光相干接收機(jī)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是數(shù)字信號(hào)處理功能。數(shù)字相干接收機(jī)的解調(diào)過(guò)程是完全線(xiàn)性的；所有傳輸光信號(hào)的復(fù)雜幅度信息包括偏振態(tài)在檢測(cè)后被保存分析，因此可以進(jìn)行各種信號(hào)補(bǔ)償處理，比如做色度色散補(bǔ)償和偏振模式色散補(bǔ)償。這就使得長(zhǎng)距離傳輸?shù)逆溌吩O(shè)計(jì)變得更加簡(jiǎn)單，因?yàn)閭鹘y(tǒng)的非相干光通信是要通過(guò)光路補(bǔ)償器件來(lái)進(jìn)行色散補(bǔ)償?shù)裙ぷ鞯摹＃▊鹘y(tǒng)傳輸鏈路的色散問(wèn)題，即光信號(hào)各個(gè)組成成分在光纖中傳輸時(shí)，抵達(dá)時(shí)間不一樣。）相干接收機(jī)比普通的接收機(jī)靈敏度高大約20dB,因此在傳輸系統(tǒng)中無(wú)中繼的距離就會(huì)越長(zhǎng)。得益于接收機(jī)的高靈敏度，我們可以減少在長(zhǎng)距離傳輸光路上進(jìn)行放大的次數(shù)。基于以上原因，相干光通信可以減少長(zhǎng)距離傳輸?shù)墓饫w架設(shè)...

光電探測(cè)器件的應(yīng)用選擇，實(shí)際上是應(yīng)用時(shí)的一些事項(xiàng)或要點(diǎn)。在很多要求不太嚴(yán)格的應(yīng)用中，可采用任何一種光電探測(cè)器件。不過(guò)在某些情況下，選用某種器件會(huì)更合適些。例如，當(dāng)需要比較大的光敏面積時(shí)，可選用真空光電管，因其光譜響應(yīng)范圍比較寬，故真空光電管普遍應(yīng)用于分光光度計(jì)中。當(dāng)被測(cè)輻射信號(hào)微弱、要求響應(yīng)速度較高時(shí)，采用光電倍增管較合適，因?yàn)槠浞糯蟊稊?shù)可達(dá)10^4～10^8以上，這樣高的增益可使其信號(hào)超過(guò)輸出和放大線(xiàn)路內(nèi)的噪聲分量，使得對(duì)探測(cè)器的限制只剩下光陰極電流中的統(tǒng)計(jì)變化。因此，在天文學(xué)、光譜學(xué)、激光測(cè)距和閃爍計(jì)數(shù)等方面，光電倍增管得到廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體對(duì)光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接...

光電探測(cè)器的光電轉(zhuǎn)換特性必須和入射輻射能量相匹配。其中首先要注意器件的感光面要和照射光匹配好，因光源必須照到器件的有效位置，如光照位置發(fā)生變化，則光電靈敏度將發(fā)生變化。如光敏電阻是一個(gè)可變電阻，有光照的部分電阻就降低，必須使光線(xiàn)照在兩電極間的全部電阻體上，以便有效地利用全部感光面。光電二極管、光電三極管的感光面只是結(jié)附近的一個(gè)極小的面積，故一般把透鏡作為光的入射窗，要把透鏡的焦點(diǎn)與感光的靈敏點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)。一定要使入射通量的變化中心處于檢測(cè)器件光電特性的線(xiàn)性范圍內(nèi)，以確保獲得良好的線(xiàn)性輸出。對(duì)微弱的光信號(hào)，器件必須有合適的靈敏度，以確保一定的信噪比和輸出足夠強(qiáng)的電信號(hào)。光電探測(cè)器能把光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)...

在光電探測(cè)器中利用表面等離子體共振效應(yīng)可以有效地增強(qiáng)器件的光吸收，擴(kuò)展器件的光吸收譜，從而產(chǎn)生更多的電子空穴對(duì)，提高器件的響應(yīng)電流，并且共振波長(zhǎng)能夠被金屬納米結(jié)構(gòu)的介電環(huán)境，尺寸和形狀所改變，從而調(diào)節(jié)吸收波段。規(guī)律性分布的金屬納米結(jié)構(gòu)，如孔陣列或者柵線(xiàn)等，能夠和光發(fā)生相互作用，從而提升器件的光吸收能力。除此之外，從圖中能夠看出在金屬納米粒子的表面存在著大量自由振蕩的電子，并且其具有一定的頻率，當(dāng)這個(gè)頻率與入射光的頻率相等時(shí)，那么在金屬納米粒子表面的局部區(qū)域內(nèi)光子與電子發(fā)生共振，從而極大地增強(qiáng)了器件對(duì)光的吸收。后者的激發(fā)條件比較簡(jiǎn)單，即金屬納米粒子的大小應(yīng)小于入射光的波長(zhǎng)，且改變其大小能夠調(diào)控共...

