深圳充電樁EMI分析整改

來源: 發(fā)布時間:2021-09-29

20-30MHZ,(整改建議)1、對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置;2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值;3、在變壓器外面包銅箔;變壓器里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。200MHZ以上,開關(guān)電源已基本輻射量很小,一般均可過EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對GND并的CY電容(容量范圍470PF-4700PF),對輻射的50MHz-110MHz,190MHz-240MHz均有改善.高壓地對Case地跨CY電容(容量范圍470PF-4700PF),對輻射40MHz-55MHz,80MHz-130MHz,160MHz-180MHz,均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容(容量范圍1000PF-4700PF/1KV),對輻射40MHz-90MHz,110MHz-170MHz均有改善。遮罩是好的解決EMI問題的有效方法。深圳充電樁EMI分析整改

EMI,電磁干擾度,描述電子、電氣產(chǎn)品在正常工作狀態(tài)下對外界的干擾;EMI又包括傳導(dǎo)干擾CE(conductionemission)和輻射干擾RE(radiationemission)以及諧波harmonic。EMC包括EMI(interference)和EMS(susceptibility),也就是電磁干擾和電磁抗干擾。EMI(ElectromagneticInterference)直譯是“電磁干擾”。EMI是指電子產(chǎn)品工作會對周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾,與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。EMC電磁能量的檢測、抗電磁干擾性試驗(yàn)、檢測結(jié)果的統(tǒng)計(jì)處理、電磁能量輻射壓制技術(shù)、雷電和地磁等自然電磁現(xiàn)象、電場磁場對人體的影響、電場強(qiáng)度的國際標(biāo)準(zhǔn)、電磁能量的傳輸途徑、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)及限制等均包含在EMC之內(nèi)。EMI是電子電器產(chǎn)品經(jīng)常遇上的問題。干擾種類有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。成都儀器儀表EMI分析整改走線布線敏感訊號用地包住,這樣包地即提供了訊號短回流路徑,也能消除與其他相鄰訊號的干擾。

通常,高速數(shù)字電路的EMI發(fā)射帶寬可以通過下面的公式計(jì)算:F=1/πTr,F(xiàn)為開關(guān)電路產(chǎn)生的高EMI頻率,單位為GHz,Tr為信號的上升時間或者下降時間,單位為ns。比如,對于上升時間為1ns左右的器件,那么它所產(chǎn)生的高EMI頻率將為350MHz,而如果上升時間降為為500ps,那么它的高EMI發(fā)射頻率將為700MHz,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于系統(tǒng)正常的工作頻率,這將會在一定程度上影響周圍其他系統(tǒng)的正常工作。顯然,如果能減緩信號的上升沿,將會在很大程度上減少EMI,但是隨著電子設(shè)計(jì)和芯片制造水平的發(fā)展,器件總是朝著高速方向發(fā)展,單一的降低信號開關(guān)速率顯然是不現(xiàn)實(shí)的。但我們卻可以通過降低信號電壓來達(dá)到同樣的目的,因?yàn)樵谙嗤臅r間內(nèi),低電壓器件需要跨越的邏輯門電壓幅度較小,就同樣減緩器件的上升沿速率,所以低電壓器件也是高速電路發(fā)展的趨勢。

對于EMI實(shí)際測試,整改,有經(jīng)驗(yàn)都可以拿來大家分享,先不管理論對不對,實(shí)際結(jié)果是怎樣就怎樣,繼續(xù)分享我的經(jīng)驗(yàn)如下:+12V田字體輸出線材上繞CoRe(常用規(guī)格為KN-RN250080),對輻射60MHz-70MHz,有改善.在次級整流管上串磁珠(常用規(guī)格為MD-353015,MD-353012),對輻射45MHz75MHz,120MHz-200MHz均有改善.一次側(cè)地對二次側(cè)地跨CY電容(容量范圍470PF-4700PF),此電容好是放在跨主變壓器兩地之間,對輻射30MHz-60MHz,有改善。不同的電源有不同的要求。真正的實(shí)際應(yīng)用中還有很多限制的,確實(shí)如此,板框?qū)е虏季值南拗?,空間的限制,EMI線路放不下,比如可控硅調(diào)光電源X電容不能太大,加太大了,燈會閃爍。有效降低電路EMI的技巧:當(dāng)存在一個磁場時,一個由導(dǎo)電材料形成的環(huán)路充當(dāng)了天線。

整改方案:從傳導(dǎo)的曲線上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了,所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標(biāo),所以增加共模電感到50mH,這項(xiàng)頻率超標(biāo)一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個屏蔽銅箔,并接入熱地。(同時做了別外一個變壓器,去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層,改變了變壓器的繞線方式,在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用)同時將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時將MOS管的D、S兩腳間增加了一個101/1KV的電容,做完以上的整改方案后做了一次測試。具體情況具體分析,其實(shí) EMI 就是一種經(jīng)驗(yàn),熟悉整改的方法就可以。成都儀器儀表EMI分析整改走線布線

說到EMC 的整改問題,相信接觸過的工程師都會有很刻記憶。深圳充電樁EMI分析整改

任何信號的傳輸都存在一個閉環(huán)的回路,當(dāng)電流從驅(qū)動端流入接收端的時候,必然會有一個回流電流通過與之相鄰的導(dǎo)體從接收端回流至驅(qū)動端,構(gòu)成一個閉合的環(huán)路,而環(huán)路的大小卻和EMI的產(chǎn)生有著很大的關(guān)系,我們都知道,每一個環(huán)路都可以等效為一個天線,環(huán)路數(shù)量或者面積越大,引起的EMI也越強(qiáng)。我們知道,交流信號會自動選取阻抗小的路徑返回驅(qū)動端,但實(shí)際情況中,信號不可能始終保持的理想路徑,特別是在高密度布線的PCB板上,過孔,縫隙等都可能降低參考平面理想的特性,而是表現(xiàn)為更復(fù)雜的回流形式。深圳充電樁EMI分析整改