1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時(shí)，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V...

諸如硅砂之類(lèi)）包圍組成。不同區(qū)域應(yīng)用，熔斷器式樣及安裝方式不盡相同，但熔斷器結(jié)構(gòu)構(gòu)成基本一致，如下所示：圖1.高壓熔斷器結(jié)構(gòu)組成示意圖其中，熔體材質(zhì)、熔體凹口配置、填充物質(zhì)及加工質(zhì)量都影響熔斷器分?jǐn)嘈阅?。目前，市?chǎng)上EV/HEV用熔斷器熔體材質(zhì)以銀為主，熔體形...

可控硅的工作原理是什么？ 可控硅分為單向可控硅、雙向可控硅，兩者原理分別是：?jiǎn)蜗蚩煽毓瑁簡(jiǎn)蜗蚩煽毓枘茉谕獠靠刂菩盘?hào)作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通，但一旦導(dǎo)通，外部信號(hào)就無(wú)法使其關(guān)斷，只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷； 工作原理：可控硅實(shí)際上就是一個(gè)...

采用電子線(xiàn)路進(jìn)行保護(hù)等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱(chēng)之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過(guò)電壓均具有相對(duì)較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件，為防止出現(xiàn)振蕩，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路...

IGBT模塊的結(jié)溫控制對(duì)于延長(zhǎng)模塊的壽命具有重要意義。4.溫度對(duì)模塊的安全性的影響IGBT模塊的結(jié)溫升高會(huì)導(dǎo)致模塊的安全性下降。當(dāng)結(jié)溫超過(guò)一定溫度時(shí)，模塊內(nèi)部元器件會(huì)出現(xiàn)失效現(xiàn)象，從而導(dǎo)致模塊的短路或開(kāi)路，總之，IGBT模塊結(jié)溫的變化對(duì)模塊的電性能、可靠性、壽...

做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱(chēng)為快速晶閘管。它具有關(guān)斷時(shí)間（toff）短、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI／dt）、能耐較高的電壓上升率（dv／dt）、抗干擾能力較好等特點(diǎn)?？焖倬чl管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快。目前，已有了電流幾百安培、耐壓1千...

一個(gè)實(shí)施例提供了包括一個(gè)或多個(gè)以上限定的結(jié)構(gòu)的二極管。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該二極管由一個(gè)或多個(gè)晶體管限定，晶體管具有在兩個(gè)溝槽之間延伸的至少一個(gè)溝道區(qū)域，一區(qū)域限定晶體管柵極。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該二極管包括將溝道區(qū)域電連接到傳導(dǎo)層的接觸區(qū)域。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一區(qū)域是...

晶閘管和可控硅，有什么區(qū)別？ 1、概念不一樣：可控硅(SiliconControlledRectifier)簡(jiǎn)稱(chēng)SCR，是一種大功率電孝改器元件，也稱(chēng)晶閘管。三極管，全稱(chēng)應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三顫慎猜極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件...

1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時(shí)，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V...

而斷路器，只要電流一過(guò)其設(shè)定值就會(huì)跳閘，時(shí)間作用幾乎可以不用考慮。斷路器是低壓配電常用的元件。也有一部分地方適合用熔斷器。熔斷器和斷路器的性能比較：熔斷器：1、熔斷器的主要優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)1）選擇性好。上下級(jí)熔斷器的熔斷體額定電流只要符合國(guó)標(biāo)和IEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的過(guò)電流...

5、其它要求（1）當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時(shí)，如果變壓器空載，輸出電流可能會(huì)小于晶閘管芯片的擎住電流，導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒掉保險(xiǎn)絲。為了避免出現(xiàn)上述情況，可在模塊輸出端接一固定電阻，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗(yàn)情況確定）。...

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故。影響串聯(lián)運(yùn)行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個(gè)：1、靜態(tài)伏安特性對(duì)靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大，串聯(lián)使用時(shí)會(huì)使電壓分配不均衡。同時(shí)，半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響，不同的結(jié)溫也會(huì)使均...

可控硅又稱(chēng)晶閘管（SiliconControlledRectifier,SCR）。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶可控硅閘管、快速晶閘管，等等。可控硅，是可控硅整流元件...

他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠(chǎng)家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。主要用途/晶閘管編輯普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)...

且在門(mén)極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)；④應(yīng)有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中，要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通，宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種：①電...

[熔斷器]負(fù)荷開(kāi)關(guān)與熔斷器配合使用的注意事項(xiàng)日期：2020-07-0808:39:22有關(guān)負(fù)荷開(kāi)關(guān)與熔斷器配合使用的注意事項(xiàng)，熔斷器具有開(kāi)斷短路電流能力，負(fù)荷開(kāi)關(guān)作為負(fù)荷電流的切換，帶有撞擊器的熔斷器，配合具有脫扣裝置的負(fù)荷開(kāi)關(guān)，可解決缺相運(yùn)行問(wèn)題。...[熔...

墓他3組上橋臂的控制信號(hào)輸入電路與圖2相同，但3組15V直流電源應(yīng)分別供電，而下橋臂的4組則共用一個(gè)15V直流電源。圖2控制信號(hào)輸入電路(2)緩沖電路緩沖電路（阻容吸收電路）主要用于抑制模塊內(nèi)部的IGBT單元的過(guò)電壓和du/出或者過(guò)電流和di/dt，同時(shí)減小I...