1873年，英國(guó)W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導(dǎo)效應(yīng)，但是這種效應(yīng)長(zhǎng)期處于探索研究階段，未獲實(shí)際應(yīng)用。第二次世界大戰(zhàn)以后，隨著半導(dǎo)體的發(fā)展，各種新的光電導(dǎo)材料不斷出現(xiàn)。在可見(jiàn)光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測(cè)器都已投入使用。60年代初，中遠(yuǎn)紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導(dǎo)探測(cè)器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導(dǎo)探測(cè)器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進(jìn)展。在60年代初以前還沒(méi)有研制出適用的窄禁帶寬度的半導(dǎo)體材料，因而人們利用非本征光電導(dǎo)效應(yīng)。...

半導(dǎo)體光子型探測(cè)器的性能在很大程度上取決于制備探測(cè)器所用的半導(dǎo)體材料。本征半導(dǎo)體材料比摻雜半導(dǎo)體材料更加有用。本征半導(dǎo)體材料既能用來(lái)制作光導(dǎo)型探測(cè)器，又能制做光伏型探測(cè)器；而摻雜半導(dǎo)體只能做成光導(dǎo)型探測(cè)器。截止波長(zhǎng)較長(zhǎng)的半導(dǎo)體光子型探測(cè)器，大多數(shù)必須在較低溫度下工作，如77K，38K或4.2K。同一探測(cè)器在室溫下的探測(cè)率明顯低于低溫下的探測(cè)率。為了保持半導(dǎo)體光子型探測(cè)器的正常工作，常把探測(cè)器置于低溫容器（杜瓦瓶）中，或用微型致冷器使探測(cè)器達(dá)到較低的工作溫度。光電探測(cè)器在光通信系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)將光轉(zhuǎn)變成電的作用。廣東PIN光電探測(cè)器代加工光相干接收機(jī)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是數(shù)字信號(hào)處理功能。數(shù)字相干接收機(jī)的解調(diào)過(guò)...

雪崩光電二級(jí)管（APD）是得用光生載流子在高電場(chǎng)區(qū)內(nèi)的雪崩效應(yīng)而獲得光電流增益，具有靈敏度高、響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn)，通常用于激光測(cè)距、激光雷達(dá)、弱光檢測(cè)（非線(xiàn)性）。APD雪崩倍增的過(guò)程是：當(dāng)光電二極管的p-n結(jié)加相當(dāng)大的反向偏壓時(shí)，在耗盡層內(nèi)將產(chǎn)生一個(gè)很高的電場(chǎng)，它足以使在強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)漂移的光生載流子獲得充分的動(dòng)能，通過(guò)與晶格原子碰撞將產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新的電子-空穴對(duì)在強(qiáng)電場(chǎng)作用下，分別向相反的方向運(yùn)動(dòng)，在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中又可能與原子碰撞再一次產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。如此反復(fù)，形成雪崩式的載流子倍增加。這個(gè)過(guò)程就是APD的工作基礎(chǔ)。APD一般在略低于反向南穿電壓值的反偏壓下工作。在無(wú)光照時(shí)，p-n結(jié)不會(huì)發(fā)生...

光電導(dǎo)器件：利用具有光電導(dǎo)效應(yīng)的半導(dǎo)體材料做成的光電探測(cè)器稱(chēng)為光電導(dǎo)器件，通常叫做光敏電阻。在可見(jiàn)光波段和大氣透過(guò)的幾個(gè)窗口，即近紅外、中紅外和遠(yuǎn)紅外波段，都有適用的光敏電阻。光敏電阻被較多地用于光電自動(dòng)探測(cè)系統(tǒng)、光電跟蹤系統(tǒng)、導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外光譜系統(tǒng)等。硫化鎘CdS和硒化鎘CdSe光敏電阻是可見(jiàn)光波段用得較多的兩種光敏電阻；硫化鉛PbS光敏電阻是工作于大氣紅外透過(guò)窗口的主要光敏電阻，室溫工作的PbS光敏電阻響應(yīng)波長(zhǎng)范圍1.0～3.5微米，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)2.4微米左右；銻化銦InSb光敏電阻主要用于探測(cè)大氣第二個(gè)紅外透過(guò)窗口，其響應(yīng)波長(zhǎng)3～5μm；碲鎘汞器件的光譜響應(yīng)在8～14微米，其峰值波長(zhǎng)為1...

