光子型探測(cè)器是有選擇性響應(yīng)波長(zhǎng)的探測(cè)器件。只有當(dāng)入射光子能量大于光敏材料中的電子激發(fā)能E時(shí)，光子型探測(cè)器才有響應(yīng)。對(duì)于外光電效應(yīng)器件，如光電管和光電倍增管，E等于電子逸出光電陰極時(shí)所要作的功，此數(shù)值一般略大于1電子伏。因此，這類探測(cè)器只能用于探測(cè)近紅外輻射或可見光。對(duì)于內(nèi)光電效應(yīng)器件，如光伏型探測(cè)器和本征光導(dǎo)型探測(cè)器，E等于半導(dǎo)體的禁帶寬度；對(duì)于非本征光導(dǎo)型探測(cè)器，E等于雜質(zhì)電離能。由于禁帶寬度和雜質(zhì)電離能這兩個(gè)參數(shù)都有較大的選擇余地，因此，半導(dǎo)體光子型探測(cè)器的響應(yīng)波長(zhǎng)可以在較大范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)。例如，用本征鍺做成的光導(dǎo)型探測(cè)器，對(duì)近紅外輻射敏感；而用摻雜質(zhì)的鍺做成的光導(dǎo)型探測(cè)器，既能對(duì)中紅外輻射敏感（如鍺摻汞探測(cè)器），也能對(duì)遠(yuǎn)紅外輻射敏感（如鍺摻鎵探測(cè)器）。光電探測(cè)器的性能指標(biāo)主要由量子效率、響應(yīng)度、響應(yīng)速度和本征帶寬、光電流，暗電流和噪聲等指標(biāo)組成。飛博光電高帶寬光電探測(cè)器服務(wù)電話
相干接收：在接收設(shè)備中利用載波相位信息去檢測(cè)并接收信號(hào)。非相干接收：在接收設(shè)備中不用載波相位信息去檢測(cè)就接收信號(hào)。主要是在于接收端用不用提供同頻同相的載波。在相干光通信中主要利用了相干調(diào)制和外差檢測(cè)技術(shù)。所謂相干調(diào)制，就是利用要傳輸旳信號(hào)來改變光載波旳頻率、相位和振幅（而不象強(qiáng)度檢測(cè)那樣只是改變光旳強(qiáng)度），這就需要光信號(hào)有確定旳頻率和相位（而不象自然光那樣沒有確定旳頻率和相位），即應(yīng)是相干光。激光就是─種相干光。所謂外差檢測(cè)，就是利用─束本機(jī)振蕩產(chǎn)生旳激光與輸入旳信號(hào)光在光混頻器中進(jìn)行混頻，得到與信號(hào)光旳頻率、位相和振幅按相同規(guī)律變化旳中頻信號(hào)。深圳高速光電探測(cè)器供應(yīng)可接收的光功率的大小是由探測(cè)器的暗電流決定的。
光電探測(cè)器在光通信系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)將光轉(zhuǎn)變成電的作用，這主要是基于半導(dǎo)體材料的光生伏特的效應(yīng)，所謂的光生伏特X應(yīng)是指光照使不均勻半導(dǎo)體或半導(dǎo)體與金屬結(jié)合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象。(光電導(dǎo)效應(yīng)是指在光線作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過度到自由狀態(tài)，而引起材料電導(dǎo)率的變化的象。即當(dāng)光照射到光電導(dǎo)體上時(shí)，若這個(gè)光電導(dǎo)體為本征半導(dǎo)體材料，且光輻射能量又足夠強(qiáng)，光電材料價(jià)帶上的電子將被激發(fā)到導(dǎo)帶上去，使光導(dǎo)體的電導(dǎo)率變大是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象，光子作用于光電導(dǎo)材料，形成本征吸收或雜質(zhì)吸收，產(chǎn)生附加的光生載流子，從而使半導(dǎo)體的電導(dǎo)率發(fā)生變化，產(chǎn)生光電導(dǎo)效應(yīng)。)
