電磁波輻射基礎(chǔ)知識(shí)：電磁輻射常見(jiàn)的產(chǎn)生方式是導(dǎo)體中電流的突變或者電壓的驟升，輻射的路徑通過(guò)PCB走線，器件的引腳，連接器或者是其它的金屬介質(zhì)，包括機(jī)箱，機(jī)架或者是產(chǎn)品的外殼。這個(gè)電磁輻射實(shí)際上是指電場(chǎng)和磁場(chǎng)的相互作用，相互影響。它被這樣描述：正交時(shí)變的電場(chǎng)和磁...

電源DC-DC晶片的VIN接腳，合理配置電容，減少輸入電源的EMI；在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動(dòng)態(tài)功率將從近端的電容獲取，而不是從遠(yuǎn)端的電源獲取，降低了雜訊干擾。另外，電源平面和地平面盡量完整。EMI又稱(chēng)電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓...

如果用于識(shí)別輻射源，由于準(zhǔn)峰值檢波器算法結(jié)果總是小于或等于峰值檢波器，因此使用峰值檢波器足夠。準(zhǔn)峰值檢波器結(jié)果和峰值檢波器結(jié)果都涉及相同的信號(hào)重復(fù)率，您可以用公式表示數(shù)學(xué)波形，或者在故障排查過(guò)程中考慮到這一點(diǎn)。另一方面，EMI濾波器只會(huì)略微改變結(jié)果。與測(cè)試接收...

混合域示波器（MDO）的推出使情況有了改觀，它能提供同步的而且與時(shí)間相關(guān)聯(lián)的觀察和測(cè)量功能。如圖5所示的這種儀器能夠相當(dāng)容易地讓我們觀察哪個(gè)信號(hào)與哪個(gè)EMI事件同時(shí)發(fā)生，從而可以簡(jiǎn)化EMI排查過(guò)程?；旌嫌蚴静ㄆ鳎∕DO）將頻譜分析儀、示波器和邏輯分析儀組合在一...

我們將初步的診斷步驟詳列于下﹐并加以說(shuō)明其關(guān)鍵點(diǎn)﹐這些步驟看來(lái)似乎非常平凡簡(jiǎn)單﹐不像介紹對(duì)策方法各種理論秘籍絕招層出不窮﹐變化奧妙。其實(shí)﹐許多很好EMI工程師在其對(duì)策處理時(shí)﹐大部份的時(shí)間都在重復(fù)這些步驟與判斷。筆者要再次強(qiáng)調(diào)﹐只有真正找到造成EMI問(wèn)題的關(guān)鍵﹐...

EMI電磁干擾場(chǎng)地勘測(cè)：便攜式的頻譜分析儀與寬帶天線的組合在探測(cè)電磁干擾過(guò)程中特別有用。在1KHz～1GHz之間的輻射電磁干擾探測(cè)只用一臺(tái)頻譜分析儀和一根天線就可完成。不同地理位置環(huán)境干擾的勘測(cè)有助于確定好的的EMI開(kāi)闊測(cè)試場(chǎng)地?？睖y(cè)的信息也可用于確定安置EM...

EMI是如何發(fā)生的？從技朮上EMI通常由變化的電磁場(chǎng)及把它們導(dǎo)通傳輸，電感或電容耦合通過(guò)自由或其組合，開(kāi)關(guān)電源是對(duì)EMI及RFI的產(chǎn)生壞的來(lái)源之一。開(kāi)關(guān)晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。由開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的共模噪聲是大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的障礙...

對(duì)于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來(lái)考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對(duì)于高速的數(shù)字器件來(lái)說(shuō)，產(chǎn)生高頻交流信號(hào)時(shí)的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個(gè)主要原因。我們知道，數(shù)字信號(hào)在開(kāi)關(guān)輸出時(shí)產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很...

從我做EMC的整改經(jīng)驗(yàn)來(lái)看我不能認(rèn)同這些朋友的意見(jiàn)。我從事整改好幾年經(jīng)我手整改過(guò)的產(chǎn)品有電源，有陸軍標(biāo)的逆變電源，有工業(yè)電源，也有大功率的LED電源，還有音視頻產(chǎn)品，我對(duì)這些產(chǎn)品的工和原理只是知道個(gè)大概，無(wú)論如何也比不上各位工程師，但我一樣可以半這些產(chǎn)品整改符...

EMI是如何發(fā)生的？從技朮上EMI通常由變化的電磁場(chǎng)及把它們導(dǎo)通傳輸，電感或電容耦合通過(guò)自由或其組合，開(kāi)關(guān)電源是對(duì)EMI及RFI的產(chǎn)生壞的來(lái)源之一。開(kāi)關(guān)晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。由開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的共模噪聲是大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的障礙...