光電流指在入射光照射下光電探測(cè)器所產(chǎn)生的光生電流，暗電流可以定義為沒(méi)有光入射的情況下探測(cè)器存在的漏電流。其大小影響著光接收機(jī)的靈敏度大小，是探測(cè)器的主要指標(biāo)之一。暗電流主要包括以下幾種：①耗盡區(qū)中邊界的少子擴(kuò)散電流;②載流子的產(chǎn)生-復(fù)合電流，通過(guò)在加工中消除硅材料的晶格缺陷，可以有效減小載流子的產(chǎn)生-復(fù)合電流，通常對(duì)于高純度的單晶硅產(chǎn)生-復(fù)合電流可以降低到2*1011A/nm2以下;③表面泄漏電流，在制造工藝結(jié)束時(shí)，對(duì)芯片表面進(jìn)行鈍化處理，可以將表面漏電流降低到1011A/nm2量級(jí)。當(dāng)然，暗電流也受探測(cè)器工作溫度和偏置電壓的影響。探測(cè)器的暗電流與噪聲是分不開(kāi)的，通常光電探測(cè)器的噪聲主要分為暗...

響應(yīng)速度可以用光生載流子的渡越時(shí)間表示，載流子的渡越時(shí)間外在的頻率響應(yīng)的表現(xiàn)就是探測(cè)器的帶寬。光生載流子的渡越時(shí)間在光生電流變化中表現(xiàn)為兩部分：上升時(shí)間和下降時(shí)間。通常取上升時(shí)間和下降時(shí)間中的較大者衡量探測(cè)器的響應(yīng)速度。決定探測(cè)器響應(yīng)速度的因素主要有：⑴、耗盡區(qū)載流子渡越時(shí)間：載流子的渡越時(shí)間是影響探測(cè)器響應(yīng)速度的很重要因素，當(dāng)耗盡區(qū)電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到比較大時(shí)，Wd表示載流子的比較大漂移速度，W表示耗盡區(qū)寬度，那么載流子的渡越時(shí)間為：t=W/Vd⑵耗盡區(qū)外載流子擴(kuò)散時(shí)間：載流子擴(kuò)散的速度較慢，同時(shí)大多數(shù)產(chǎn)生于耗盡區(qū)之外的載流子的壽命非常短，復(fù)合發(fā)生速度快。所以擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)只對(duì)距離耗盡區(qū)范圍較近的載流子才...

為了提高傳輸效率并且無(wú)畸變地變換光電信號(hào)，光電探測(cè)器不僅要和被測(cè)信號(hào)、光學(xué)系統(tǒng)相匹配，而且要和后續(xù)的電子線(xiàn)路在特性和工作參數(shù)上相匹配，使每個(gè)相互連接的器件都處于比較好的工作狀態(tài)?，F(xiàn)將光電探測(cè)器件的應(yīng)用選擇要點(diǎn)歸納如下：光電探測(cè)器必須和輻射信號(hào)源及光學(xué)系統(tǒng)在光譜特性上相匹配。如果測(cè)量波長(zhǎng)是紫外波段，則選用光電倍增管或?qū)ｉT(mén)的紫外光電半導(dǎo)體器件；如果信號(hào)是可見(jiàn)光，則可選用光電倍增管、光敏電阻和Si光電器件；如果是紅外信號(hào)，則選用光敏電阻，近紅外選用Si光電器件或光電倍增管；PIN適用于中、短距離和中、低速率系統(tǒng)，尤以PIN/FET 組件使用較多。30G PIN光電探測(cè)器賣(mài)價(jià)光電探測(cè)器的原理是由輻射引...

