將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結，并保溫不同時間，研究等靜壓壓力、燒結溫度、保溫時間對陶瓷密度、抗彎強度、硬度和斷裂韌性的影響?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動孕育無限發(fā)展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際...

碳化硅半導體屬于高度技術密集型行業(yè)，具有較高的技術、人才、資金、資源和認證壁壘，高度依賴于技術及生產經驗。受日益旺盛的需求影響，目前各路資本爭相投資，碳化硅產業(yè)成為熱門賽道。大量資本的涌入加劇了碳化硅的行業(yè)競爭。同時，全球碳化硅半導體行業(yè)市場集中度較高，市場份額主要被美國、歐洲、日本等國家和地區(qū)的企業(yè)占據，國內企業(yè)未來將面臨國際先進企業(yè)和國內新進入者的雙重競爭。若競爭過早進入白熱化，會對大批初創(chuàng)科技型碳化硅企業(yè)的成長造成致命打擊?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個...

碳化硅產業(yè)各鏈條都在互相交融、跨界。系統(tǒng)級廠商方面，比亞迪從整車制造跨到碳化硅產業(yè)前端的襯底環(huán)節(jié)，吉利則向后端做到碳化硅芯片制造；在供應鏈Tier1廠商層面，博世和華為同樣做到碳化硅芯片制造。高成本是制約碳化硅器件實現大規(guī)模商用及國產替代的主要因素，但碳化硅器件與傳統(tǒng)硅基器件的差價正在縮小。SiCSBD產品價格自2017年的4.1元/A降至2020年的1.58元/A，與硅基器件差價約為3.8倍。2019至2020年，1200V和1700V的SiCMOSFET的平均價格跌幅達30%-40%，有助于其提升市場滲透率。“中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕！五展...

“中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕，高壓燒結有兩種方式，第一種為高壓成型常壓燒結，第二種為高壓氣氛燒結。1、高壓成型常壓燒結高壓成型常壓燒結中，樣品在高壓下再次加壓后，顆粒之間的接觸點增加且氣孔減少，導致燒結前坯體的相對密度明顯增加，而陶瓷燒結活性與樣品的壓坯密度緊密相關，所以燒結溫度明顯降低。高壓成型常壓燒結使燒結溫度降低了至少200℃（無壓燒結溫度一般高于1200℃）。2、高壓氣氛燒結高壓氣氛燒結中，高壓能夠明顯增加陶瓷致密的驅動力，并且由于成核勢壘的降低使成核速率增加，擴散能力的降低使生長速率減小。高壓氣氛燒結被認為是一種比較理想的得到致密細...

得益于碳化硅的物理特性，其功率器件較硅基器件具有更高的工作頻率、更高的能量轉換效率、更好的散熱能力。碳化硅功率器件和功能模塊廣泛應用于新能源汽車、光伏發(fā)電、電源、軌道交通等領域。在新能源汽車領域，碳化硅功率器件主要用于電驅主逆變器、車載充電器（OBC）及DC-DC（直流—直流）轉換器。隨著新能源汽車需求增長及碳化硅功率器件的普及，其市場規(guī)模將進一步擴大。在光伏發(fā)電領域，碳化硅功率器件主要用于光伏逆變器，能提高能量轉換效率、降低能量損耗、增加功率密度并解決系統(tǒng)成本。隨著光伏電站電壓等級從1000V提升至1500V，未來將進一步提升至1700V乃至2000V，在更高的電壓等級下，碳化硅功率器件的優(yōu)...

注射成型過程中由于工藝參數控制不當，或者是喂料本身缺陷，以及模具設計不合理等因素，容易造成諸如欠注、斷裂、孔洞、變形、毛邊等各種缺陷。結合具體過程，對常見的注射缺陷進行分析，并加以控制，以提高生產率和喂料的利用率。1、欠注缺陷，指喂料在充模過程中不能充滿整個模腔。一般在剛開始注射時產生，可能是由喂料溫度或模具溫度過低、加料量不足、喂料粘度過大等因素引起的。通過增加預塑時間升高喂料溫度、升高模具溫度、加大進料量、升高注射溫度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、斷裂缺陷斷裂。一般發(fā)生在脫模中，往往是脆斷。主要是因為模具溫度太低，或者是保壓和冷卻時間過長，使得坯體溫度大幅下降，引起的收縮太大使坯體...