EMI整改和調(diào)試是工程師在設(shè)計(jì)中不可回避的問(wèn)題：一次性很難通過(guò)昂貴的EMI一致性測(cè)試；難以捕獲偶發(fā)的EMI突發(fā)信號(hào)；需要擁有較長(zhǎng)儀器采集時(shí)間的實(shí)時(shí)頻譜分析儀才可能捕獲EMI突發(fā)信號(hào)；大多數(shù)頻譜分析儀不是實(shí)時(shí)頻譜分析儀；EMI調(diào)試中很難找到噪聲來(lái)源；截短PCB線...

高速線，一般是SDRAM、及數(shù)字視頻信號(hào)的VCLK了，好在其走線背面有地銅層，沒(méi)有條件的，至少要有一條較寬的地線“護(hù)送”，能包地就更理想了，有的時(shí)候需要在靠MCU一端串電阻，消除過(guò)沖（過(guò)沖對(duì)輻射影響很大），不要串得太大，以免引起延遲；還有就是背面不要有平行的線...

正確的EMI診斷方法是,當(dāng)對(duì)一個(gè)可能的干擾源采取了壓制措施后,即使沒(méi)有明顯的改善,也不要將這個(gè)措施去掉,繼續(xù)對(duì)可能的其他干擾源采取措施。當(dāng)采取到某個(gè)措施時(shí),如果干擾幅度降低很多,并能通過(guò)測(cè)試,并不一說(shuō)明這個(gè)干擾源是主要的,而只說(shuō)明這個(gè)干擾擾源相對(duì)于后幾個(gè)干擾源...

許多頻譜分析儀重量輕，可以方便地移入測(cè)試室內(nèi)以對(duì)被測(cè)產(chǎn)品進(jìn)行連續(xù)觀察。測(cè)試人員可以用電場(chǎng)或磁場(chǎng)探頭探測(cè)被測(cè)設(shè)備泄漏區(qū)域。通常這些區(qū)域包括像箱體接縫、顯示屏前面板、接口線纜、鍵盤(pán)線纜、鍵盤(pán)、電源線和箱體開(kāi)口部位等，探頭也可深入被測(cè)設(shè)備的箱體內(nèi)進(jìn)行探測(cè)。為了確切指...

提供一種電磁場(chǎng)近場(chǎng)掃描裝置與掃描方法,掃描裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,通過(guò)探頭實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)物品的電磁場(chǎng)近場(chǎng)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確采集,通過(guò)空間移動(dòng)平臺(tái)和計(jì)算機(jī)協(xié)調(diào)工作實(shí)現(xiàn)對(duì)探頭位置的準(zhǔn)確控制,通過(guò)顯微攝像裝置準(zhǔn)確監(jiān)測(cè)探頭與待測(cè)物品之間的距離,從而能夠準(zhǔn)確獲得待測(cè)物品的電磁場(chǎng)近場(chǎng)掃描結(jié)果,...

20-30MHZ，（整改建議）1、對(duì)于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。200MHZ以上，開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過(guò)E...

分析信號(hào)回流對(duì)EMI的影響，可以看到：信號(hào)和回流外部區(qū)域，由于磁場(chǎng)的極性相反，可以相互抵消，而中間部分是加強(qiáng)的，這也是對(duì)外輻射的主要來(lái)源。很明顯，我們只要縮短信號(hào)和回流之間的距離，就可以更好的抵消的電磁場(chǎng)，同時(shí)也能降低中間加強(qiáng)部分的面積，很大壓制EMI。但如果...

散射近場(chǎng)測(cè)量：（1）常規(guī)天線電參數(shù)的測(cè)量：天線近場(chǎng)測(cè)量可以給出天線各個(gè)截面的方向圖以及立體方向圖，可以分析出方向圖上的所有電參數(shù)（波束寬度、副瓣電平、零值深度、零深位置等）和天線的極化參數(shù)（軸比、傾角和旋向）以及天線的增益。（2）低副瓣或很低副瓣天線的測(cè)量：天...

整改一個(gè)二十幾瓦的電源。這個(gè)產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)MOS管和雙向二極管所帶的散熱片都是沒(méi)有接入熱地的。（也就是電源初級(jí)邊的電解電容的負(fù)極。變壓器內(nèi)有一層線圈繞制的屏蔽并接入熱地。我就結(jié)合測(cè)試的曲線說(shuō)一下我的整改經(jīng)過(guò)吧。先上一個(gè)測(cè)試不通過(guò)的曲線：空間輻射的H方向的曲線這個(gè)電源...

電源適配器EMI確實(shí)很難理解，很難有精確的紙面設(shè)計(jì)，但是通過(guò)研究我們還是能知道大概趨勢(shì)指導(dǎo)設(shè)計(jì)，一般來(lái)講，投放市場(chǎng)的電源適配器都是符合對(duì)應(yīng)的EMI標(biāo)準(zhǔn)的，當(dāng)然這里指的是民用標(biāo)準(zhǔn)。經(jīng)過(guò)兩次的修改該產(chǎn)品順利的符合了客戶(hù)要求的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。終的整改方案為：1．將MOS管...