響應(yīng)速度可以用光生載流子的渡越時(shí)間表示，載流子的渡越時(shí)間外在的頻率響應(yīng)的表現(xiàn)就是探測(cè)器的帶寬。光生載流子的渡越時(shí)間在光生電流變化中表現(xiàn)為兩部分：上升時(shí)間和下降時(shí)間。通常取上升時(shí)間和下降時(shí)間中的較大者衡量探測(cè)器的響應(yīng)速度。決定探測(cè)器響應(yīng)速度的因素主要有：⑴、耗盡區(qū)載流子渡越時(shí)間：載流子的渡越時(shí)間是影響探測(cè)器響應(yīng)速度的很重要因素，當(dāng)耗盡區(qū)電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到比較大時(shí)，Wd表示載流子的比較大漂移速度，W表示耗盡區(qū)寬度，那么載流子的渡越時(shí)間為：t=W/Vd⑵耗盡區(qū)外載流子擴(kuò)散時(shí)間：載流子擴(kuò)散的速度較慢，同時(shí)大多數(shù)產(chǎn)生于耗盡區(qū)之外的載流子的壽命非常短，復(fù)合發(fā)生速度快。所以擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)只對(duì)距離耗盡區(qū)范圍較近的載流子才...

為了提高傳輸效率并且無(wú)畸變地變換光電信號(hào)，光電探測(cè)器不僅要和被測(cè)信號(hào)、光學(xué)系統(tǒng)相匹配，而且要和后續(xù)的電子線(xiàn)路在特性和工作參數(shù)上相匹配，使每個(gè)相互連接的器件都處于比較好的工作狀態(tài)?，F(xiàn)將光電探測(cè)器件的應(yīng)用選擇要點(diǎn)歸納如下：光電探測(cè)器必須和輻射信號(hào)源及光學(xué)系統(tǒng)在光譜特性上相匹配。如果測(cè)量波長(zhǎng)是紫外波段，則選用光電倍增管或?qū)ｉT(mén)的紫外光電半導(dǎo)體器件；如果信號(hào)是可見(jiàn)光，則可選用光電倍增管、光敏電阻和Si光電器件；如果是紅外信號(hào)，則選用光敏電阻，近紅外選用Si光電器件或光電倍增管。半導(dǎo)體對(duì)光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。光電探測(cè)器代加工偏振復(fù)用就是將激光器發(fā)出的光通過(guò)偏振分束...

在光通信領(lǐng)域，更大的帶寬、更長(zhǎng)的傳輸距離、更高的接收靈敏度，永遠(yuǎn)都是科研者的追求目標(biāo)。盡管波分復(fù)用（WDM）技術(shù)和摻鉺光纖放大器（EDFA）的應(yīng)用已經(jīng)極大的提高了光通信系統(tǒng)的帶寬和傳輸距離，但是近十年來(lái)伴隨著視頻會(huì)議等通信技術(shù)的應(yīng)用和互聯(lián)網(wǎng)的普及產(chǎn)生的信息快速式增長(zhǎng)，對(duì)作為整個(gè)通信系統(tǒng)基礎(chǔ)的物理層提出了更高的傳輸性能要求。目前光通信系統(tǒng)采用強(qiáng)度調(diào)制/直接檢測(cè)(IM/DD)即發(fā)送端調(diào)制光載波強(qiáng)度，接收機(jī)對(duì)光載波進(jìn)行包絡(luò)檢測(cè)。盡管這種結(jié)構(gòu)具有簡(jiǎn)單、容易集成等優(yōu)點(diǎn)，但是由于只能采用ASK調(diào)制格式，其單路信道帶寬很有限。因此這種傳統(tǒng)光通信技術(shù)勢(shì)必會(huì)被更先進(jìn)的技術(shù)所代替。然而在通信泡沫破滅的現(xiàn)在，新的光...

光電探測(cè)器的原理是由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率發(fā)生改變。光電探測(cè)器在國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有較廣的用途。在可見(jiàn)光或近紅外波段主要用于射線(xiàn)測(cè)量和探測(cè)、工業(yè)自動(dòng)控制、光度計(jì)量等；在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴(kuò)散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個(gè)靶面由約10萬(wàn)個(gè)單獨(dú)探測(cè)器組成。光電探測(cè)器必須和光信號(hào)的調(diào)制形式、信號(hào)頻率及波形相匹配。飛博光電高轉(zhuǎn)換效率光電探測(cè)器產(chǎn)品介紹光電探測(cè)器件的應(yīng)用選擇，實(shí)際上是應(yīng)用時(shí)的一些事項(xiàng)或要點(diǎn)。在很多要求不太嚴(yán)格的應(yīng)用中...