刻蝕技術是SiC器件研制的關鍵，刻蝕精度、損傷和表面殘留物對器件性能至關重要。目前，SiC刻蝕多采用干法刻蝕，其中電感耦合等離子體（ICP）刻蝕因其低壓高密度的特點，具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡單等優(yōu)點，而廣泛應用。此外，刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側壁控zhi、蝕刻速率和側壁粗糙度等需針對SiC材料特性開發(fā)。刻蝕環(huán)節(jié)主要挑戰(zhàn)包括實現更小尺寸器件結構、提高深寬比和形貌圓滑度，以及從淺溝槽向深溝槽的轉變等。主流的SiCICP刻蝕設備廠商包括德國Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國AMAT、英國牛津儀器、日本Samco及愛發(fā)科，及我國北方華創(chuàng)、中國電科48所、...

刻蝕技術是SiC器件研制的關鍵，刻蝕精度、損傷和表面殘留物對器件性能至關重要。目前，SiC刻蝕多采用干法刻蝕，其中電感耦合等離子體（ICP）刻蝕因其低壓高密度的特點，具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡單等優(yōu)點，而廣泛應用。此外，刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側壁控zhi、蝕刻速率和側壁粗糙度等需針對SiC材料特性開發(fā)?？涛g環(huán)節(jié)主要挑戰(zhàn)包括實現更小尺寸器件結構、提高深寬比和形貌圓滑度，以及從淺溝槽向深溝槽的轉變等。主流的SiCICP刻蝕設備廠商包括德國Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國AMAT、英國牛津儀器、日本Samco及愛發(fā)科，及我國北方華創(chuàng)、中國電科48所、...

陶瓷是以粘土為主要原料，并與其他天然礦物經過粉碎混煉、成型和煅燒制得的材料以及各種制品，是陶器和瓷器的總稱。陶瓷的傳統(tǒng)概念是指所有以粘土等無機非金屬礦物為原料的人工工業(yè)產品。它包括由粘土或含有粘土的混合物經混煉、成形、煅燒而制成的各種制品。陶瓷的主要原料是取之于自然界的硅酸鹽礦物，因此它與玻璃、水泥、搪瓷、耐火材料等工業(yè)同屬于“硅酸鹽工業(yè)”的范疇。廣義上的陶瓷材料指的是除有機和金屬材料以外的其他所有材料，即無機非金屬材料。陶瓷制品的品種繁多，它們之間的化學成分、礦物組成、物理性質，以及制 造方法，常?；ハ嘟咏诲e，無明顯的界限，而在應用上卻有很大的區(qū)別。因此，很 難硬性地把它們歸納為幾個系統(tǒng)，...

五展聯動；孕育無限發(fā)展商機；IACECHINA2025將與第17屆中國國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。20...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動孕育無限發(fā)展商機IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平...

碳化硅芯片驗證周期長，批量生產難度大。碳化硅主驅芯片可靠性驗證要求極高，需7-8年才能實現從設計到量產。國外廠商技術和產量的優(yōu)勢，并通過車企驗證，基本壟斷了碳化硅主驅芯片供應端。國內企業(yè)尚處于可靠性驗證起始階段，未實現批量供應。國產主驅芯片需克服可靠性驗證和批量化生產兩大難關，確保大規(guī)模供應的同時保證產品品質穩(wěn)定是行業(yè)性難題?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。無壓燒結在常壓下進行燒結，主要包括常規(guī)無壓燒結、兩步法燒結、兩段法燒結。1、常規(guī)無壓燒結將陶瓷坯體通過加熱裝置加熱到一定溫度，經保溫后冷卻到室溫以制備陶瓷的方法。常規(guī)燒結采用高溫長時間、等燒結速率進行，此方法需要較高的燒結溫度（超過1000℃）和較長的保溫時間。如果燒結溫度較低，則不能夠形成足夠的液相填充坯體里的氣孔，材料晶界結合不好并且材料中存在較大的孔洞，此時材料的電性能較差；燒結溫度過高，可能導致晶界的移動速度過快，出現晶粒異常增大現象。2、兩步法燒結燒結流程為：陶瓷坯體通過加熱裝置加熱到一定溫度后...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。無壓燒結在常壓下進行燒結，主要包括常規(guī)無壓燒結、兩步法燒結、兩段法燒結。1、常規(guī)無壓燒結將陶瓷坯體通過加熱裝置加熱到一定溫度，經保溫后冷卻到室溫以制備陶瓷的方法。常規(guī)燒結采用高溫長時間、等燒結速率進行，此方法需要較高的燒結溫度（超過1000℃）和較長的保溫時間。如果燒結溫度較低，則不能夠形成足夠的液相填充坯體里的氣孔，材料晶界結合不好并且材料中存在較大的孔洞，此時材料的電性能較差；燒結溫度過高，可能導致晶界的移動速度過快，出現晶粒異常增大現象。2、兩步法燒結燒結流程為：陶瓷坯體通過加熱裝置加熱到一定溫度后...