圖1單管，模塊的內(nèi)部等效電路多個(gè)管芯并聯(lián)時(shí)，柵極已經(jīng)加入柵極電阻，實(shí)際的等效電路如圖2所示。不同制造商的模塊，柵極電阻的阻值也不相同；不過(guò)，同一個(gè)模塊內(nèi)部的柵極電阻，其阻值是相同的。圖2單管模塊內(nèi)部的實(shí)際等效電路圖IGBT單管模塊通常稱(chēng)為1in1模塊，前面的“...

1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下:阻性負(fù)載:模塊標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載:模塊標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍...

它由電源變壓器、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器、數(shù)字觸發(fā)器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開(kāi)關(guān)量輸入、故障及報(bào)警輸出電路、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設(shè)定及LED指示電路等部分組成。三相晶閘管觸發(fā)板技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線(xiàn)電壓：≤...

電容單位是什么？ 納法。在國(guó)際單位制里，電容的單位是法拉，簡(jiǎn)稱(chēng)法，符號(hào)是F，由于法拉這個(gè)單位太大，所以常用的電容單位有隱配毫法（mF）、微法（μF）、納法（nF）和皮法（pF）等，換算關(guān)系是：1法拉（F）=1000毫法（mF）=1000000微法（μ...

鋰離子電池，超級(jí)電容器和燃料電池的區(qū)別?區(qū)別就是鋰電池可以存儲(chǔ)大量電荷，電荷存放時(shí)間很長(zhǎng)，但是不能大電流放電。超級(jí)電容電荷存儲(chǔ)電荷較少，存放時(shí)間段，可以大電流放電。燃料電池就是一次性電池不能充電，用完就報(bào)廢了。這種電池電壓很低，電流也非常小，好處就是可以用很久...

[1]維持電流I：是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安。IH與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則I越小。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號(hào)后，能維持導(dǎo)通所需的**小電流。對(duì)同一晶閘管來(lái)說(shuō)，通常I約為I的2～4倍。[1]浪涌電流I：浪涌...

進(jìn)行逆變器設(shè)計(jì)時(shí)，IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗評(píng)估是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。而常見(jiàn)的損耗評(píng)估方法都是采用數(shù)據(jù)手冊(cè)中IGBT或者Diode的開(kāi)關(guān)損耗的典型值，這種方法缺乏一定的準(zhǔn)確性。本文介紹了一種采用逆變器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)板和母排對(duì)IGBT模塊進(jìn)行損耗測(cè)試和評(píng)估的方法，通過(guò)簡(jiǎn)單...

了解電容的內(nèi)在關(guān)鍵參數(shù)，才能快速選型，可靠使用，所有的電容的關(guān)鍵參數(shù)都是一樣的，包括電容容值、電容的耐壓值、電容的ESR、電容容值精度、電容允許的工作溫度范圍。在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中，使用頻率的電容是陶瓷電容、電解電容、鉭電容，需要了解它們的特性差異才能快速的進(jìn)行選...

超級(jí)電容器為何不同于傳統(tǒng)電容器其"超級(jí)"在哪？ ◆超級(jí)電容器在分離出的電荷中存儲(chǔ)能量，用于存儲(chǔ)電荷的面積越大、分離出的電荷越密集，其電容量越大。 ◆傳統(tǒng)電容器的面積是導(dǎo)體的平板面積，為了獲得較大的容量，導(dǎo)體材料卷制得很長(zhǎng)，有時(shí)用特殊的組織結(jié)構(gòu)來(lái)...

5、其它要求（1）當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時(shí)，如果變壓器空載，輸出電流可能會(huì)小于晶閘管芯片的擎住電流，導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒掉保險(xiǎn)絲。為了避免出現(xiàn)上述情況，可在模塊輸出端接一固定電阻，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗(yàn)情況確定）。...

鋁電解電容器基座的用途？ 電容器基座和絕緣板具體是是用在何用途的~比如電路板還是別的什么精確到行業(yè)！是不是所以的鋁電解電容器都需要基座配合使用。基座有2個(gè)用途：1，減震。大的電解電容體積較大，在運(yùn)輸過(guò)程中會(huì)晃動(dòng)，容易引起引線(xiàn)折斷。為此需要做的工作是加...

一般認(rèn)為鋁電解電容器容景衰減的原因主要有以下三大原因：1.導(dǎo)針與鋁箔接觸不良導(dǎo)致接觸電阻增大造成容量衰減，如鉚接厚度超標(biāo)、陽(yáng)極鋁箔箔粉過(guò)多、刺鉚針和刺鉚孔處加油潤(rùn)滑等原因；2.陽(yáng)極箔或陰極箔含浸的電解液不足導(dǎo)致容量無(wú)法完全引出造成容量衰減，如電解液粘度高滲透能...

上拉電阻的其他作用：作用1、當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)CMOS電路時(shí)，如果電路輸出的高電平低于CMOS電路的高電平（一般為3.5V），這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻，以提高輸出高電平的值。2、OC門(mén)電路必須使用上拉電阻，以提高輸出的高電平值。3、為增強(qiáng)輸出引腳的驅(qū)...