光相干接收機(jī)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是數(shù)字信號(hào)處理功能。數(shù)字相干接收機(jī)的解調(diào)過(guò)程是完全線(xiàn)性的；所有傳輸光信號(hào)的復(fù)雜幅度信息包括偏振態(tài)在檢測(cè)后被保存分析，因此可以進(jìn)行各種信號(hào)補(bǔ)償處理，比如做色度色散補(bǔ)償和偏振模式色散補(bǔ)償。這就使得長(zhǎng)距離傳輸?shù)逆溌吩O(shè)計(jì)變得更加簡(jiǎn)單，因?yàn)閭鹘y(tǒng)的非相干光通信是要通過(guò)光路補(bǔ)償器件來(lái)進(jìn)行色散補(bǔ)償?shù)裙ぷ鞯摹＃▊鹘y(tǒng)傳輸鏈路的色散問(wèn)題，即光信號(hào)各個(gè)組成成分在光纖中傳輸時(shí)，抵達(dá)時(shí)間不一樣。）相干接收機(jī)比普通的接收機(jī)靈敏度高大約20dB,因此在傳輸系統(tǒng)中無(wú)中繼的距離就會(huì)越長(zhǎng)。得益于接收機(jī)的高靈敏度，我們可以減少在長(zhǎng)距離傳輸光路上進(jìn)行放大的次數(shù)。基于以上原因，相干光通信可以減少長(zhǎng)距離傳輸?shù)墓饫w架設(shè)...

光電三級(jí)管與光電二極管比較，光電三級(jí)管輸出電流較大，一般在毫安級(jí)，但光照特性較差，多用于要求輸出電流較大的場(chǎng)合。光電三極管有pnp和npn型兩種結(jié)構(gòu)，常用材料有硅和鍺。例如用硅材料制作的npn型結(jié)有3DU型，pnp型有3CU型。采用硅npn型光電三極管，其暗電流比鍺光電三極管小，且受溫度變化影響小，所以得到位廣泛應(yīng)用。下面以3DU型光電三極管為例說(shuō)明它的結(jié)構(gòu)、工作原理與主要特性。3DU型光電三極管是以p型硅為基極的三極管。3DU管的結(jié)構(gòu)和普通晶體管類(lèi)似，只是在材料的摻雜情況、結(jié)面積的大小和基極引線(xiàn)的設(shè)置上和普通晶體管不同。因?yàn)楣怆娙龢O管要響應(yīng)光輻射，受光面即集電結(jié)（bc結(jié)）面積比一般晶體管大。...

1873年，英國(guó)W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導(dǎo)效應(yīng)，但是這種效應(yīng)長(zhǎng)期處于探索研究階段，未獲實(shí)際應(yīng)用。第二次世界大戰(zhàn)以后，隨著半導(dǎo)體的發(fā)展，各種新的光電導(dǎo)材料不斷出現(xiàn)。在可見(jiàn)光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測(cè)器都已投入使用。60年代初，中遠(yuǎn)紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導(dǎo)探測(cè)器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導(dǎo)探測(cè)器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進(jìn)展。工作原理和特性光電導(dǎo)效應(yīng)是內(nèi)光電效應(yīng)的一種。當(dāng)照射的光子能量hv等于或大于半導(dǎo)體的禁帶寬...

半導(dǎo)體光子型探測(cè)器的性能在很大程度上取決于制備探測(cè)器所用的半導(dǎo)體材料。本征半導(dǎo)體材料比摻雜半導(dǎo)體材料更加有用。本征半導(dǎo)體材料既能用來(lái)制作光導(dǎo)型探測(cè)器，又能制做光伏型探測(cè)器；而摻雜半導(dǎo)體只能做成光導(dǎo)型探測(cè)器。截止波長(zhǎng)較長(zhǎng)的半導(dǎo)體光子型探測(cè)器，大多數(shù)必須在較低溫度下工作，如77K，38K或4.2K。同一探測(cè)器在室溫下的探測(cè)率明顯低于低溫下的探測(cè)率。為了保持半導(dǎo)體光子型探測(cè)器的正常工作，常把探測(cè)器置于低溫容器（杜瓦瓶）中，或用微型致冷器使探測(cè)器達(dá)到較低的工作溫度。線(xiàn)性度和靈敏度是衡量PIN型光電探測(cè)器性能的兩個(gè)重要參數(shù)。深圳16GHZ PIN光電探測(cè)器聯(lián)系人1873年，英國(guó)W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導(dǎo)效...