隨著下游應用端的不斷拓展，碳化硅產能供不應求。從全球產能情況來看，近5年內全球碳化硅襯底產能嚴重不足。2023至2025年處于擴建產能爬坡期，預計2026年新產能大量釋放，但釋放后也只能滿足不足60%的市場需求?？紤]未來再建產能的時間周期，包括評估、資本募集、建廠、訂購設備、產線爬坡等時間需求，更大產能需要在2030年后才能釋放?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制...

半導體材料作為一種在常溫下導電性能介于絕緣體與導體之間的特殊物質，在現代科技產業(yè)中發(fā)揮著至關重要的作用，被譽為現代工業(yè)的“糧食”。從研究和規(guī)?；瘧玫臅r間順序來看，半導體材料可分為三代。與以硅（Si）、鍺（Ge）為dai表的一代半導體和以砷化鎵（GaAs）為dai表的第二代半導體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為dai表的第三代半導體具有高禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和漂移速率等特征，可以滿足科技發(fā)展對高溫、高功率、gao壓、高頻等復雜場景的器件要求。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平...

碳化硅外延制作方法包括化學氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復性良好，設備適中，為目前主流技術。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業(yè)化應用。碳化硅外延設備的密閉性、氣壓、氣體通入時間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于202...

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結，并保溫不同時間，研究等靜壓壓力、燒結溫度、保溫時間對陶瓷密度、抗彎強度、硬度和斷裂韌性的影響?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動孕育無限發(fā)展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際...

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫擴散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴散系數低，需極高溫度，會惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實現離子注入區(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設備是SiC產線難度較高的設備，全球設備廠商少、交期長，國產化率低于10%，是我國碳化硅晶圓線建設的較大瓶頸。國際主流廠商包括美國亞舍立（Axcelis）及應用材料（收購瓦里安），日本愛發(fā)科及日清公司，國內廠商主要有中國電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購IBS）和凱世通也在介入?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上...

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強度，而后者會降低熱循環(huán)能力。對于那些整合了極端熱和機械應力的應用（例如混合動力汽車和電動汽車(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇?；澹ㄌ沾桑┖蛯w（銅）的熱膨脹系數存在很大差異，會在熱循環(huán)期間對鍵合區(qū)產生壓力，進而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應用的增長，設計者找到了新方法來確保這些推動極具挑戰(zhàn)性的新技術發(fā)展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶...

陶瓷是以粘土為主要原料，并與其他天然礦物經過粉碎混煉、成型和煅燒制得的材料以及各種制品，是陶器和瓷器的總稱。陶瓷的傳統(tǒng)概念是指所有以粘土等無機非金屬礦物為原料的人工工業(yè)產品。它包括由粘土或含有粘土的混合物經混煉、成形、煅燒而制成的各種制品。陶瓷的主要原料是取之于自然界的硅酸鹽礦物，因此它與玻璃、水泥、搪瓷、耐火材料等工業(yè)同屬于“硅酸鹽工業(yè)”的范疇。廣義上的陶瓷材料指的是除有機和金屬材料以外的其他所有材料，即無機非金屬材料。陶瓷制品的品種繁多，它們之間的化學成分、礦物組成、物理性質，以及制 造方法，常常互相接近交錯，無明顯的界限，而在應用上卻有很大的區(qū)別。因此，很 難硬性地把它們歸納為幾個系統(tǒng)，...

“中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕，高壓燒結有兩種方式，第一種為高壓成型常壓燒結，第二種為高壓氣氛燒結。1、高壓成型常壓燒結高壓成型常壓燒結中，樣品在高壓下再次加壓后，顆粒之間的接觸點增加且氣孔減少，導致燒結前坯體的相對密度明顯增加，而陶瓷燒結活性與樣品的壓坯密度緊密相關，所以燒結溫度明顯降低。高壓成型常壓燒結使燒結溫度降低了至少200℃（無壓燒結溫度一般高于1200℃）。2、高壓氣氛燒結高壓氣氛燒結中，高壓能夠明顯增加陶瓷致密的驅動力，并且由于成核勢壘的降低使成核速率增加，擴散能力的降低使生長速率減小。高壓氣氛燒結被認為是一種比較理想的得到致密細...

