也可以用模塊中的2個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大2倍的半橋模塊,即將分別將G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。4.三相橋模塊,6in1模塊三相橋(3-Phasebridge模塊的內(nèi)部等效電流如圖5所示。圖5三相橋模塊的內(nèi)部等效電路...
當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。三、IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的...
2013年6月15日我又在電腦上設(shè)計(jì)了幾張圖紙,希望能夠運(yùn)用到實(shí)戰(zhàn)中。讓房子變成我想象中的樣子。2013年6月20日我和老公把花園的門(mén)給定好了,看起來(lái)就很有安全感的樣子。2013年7月15日2020-03-30求大神,我家的電磁爐換過(guò)開(kāi)關(guān)還是不能用速度…電磁爐...
怎樣檢測(cè)變頻器逆變模塊?1)判斷晶閘管極性及好壞的方法選擇指針萬(wàn)用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測(cè)量晶閘管的任兩個(gè)極之間的正反向電阻,其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無(wú)窮大,則判定該極為陽(yáng)極(A)。然后選擇指針萬(wàn)用表的R×1Ω檔。黑表筆接晶閘管的陽(yáng)極(...
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱(chēng)"死硅")更為可貴的可控性.它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài).可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過(guò)此功率,因元件開(kāi)關(guān)損耗增加,允許通過(guò)的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用.可控硅的優(yōu)點(diǎn)...
igbt模塊結(jié)溫變化會(huì)影響哪些因素?結(jié)溫是指IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)的溫度,它的變化會(huì)影響IGBT模塊的電性能、可靠性和壽命等多個(gè)方面。本文將從以下幾個(gè)方面詳細(xì)介紹IGBT模塊結(jié)溫變化對(duì)模塊性能的影響。1.IGBT的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗當(dāng)IGBT模塊結(jié)溫升高時(shí),其內(nèi)...
二極管穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管,具有穩(wěn)定電壓穩(wěn)壓管的作用。穩(wěn)壓管與普通二極管的主要區(qū)別在于,穩(wěn)壓管是工作在PN結(jié)的反向擊穿狀態(tài)。通過(guò)在制造過(guò)程中的工藝措施和使用時(shí)限制反向電流的大小,能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會(huì)因過(guò)熱而損壞。[4]穩(wěn)壓...
做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管,我們將它稱(chēng)為快速晶閘管。它具有關(guān)斷時(shí)間(toff)短、導(dǎo)通速度快.能耐較高的電流上升率(dI/dt)、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)、抗干擾能力較好等特點(diǎn)??焖倬чl管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快。目前,已有了電流幾百安培、耐壓1千...
因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故。影響串聯(lián)運(yùn)行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個(gè):1、靜態(tài)伏安特性對(duì)靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大,串聯(lián)使用時(shí)會(huì)使電壓分配不均衡。同時(shí),半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響,不同的結(jié)溫也會(huì)使均...
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱(chēng)"死硅")更為可貴的可控性.它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài).可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過(guò)此功率,因元件開(kāi)關(guān)損耗增加,允許通過(guò)的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用.可控硅的優(yōu)點(diǎn)...
在恢復(fù)電流快速衰減時(shí),由于外電路電感的作用,會(huì)在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零,到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間,就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時(shí)間t。[1]反向恢復(fù)過(guò)程結(jié)束后,由于載流子復(fù)合過(guò)程比較慢,晶閘管要恢復(fù)其對(duì)反向電壓的阻斷能力還需要一...
可控硅又稱(chēng)晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶可控硅閘管、快速晶閘管,等等??煽毓瑁强煽毓枵髟?..
且在門(mén)極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi);④應(yīng)有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離;⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中,要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通,宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種:①電...
所以包裝時(shí)將g極和e極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料,將它短接。裝配時(shí)切不可用手指直接接觸,直到g極管腳進(jìn)行長(zhǎng)久性連接。b、主電路用螺絲擰緊,控制極g要用插件,盡可能不用焊接方式。c、裝卸時(shí)應(yīng)采用接地工作臺(tái),接地地面,接地腕帶等防靜電措施。d、儀器測(cè)量時(shí),將1000電阻...
其**新研制出的IGCT擁有更好的性能,其直徑為英寸,單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us,**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門(mén)極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A,觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us。...
盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極比較大...
家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、冷暖空調(diào)器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、音響組合、聲控電路、定時(shí)控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動(dòng)門(mén)電路、以及玩具裝置、電動(dòng)工具產(chǎn)品、無(wú)線電遙控電路、攝像機(jī)等工業(yè)控制領(lǐng)域等都大量使用了可控硅器件。在這些技術(shù)應(yīng)用系統(tǒng)電路中,...
二極管穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管,具有穩(wěn)定電壓穩(wěn)壓管的作用。穩(wěn)壓管與普通二極管的主要區(qū)別在于,穩(wěn)壓管是工作在PN結(jié)的反向擊穿狀態(tài)。通過(guò)在制造過(guò)程中的工藝措施和使用時(shí)限制反向電流的大小,能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會(huì)因過(guò)熱而損壞。[4]穩(wěn)壓...
塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。晶閘管晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,大功率晶閘管多采用陶瓷封裝,而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管,快速晶閘管包括所...
在恢復(fù)電流快速衰減時(shí),由于外電路電感的作用,會(huì)在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零,到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間,就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時(shí)間t。[1]反向恢復(fù)過(guò)程結(jié)束后,由于載流子復(fù)合過(guò)程比較慢,晶閘管要恢復(fù)其對(duì)反向電壓的阻斷能力還需要一...
因?yàn)楦咚匍_(kāi)斷和關(guān)斷會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。(3)IGBT開(kāi)通后,驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過(guò)載情況下不致退出飽和而損壞。(4)IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對(duì)工作性能有較大的影響,RG較大,有...
具有單向?qū)щ娞匦?,而?yáng)極A與門(mén)極之間有兩個(gè)反極性串聯(lián)的PN結(jié)。因此,通過(guò)用萬(wàn)用表的R×100或R×1kQ檔測(cè)量普通晶閘管各引腳之間的電阻值,即能確定三個(gè)電極。具體方法是:將萬(wàn)用表黑表筆任接晶閘管某一極,紅表筆依次去觸碰另外兩個(gè)電極。若測(cè)量結(jié)果有一次阻值為幾千歐...
定義/晶閘管編輯晶閘管導(dǎo)通條件為:加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件,在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示(舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示)。晶閘管(Thyristor)...
人們?cè)谥圃旃に嚭徒Y(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施,做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管,我們將它稱(chēng)為快速晶閘管。它具有以下幾個(gè)特點(diǎn)。一、關(guān)斷時(shí)間(toff)短導(dǎo)通的晶閘管,當(dāng)切斷正向電流時(shí)。并不能馬上“關(guān)斷”,這時(shí)如立即加上正向電壓,它還會(huì)繼續(xù)導(dǎo)通。從切斷正向電流直到控制極...
α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。晶閘管晶體閘流管(英語(yǔ):Thyristor),簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管,指的是具有四層交錯(cuò)P、N層的半導(dǎo)體裝置。**早出現(xiàn)與主...
4.可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管。其主要特點(diǎn)是,當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。它的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管。目前,大功率可關(guān)斷晶閘管已...
對(duì)于IGBT模塊的壽命是個(gè)...2021-02-01標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)模塊IGBT3130為什么是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域會(huì)率先產(chǎn)生突破呢?與手機(jī)、電腦上使用的數(shù)字集成電路不同,功率半導(dǎo)體并不是一個(gè)大眾熟知的概念。數(shù)字集成電路主要處理的是信息,而不能直接使用220V的交流電...
有三個(gè)不同電極、陽(yáng)極A、陰極K和控制極G.可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制,以小電流控制大電流,并且不象繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生,而且動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影??煽毓璺譃閱蜗虻暮碗p向的,符號(hào)...
大功率IGBT模塊及驅(qū)動(dòng)技術(shù)電力電子技術(shù)在當(dāng)今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開(kāi)關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中,越來(lái)越成為各種主回路的優(yōu)先功率開(kāi)關(guān)器件,因此如何安全可靠地驅(qū)動(dòng)igbt工作,也成為越來(lái)越多的...
可控硅又稱(chēng)晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶可控硅閘管、快速晶閘管,等等??煽毓瑁强煽毓枵髟?..