光電探測(cè)器件的應(yīng)用選擇，實(shí)際上是應(yīng)用時(shí)的一些事項(xiàng)或要點(diǎn)。在很多要求不太嚴(yán)格的應(yīng)用中，可采用任何一種光電探測(cè)器件。不過(guò)在某些情況下，選用某種器件會(huì)更合適些。例如，當(dāng)需要比較大的光敏面積時(shí)，可選用真空光電管，因其光譜響應(yīng)范圍比較寬，故真空光電管普遍應(yīng)用于分光光度計(jì)中。當(dāng)被測(cè)輻射信號(hào)微弱、要求響應(yīng)速度較高時(shí)，采用光電倍增管較合適，因?yàn)槠浞糯蟊稊?shù)可達(dá)10^4～10^8以上，這樣高的增益可使其信號(hào)超過(guò)輸出和放大線(xiàn)路內(nèi)的噪聲分量，使得對(duì)探測(cè)器的限制只剩下光陰極電流中的統(tǒng)計(jì)變化。因此，在天文學(xué)、光譜學(xué)、激光測(cè)距和閃爍計(jì)數(shù)等方面，光電倍增管得到廣泛應(yīng)用。光電探測(cè)器必須和輻射信號(hào)源及光學(xué)系統(tǒng)在光譜特性上相匹配。...

固體光電探測(cè)器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動(dòng)曝光）中得到采用；光電池是固體光電器件中具有比較大光敏面積的器件，它除用做探測(cè)器件外，還可作太陽(yáng)能變換器；硅光電二極管體積小、響應(yīng)快、可靠性高，而且在可見(jiàn)光與近紅外波段內(nèi)有較高的量子效率，因而在各種工業(yè)控制中獲得應(yīng)用。硅雪崩管由于增益高、響應(yīng)快、噪聲小，因而在激光測(cè)距與光纖通信中普遍采用。photoconductivedetector利用半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)效應(yīng)制成的一種光探測(cè)器件。所謂光電導(dǎo)效應(yīng)，是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。光電導(dǎo)探測(cè)器在國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有較廣用途。在可見(jiàn)光或近紅外波段主要用于射...

響應(yīng)速度可以用光生載流子的渡越時(shí)間表示，載流子的渡越時(shí)間外在的頻率響應(yīng)的表現(xiàn)就是探測(cè)器的帶寬。光生載流子的渡越時(shí)間在光生電流變化中表現(xiàn)為兩部分：上升時(shí)間和下降時(shí)間。通常取上升時(shí)間和下降時(shí)間中的較大者衡量探測(cè)器的響應(yīng)速度。決定探測(cè)器響應(yīng)速度的因素主要有：⑴、耗盡區(qū)載流子渡越時(shí)間：載流子的渡越時(shí)間是影響探測(cè)器響應(yīng)速度的很重要因素，當(dāng)耗盡區(qū)電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到比較大時(shí)，Wd表示載流子的比較大漂移速度，W表示耗盡區(qū)寬度，那么載流子的渡越時(shí)間為：t=W/Vd⑵耗盡區(qū)外載流子擴(kuò)散時(shí)間：載流子擴(kuò)散的速度較慢，同時(shí)大多數(shù)產(chǎn)生于耗盡區(qū)之外的載流子的壽命非常短，復(fù)合發(fā)生速度快。所以擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)只對(duì)距離耗盡區(qū)范圍較近的載流子才...

響應(yīng)速度可以用光生載流子的渡越時(shí)間表示，載流子的渡越時(shí)間外在的頻率響應(yīng)的表現(xiàn)就是探測(cè)器的帶寬。光生載流子的渡越時(shí)間在光生電流變化中表現(xiàn)為兩部分：上升時(shí)間和下降時(shí)間。通常取上升時(shí)間和下降時(shí)間中的較大者衡量探測(cè)器的響應(yīng)速度。決定探測(cè)器響應(yīng)速度的因素主要有：⑴、耗盡區(qū)載流子渡越時(shí)間：載流子的渡越時(shí)間是影響探測(cè)器響應(yīng)速度的很重要因素，當(dāng)耗盡區(qū)電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到比較大時(shí)，Wd表示載流子的比較大漂移速度，W表示耗盡區(qū)寬度，那么載流子的渡越時(shí)間為：t=W/Vd⑵耗盡區(qū)外載流子擴(kuò)散時(shí)間：載流子擴(kuò)散的速度較慢，同時(shí)大多數(shù)產(chǎn)生于耗盡區(qū)之外的載流子的壽命非常短，復(fù)合發(fā)生速度快。所以擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)只對(duì)距離耗盡區(qū)范圍較近的載流子才...