碳化硅芯片驗證周期長，批量生產難度大。碳化硅主驅芯片可靠性驗證要求極高，需7-8年才能實現從設計到量產。國外廠商技術和產量的優(yōu)勢，并通過車企驗證，基本壟斷了碳化硅主驅芯片供應端。國內企業(yè)尚處于可靠性驗證起始階段，未實現批量供應。國產主驅芯片需克服可靠性驗證和批量化生產兩大難關，確保大規(guī)模供應的同時保證產品品質穩(wěn)定是行業(yè)性難題。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應...

在需要高功率的場景中，常將多顆SiC功率半導體封裝到模塊中，實現芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓撲方式，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉模塑封結構和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結構。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統(tǒng)硅基IGBT封裝結構，難以發(fā)揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰(zhàn)。“第十七屆中國?國際先進陶...

在電動汽車主驅逆變器中，SiC MOSFET相比硅基IGBT具有明顯優(yōu)勢，如功率轉換效率高、逆變器線圈和電容小型化、降低電機鐵損、束線輕量化和節(jié)省安裝空間等。雖然碳化硅器件價格較高，但其優(yōu)勢可降低整車系統(tǒng)成本。2018年，特斯拉在Model 3中首ci將硅基 IGBT替換為SiC器件，大幅提升汽車逆變器效率，越來越多的車廠如比亞迪、蔚來、小鵬、保時捷等正在轉向在電驅中使用碳化硅MOSFET器件?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會、...

注射成型過程中由于工藝參數控制不當，或者是喂料本身缺陷，以及模具設計不合理等因素，容易造成諸如欠注、斷裂、孔洞、變形、毛邊等各種缺陷。結合具體過程，對常見的注射缺陷進行分析，并加以控制，以提高生產率和喂料的利用率。1、欠注缺陷，指喂料在充模過程中不能充滿整個模腔。一般在剛開始注射時產生，可能是由喂料溫度或模具溫度過低、加料量不足、喂料粘度過大等因素引起的。通過增加預塑時間升高喂料溫度、升高模具溫度、加大進料量、升高注射溫度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、斷裂缺陷斷裂。一般發(fā)生在脫模中，往往是脆斷。主要是因為模具溫度太低，或者是保壓和冷卻時間過長，使得坯體溫度大幅下降，引起的收縮太大使坯體...

刻蝕技術是SiC器件研制的關鍵，刻蝕精度、損傷和表面殘留物對器件性能至關重要。目前，SiC刻蝕多采用干法刻蝕，其中電感耦合等離子體（ICP）刻蝕因其低壓高密度的特點，具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡單等優(yōu)點，而廣泛應用。此外，刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側壁控zhi、蝕刻速率和側壁粗糙度等需針對SiC材料特性開發(fā)。刻蝕環(huán)節(jié)主要挑戰(zhàn)包括實現更小尺寸器件結構、提高深寬比和形貌圓滑度，以及從淺溝槽向深溝槽的轉變等。主流的SiCICP刻蝕設備廠商包括德國Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國AMAT、英國牛津儀器、日本Samco及愛發(fā)科，及我國北方華創(chuàng)、中國電科48所、...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。碳化硅作為第三代半導體的代表性材料之一，展現了突出的性能優(yōu)勢，具有極高的產業(yè)價值，被當下業(yè)內稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，是國家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過對碳化硅產業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環(huán)節(jié)的價值分析，揭示碳化硅產業(yè)鏈的發(fā)展趨勢以及面臨的機遇與挑戰(zhàn)。五展聯動孕育無限發(fā)展商機IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA...

五展聯動；孕育無限發(fā)展商機；IACECHINA2025將與第17屆中國國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。20...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！陶瓷基板產品問世，開啟散熱應用行業(yè)的發(fā)展，由于陶瓷基板散熱特色，加上陶瓷基板具有高散熱、低熱阻、壽命長、耐電壓等優(yōu)點，隨著生產技術、設備的改良，產品價格加速合理化，進而擴大LED產業(yè)的應用領域，如家電產品的指示燈、汽車車燈、路燈及戶外大型看板等。陶瓷基板的開發(fā)成功，更將成為室內照明和戶外亮化產品提供服務，使LED產業(yè)未來的市場領域更寬廣。誠邀您蒞臨參觀！賦能前沿智造，智領行業(yè)未來，“中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10日上海共創(chuàng)無限商機！3月10日至12日上海國際先進陶瓷及粉末冶金展覽會“第十...