將連接EUT的周邊電纜逐一取下﹐看干擾的噪聲是否降低或消失。若取下某一電纜而干擾的頻率減小或甚而消失﹐則可知此電纜已成為天線將機(jī)板內(nèi)的噪聲輻射出來(lái)。事實(shí)上﹐仔細(xì)分析造成EMI的關(guān)鍵﹐我們可以用一個(gè)很簡(jiǎn)單的模式來(lái)表示。任何EMI的Source必須要有天線的存在﹐...

掃描儀會(huì)有輻射，電器在運(yùn)行中都會(huì)產(chǎn)生輻射。束縛電磁波主要集中在場(chǎng)源附近，以感應(yīng)場(chǎng)的形式存在。它的能量不只在電能與磁能兩種形式之間轉(zhuǎn)換，也在場(chǎng)源和周?chē)臻g之間轉(zhuǎn)換，但沒(méi)有功率向遠(yuǎn)處傳播。自由電磁波的能量能夠脫離場(chǎng)源，以電磁波的形式向遠(yuǎn)處傳播，其電磁場(chǎng)稱(chēng)為輻射場(chǎng)。...

20-30MHZ，（整改建議）1、對(duì)于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。因?yàn)樗鼈兊墓逃械碾娏骷半妷翰ㄐ危苑浅？焖俚拈_(kāi)關(guān)時(shí)間變化...

在信號(hào)處理中，濾波器的使用是常見(jiàn)的信號(hào)處理方式之一。那么什么樣的濾波器才能滿(mǎn)足工程師的設(shè)計(jì)要求呢？下面為大家介紹的信號(hào)端口濾波器件將是明智的選擇。信號(hào)端口濾波需要考慮的問(wèn)題點(diǎn)：l端口傳輸信號(hào)不能由于任何原因信號(hào)不完整的問(wèn)題；l普通磁珠，差分濾波器會(huì)對(duì)差分信號(hào)產(chǎn)...

車(chē)載導(dǎo)航產(chǎn)品的輻射干擾包含寬帶干擾和窄帶干擾。車(chē)載導(dǎo)航儀內(nèi)的DC/DC變換器工作在脈沖狀態(tài)下，本身就會(huì)產(chǎn)生很強(qiáng)的寬帶干擾。而車(chē)載電子產(chǎn)品的主控芯片的速度在不斷提高，時(shí)鐘上升沿的振鈴就會(huì)產(chǎn)生豐富的諧波窄帶干擾。對(duì)這些車(chē)載導(dǎo)航儀的輻射干擾的整改，需要對(duì)其電磁輻射干...

為了量化比較半雙工解串器與新一代全雙工設(shè)計(jì)的輻射特性，設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)再次使用了內(nèi)部的EMI極近場(chǎng)掃描儀。對(duì)于平面輻射近場(chǎng)測(cè)量的誤差分析已經(jīng)完成，計(jì)算機(jī)模擬及各項(xiàng)誤差的上界也已給出；柱面、球面輻射近場(chǎng)測(cè)量的誤差分析尚未完成。他們將原來(lái)的半雙工板放在掃描儀上，進(jìn)行基線測(cè)...

我們將初步的診斷步驟詳列于下﹐并加以說(shuō)明其關(guān)鍵點(diǎn)﹐這些步驟看來(lái)似乎非常平凡簡(jiǎn)單﹐不像介紹對(duì)策方法各種理論秘籍絕招層出不窮﹐變化奧妙。其實(shí)﹐許多很好EMI工程師在其對(duì)策處理時(shí)﹐大部份的時(shí)間都在重復(fù)這些步驟與判斷。筆者要再次強(qiáng)調(diào)﹐只有真正找到造成EMI問(wèn)題的關(guān)鍵﹐...

EMI是如何發(fā)生的？從技朮上EMI通常由變化的電磁場(chǎng)及把它們導(dǎo)通傳輸，電感或電容耦合通過(guò)自由或其組合，開(kāi)關(guān)電源是對(duì)EMI及RFI的產(chǎn)生壞的來(lái)源之一。因?yàn)樗鼈兊墓逃械碾娏骷半妷翰ㄐ?，以非?？焖俚拈_(kāi)關(guān)時(shí)間變化。開(kāi)關(guān)晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要...

industryTemplateEMI，電磁干擾度，描述電子、電氣產(chǎn)品在正常工作狀態(tài)下對(duì)外界的干擾。鄭州充電樁EMI分析整改接地整改方案，如下：從傳導(dǎo)的曲線上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超...

對(duì)高頻信號(hào)回流的理解不能有一個(gè)思維定勢(shì)，認(rèn)為回流必須完全存在于信號(hào)走線正下方的參考平面上。事實(shí)上，信號(hào)回流的途徑是多方面的：參考平面，相鄰的走線，介質(zhì)，甚至空氣都可能成為它選擇的通道，究竟哪個(gè)占主要地位歸根結(jié)底看它們和信號(hào)走線的耦合程度，耦合強(qiáng)的將為信號(hào)提供主...