光子型探測(cè)器是有選擇性響應(yīng)波長(zhǎng)的探測(cè)器件。只有當(dāng)入射光子能量大于光敏材料中的電子激發(fā)能E時(shí)，光子型探測(cè)器才有響應(yīng)。對(duì)于外光電效應(yīng)器件，如光電管和光電倍增管，E等于電子逸出光電陰極時(shí)所要作的功，此數(shù)值一般略大于1電子伏。因此，這類(lèi)探測(cè)器只能用于探測(cè)近紅外輻射或可見(jiàn)光。對(duì)于內(nèi)光電效應(yīng)器件，如光伏型探測(cè)器和本征光導(dǎo)型探測(cè)器，E等于半導(dǎo)體的禁帶寬度；對(duì)于非本征光導(dǎo)型探測(cè)器，E等于雜質(zhì)電離能。由于禁帶寬度和雜質(zhì)電離能這兩個(gè)參數(shù)都有較大的選擇余地，因此，半導(dǎo)體光子型探測(cè)器的響應(yīng)波長(zhǎng)可以在較大范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)。例如，用本征鍺做成的光導(dǎo)型探測(cè)器，對(duì)近紅外輻射敏感；而用摻雜質(zhì)的鍺做成的光導(dǎo)型探測(cè)器，既能對(duì)中紅外輻...

利用內(nèi)光電效應(yīng)制成的光子型探測(cè)器是用半導(dǎo)體材料制成的固態(tài)電子器件，主要包括光電導(dǎo)探測(cè)器和光伏型探測(cè)器等。光電導(dǎo)探測(cè)器具有光電導(dǎo)效應(yīng)，是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。當(dāng)照射的光子能量hv等于或大于半導(dǎo)體的禁帶寬度Eg時(shí)，光子能夠?qū)r(jià)帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶，從而產(chǎn)生導(dǎo)電的電子、空穴對(duì),這就是本征光電導(dǎo)效應(yīng)。光伏型探測(cè)器通常由半導(dǎo)體PN結(jié)構(gòu)成，其原理是利用PN結(jié)的內(nèi)建電場(chǎng)將光生載流子（用光照射半導(dǎo)體時(shí)，若光子的能量等于或大于半導(dǎo)體的禁帶寬度，則價(jià)帶中的電子吸收光子后進(jìn)入導(dǎo)帶，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)）掃出結(jié)區(qū)而形成信號(hào)。當(dāng)探測(cè)器受到光照(輻照)、體內(nèi)發(fā)生本征光吸收時(shí)，產(chǎn)生兩種帶相反電荷的光生...

光子型探測(cè)器是有選擇性響應(yīng)波長(zhǎng)的探測(cè)器件。只有當(dāng)入射光子能量大于光敏材料中的電子激發(fā)能E時(shí)，光子型探測(cè)器才有響應(yīng)。對(duì)于外光電效應(yīng)器件，如光電管和光電倍增管，E等于電子逸出光電陰極時(shí)所要作的功，此數(shù)值一般略大于1電子伏。因此，這類(lèi)探測(cè)器只能用于探測(cè)近紅外輻射或可見(jiàn)光。對(duì)于內(nèi)光電效應(yīng)器件，如光伏型探測(cè)器和本征光導(dǎo)型探測(cè)器，E等于半導(dǎo)體的禁帶寬度；對(duì)于非本征光導(dǎo)型探測(cè)器，E等于雜質(zhì)電離能。由于禁帶寬度和雜質(zhì)電離能這兩個(gè)參數(shù)都有較大的選擇余地，因此，半導(dǎo)體光子型探測(cè)器的響應(yīng)波長(zhǎng)可以在較大范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)。例如，用本征鍺做成的光導(dǎo)型探測(cè)器，對(duì)近紅外輻射敏感；而用摻雜質(zhì)的鍺做成的光導(dǎo)型探測(cè)器，既能對(duì)中紅外輻...