光電三級(jí)管與光電二極管比較，光電三級(jí)管輸出電流較大，一般在毫安級(jí)，但光照特性較差，多用于要求輸出電流較大的場(chǎng)合。光電三極管有pnp和npn型兩種結(jié)構(gòu)，常用材料有硅和鍺。例如用硅材料制作的npn型結(jié)有3DU型，pnp型有3CU型。采用硅npn型光電三極管，其暗電流比鍺光電三極管小，且受溫度變化影響小，所以得到位廣泛應(yīng)用。下面以3DU型光電三極管為例說明它的結(jié)構(gòu)、工作原理與主要特性。3DU型光電三極管是以p型硅為基極的三極管。3DU管的結(jié)構(gòu)和普通晶體管類似，只是在材料的摻雜情況、結(jié)面積的大小和基極引線的設(shè)置上和普通晶體管不同。因?yàn)楣怆娙龢O管要響應(yīng)光輻射，受光面即集電結(jié)（bc結(jié)）面積比一般晶體管大。另外，它是利用光控制集電極電流的，所以在基極上既可設(shè)置引線進(jìn)行電控制，也可以不設(shè)，完全同光一控制。它的工作原理是工作時(shí)各電極所加的電壓與普通晶體管相同，即要保證集電結(jié)反偏置，發(fā)射正偏聽偏置。由于集電結(jié)是反偏壓，在結(jié)區(qū)有很強(qiáng)的內(nèi)建電場(chǎng)，對(duì)3DU管來講，內(nèi)建電場(chǎng)方向是由c到b的。和光電二極管工作原理相同。在光線作用下，物體內(nèi)的電子逸出物體表面向外發(fā)射的現(xiàn)象稱為外光電效應(yīng)。
固體光電探測(cè)器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動(dòng)曝光）中得到采用；光電池是固體光電器件中具有比較大光敏面積的器件，它除用做探測(cè)器件外，還可作太陽(yáng)能變換器；硅光電二極管體積小、響應(yīng)快、可靠性高，而且在可見光與近紅外波段內(nèi)有較高的量子效率，因而在各種工業(yè)控制中獲得應(yīng)用。硅雪崩管由于增益高、響應(yīng)快、噪聲小，因而在激光測(cè)距與光纖通信中普遍采用。photoconductivedetector利用半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)效應(yīng)制成的一種光探測(cè)器件。所謂光電導(dǎo)效應(yīng)，是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。光電導(dǎo)探測(cè)器在國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有較廣用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測(cè)量和探測(cè)、工業(yè)自動(dòng)控制、光度計(jì)量等；在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴(kuò)散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個(gè)靶面由約10萬(wàn)個(gè)單獨(dú)探測(cè)器組成。光子型探測(cè)器是有選擇性響應(yīng)波長(zhǎng)的探測(cè)器件。石巖相干接收機(jī)光電探測(cè)器優(yōu)勢(shì)
PIN缺點(diǎn)在于I層電阻很大管子的輸出電流小，一般多為零點(diǎn)幾微安至數(shù)微安。飛博光電高帶寬光電探測(cè)器服務(wù)電話
在光照射下，半導(dǎo)體PN結(jié)中的原子因吸收光子而受到激發(fā)。光子能量大于禁帶時(shí)會(huì)產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的非平衡載流子，在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下空穴移向P區(qū)，電子移向N區(qū)，形成與內(nèi)建電場(chǎng)方向相反的光生電場(chǎng)，于是在P區(qū)和N區(qū)間建立了光生電動(dòng)勢(shì)。這種光照無偏置的PN結(jié)所產(chǎn)生的光生電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱為光生伏特的效應(yīng)，相當(dāng)于在PN結(jié)兩端施加正向電壓。與光電導(dǎo)效應(yīng)相反，光伏效應(yīng)是一種少數(shù)載流子過程，少數(shù)載流子壽命通常短于多數(shù)載流子，也因此光伏效應(yīng)的光電探測(cè)器通常比用相同材料制成的光電導(dǎo)探測(cè)器響應(yīng)更快。飛博光電高帶寬光電探測(cè)器服務(wù)電話
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