shè)計(jì)的基本問題是什么?變壓器設(shè)計(jì)的基本問題是磁通和電流密度。變壓器的電流與容量成正比,電流密度的大小(即導(dǎo)線的粗細(xì))按照導(dǎo)體的發(fā)熱量來考慮。對于磁通,電磁學(xué)的基本關(guān)系式為u=4.44fwΦ,其中u為電壓;f為頻率,在這里為50Hz,定值;w為線圈的匝...
⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT),俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4,在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過陰極和陽極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P...
在使用IGBT的場合,當(dāng)柵極回路不正?;驏艠O回路損壞時(shí)(柵極處于開路狀態(tài)),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會損壞,為防止此類故障,應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時(shí),應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程...
IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗...
同時(shí),晶閘管模塊的智能化和模塊化趨勢也日益明顯。通過集成先進(jìn)的控制算法和通信技術(shù),晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)更復(fù)雜的電力電子控制和能源管理功能,為未來的智能電網(wǎng)和分布式能源系統(tǒng)提供有力支持。綜上所述,晶閘管模塊在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中占據(jù)著舉足輕重的地位,其獨(dú)特的開關(guān)特性...
為了克服上述問題,可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化,以防止誤觸發(fā)。一般,電阻取100R,電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大,電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí),會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,這種...
可控硅導(dǎo)通條件:一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓,二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備,可控硅才會處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外,可控硅一旦導(dǎo)通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,可控硅仍然導(dǎo)通。 可控硅關(guān)斷條件:降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的...
TCR在正常運(yùn)行時(shí)會產(chǎn)生大量的特征諧波注入電網(wǎng),因此必須采取措施將這些諧波消除或減弱。通常的辦法是并聯(lián)濾波器,并聯(lián)濾波器要么是串聯(lián)Lc結(jié)構(gòu),要么是串聯(lián)LCR結(jié)構(gòu)。這些濾波器被調(diào)諧到5次和7次的主導(dǎo)諧波頻率,有時(shí),也使用11次和13次濾波器或者只使用一個(gè)高通濾波...
可控整流:與整流器件構(gòu)成調(diào)壓電路,使整流電路輸出電壓具有可調(diào)**流調(diào)壓:通過控制晶閘管的導(dǎo)通角來調(diào)節(jié)交流電壓的大小。無觸點(diǎn)電子開關(guān):在電路中起到可控電子開關(guān)的作用,控制電路的接通和斷開。逆變及變頻:在逆變和變頻電路中作為關(guān)鍵器件使用。五、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)在晶閘管的...
其特點(diǎn)是:超前橋臂實(shí)現(xiàn)零電壓開通,原理不變;滯后橋臂實(shí)現(xiàn)零電流關(guān)斷,開關(guān)管兩端不再并聯(lián)電容,以避免開通時(shí)電容釋放的能量加大開通損耗。在此對移相全橋 ZVZCS PWM 變換器的基本原理做一簡要介紹。 [5]圖4 工作波形基本移相全橋 ZVZCS 電路及主要工作...
1、高壓晶閘管 2、用于未來能量轉(zhuǎn)換中的igbt和快速開關(guān)二極管 3、采用超級結(jié)技術(shù)的超高速開關(guān)器件 4、應(yīng)用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度 半導(dǎo)體模塊之間的差異,不僅*體現(xiàn)在連接技術(shù)方面。另一個(gè)差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據(jù)...
絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點(diǎn),具有良好的特性,應(yīng)用領(lǐng)域很***;IGBT也是三端器...
1.模塊電流規(guī)格的選取根據(jù)負(fù)載性質(zhì)及額定電流按模塊比較大輸出電流IT值,進(jìn)行如下選?。海?)阻性負(fù)載:模塊最大電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。(2)感性負(fù)載:模塊最大電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。(3)若負(fù)載電流變動較大,電流倍數(shù)適當(dāng)增加。(4)保證整個(gè)運(yùn)行過程中,...
IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗...
(2)可以采用開關(guān)電源,也可采用線性電源(即變壓器整流式穩(wěn)壓電源)。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。(3)控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,嚴(yán)禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求(1)工作場所環(huán)境溫度范圍...
一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽?dǎo)體器件。通常它包含一個(gè)PN結(jié),有正極和負(fù)極兩個(gè)端子。二極管**重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴T陔娐分?,電流只能從二極管的正極流入,負(fù)極流出。整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件。二...
IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機(jī)、民用小容量電機(jī)、變換器(逆變器)、照相機(jī)的頻閃觀測器、感應(yīng)加熱(InductionHeating)電飯鍋等領(lǐng)域。根據(jù)封裝的不同,IGBT大致分為兩種類型,...