響應(yīng)速度可以用光生載流子的渡越時(shí)間表示，載流子的渡越時(shí)間外在的頻率響應(yīng)的表現(xiàn)就是探測(cè)器的帶寬。光生載流子的渡越時(shí)間在光生電流變化中表現(xiàn)為兩部分：上升時(shí)間和下降時(shí)間。通常取上升時(shí)間和下降時(shí)間中的較大者衡量探測(cè)器的響應(yīng)速度。決定探測(cè)器響應(yīng)速度的因素主要有：⑴、耗盡區(qū)載流子渡越時(shí)間：載流子的渡越時(shí)間是影響探測(cè)器響應(yīng)速度的很重要因素，當(dāng)耗盡區(qū)電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到比較大時(shí)，Wd表示載流子的比較大漂移速度，W表示耗盡區(qū)寬度，那么載流子的渡越時(shí)間為：t=W/Vd⑵耗盡區(qū)外載流子擴(kuò)散時(shí)間：載流子擴(kuò)散的速度較慢，同時(shí)大多數(shù)產(chǎn)生于耗盡區(qū)之外的載流子的壽命非常短，復(fù)合發(fā)生速度快。所以擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)只對(duì)距離耗盡區(qū)范圍較近的載流子才...

現(xiàn)代光電子系統(tǒng)非常復(fù)雜，但它的基本組成可用待傳送信號(hào)經(jīng)過(guò)編碼器編碼后加到調(diào)制器上去調(diào)制光源發(fā)出的光，被調(diào)制后的光由發(fā)射光學(xué)系統(tǒng)發(fā)送出去.發(fā)射光學(xué)系統(tǒng)又稱(chēng)為發(fā)射天線(xiàn)，因?yàn)楣獠ㄊ且环N電磁波，發(fā)射光學(xué)系統(tǒng)所起的作用和無(wú)線(xiàn)電發(fā)射天線(xiàn)所起的作用完全相同.發(fā)送出去的光信號(hào)經(jīng)過(guò)傳輸介質(zhì)，如大氣等，到達(dá)接收端.由接收光學(xué)系統(tǒng)或接收天線(xiàn)將光聚焦到光電探測(cè)器上，光電過(guò)長(zhǎng)距離傳輸后會(huì)衰減，使接收到的信號(hào)一般很弱，因此需要用前置放大器將其放大，然后進(jìn)行解碼，還原成發(fā)送端原始的待傳送信號(hào)，然后由終端顯示器顯示出來(lái).PIN適用于中、短距離和中、低速率系統(tǒng)，尤以PIN/FET 組件使用較多。石巖16GHZ PIN光電探測(cè)器...

利用外光電效應(yīng)制成的光子型探測(cè)器是真空電子器件，如光電管、光電倍增管和紅外變像管等。這些器件都包含一個(gè)對(duì)光子敏感的光電陰極，當(dāng)光子投射到光電陰極上時(shí)，光子可能被光電陰極中的電子吸收，獲得足夠大能量的電子能逸出光電陰極而成為自由的光電子。在光電管中，光電子在帶正電的陽(yáng)極的作用下運(yùn)動(dòng)，構(gòu)成光電流。光電倍增管與光電管的差別在于，在光電倍增管的光電陰極與陽(yáng)極之間設(shè)置了多個(gè)電位逐級(jí)上升并能產(chǎn)生二次電子的電極（稱(chēng)為打拿極）。從光電陰極逸出的光電子在打拿極電壓的加速下與打拿極碰撞，發(fā)生倍增效應(yīng)，然后形成較大的光電流信號(hào)。因此，光電倍增管具有比光電管高得多的靈敏度。紅外變像管是一種紅外-可見(jiàn)圖像轉(zhuǎn)換器,它由光...

光通信雖然以光作為傳播媒介，但歸根結(jié)底還是基于電的。光載波需要使用電信號(hào)來(lái)進(jìn)行調(diào)制，接收機(jī)接收到光信號(hào)也需要將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，才能獲得所攜帶的信息。光的帶寬暫且可以認(rèn)為是無(wú)限的，但是電信號(hào)的帶寬不可能無(wú)限提高。相對(duì)于低頻信號(hào)，高頻信號(hào)有著更高的損耗（包括導(dǎo)線(xiàn)損耗、介質(zhì)損耗以及電磁輻射等），這就導(dǎo)致信號(hào)通路的頻率響應(yīng)是一條向下的曲線(xiàn)，高頻成分的減少導(dǎo)致上升下降時(shí)間會(huì)比原來(lái)更長(zhǎng)（因?yàn)楦叽沃C波比低次諧波更為陡峭，這點(diǎn)很容易理解）。因此帶寬的選擇對(duì)時(shí)域波形的較短上升邊有直接的影響。減小探測(cè)器的暗電流能提高光接收機(jī)的靈敏度。10G多模 PIN光電探測(cè)器私人定做相干光通信的理論和實(shí)驗(yàn)始于80年代。由于相干...