4.時(shí)延匹配在做到時(shí)延的匹配時(shí),往往會(huì)在布線時(shí)采用trombone方式走線,另外,在布線時(shí)難免會(huì)有切換板層的時(shí)候,此時(shí)就會(huì)添加一些過孔。不幸的是,但所有這些彎曲的走線和帶過孔的走線,將它們拉直變?yōu)榈乳L度理想走線時(shí),此時(shí)它們的時(shí)延是不等的,
顯然,上面講到的trombone方式在時(shí)延方面同直走線的不對等是很好理解的,而帶過孔的走線就更加明顯了。在中心線長度對等的情況下,trombone走線的時(shí)延比直走線的實(shí)際延時(shí)是要來的小的,而對于帶有過孔的走線,時(shí)延是要來的大的。這種時(shí)延的產(chǎn)生,這里有兩種方法去解決它。一種方法是,只需要在EDA工具里進(jìn)行精確的時(shí)延匹配計(jì)算,然后控制走線的長度就可以了。而另一種方法是在可接受的范圍內(nèi),減少不匹配度。對于trombone線,時(shí)延的不對等可以通過增大L3的長度而降低,因?yàn)椴⑿芯€間會(huì)存在耦合,其詳細(xì)的結(jié)果,可以通過SigXP仿真清楚的看出,L3長度的不同,其結(jié)果會(huì)有不同的時(shí)延,盡可能的加長S的長度,則可以更好的降低時(shí)延的不對等。對于微帶線來說,L3大于7倍的走線到地的距離是必須的。 DDR協(xié)議檢查后生成的測試報(bào)告;安徽DDR測試
6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下,其電源的容差性。當(dāng)未符合此容差要求時(shí),將會(huì)導(dǎo)致很多的問題,比如加大時(shí)鐘抖動(dòng)、數(shù)據(jù)抖動(dòng)和串?dāng)_。這里,可以很好的理解與去偶相關(guān)的理論,現(xiàn)在從”目標(biāo)阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent(1)在這里,關(guān)鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流(TransientCurrent)的影響,另一個(gè)重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里,去耦網(wǎng)絡(luò)必須確保它的阻抗等于或小于目標(biāo)阻抗(Ztarget)。在一塊PCB上,由電源和地層所構(gòu)成的電容,以及所有的去耦電容,必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用。頻率在100KHz以下,在電壓調(diào)節(jié)模塊里的大電容可以很好的進(jìn)行去耦。而頻率在200MHz以上的,則應(yīng)該由片上電容或用的封裝好的電容進(jìn)行去耦。安徽DDR測試一種DDR4內(nèi)存信號測試方法;
1.目前,比較普遍使用中的DDR2的速度已經(jīng)高達(dá)800Mbps,甚至更高的速度,如1066Mbps,而DDR3的速度已經(jīng)高達(dá)1600Mbps。對于如此高的速度,從PCB的設(shè)計(jì)角度來幫大家分析,要做到嚴(yán)格的時(shí)序匹配,以滿足信號的完整性,這里有很多的因素需要考慮,所有的這些因素都有可能相互影響。它們可以被分類為PCB疊層、阻抗、互聯(lián)拓?fù)?、時(shí)延匹配、串?dāng)_、信號及電源完整性和時(shí)序,目前,有很多EDA工具可以對它們進(jìn)行很好的計(jì)算和仿真,其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比較多。顯示了DDR2和DDR3所具有的共有技術(shù)要求和專有的技術(shù)要求
這里有三種方案進(jìn)行對比考慮:一種是,通過過孔互聯(lián)的這個(gè)過孔附近沒有任何地過孔,那么,其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供;第二種是,一根長達(dá)362mils的微帶線;第三種是,在一個(gè)信號線的四周有四個(gè)地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters,從圖中可以看出,帶有四個(gè)地過孔環(huán)繞的信號過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線,從而提高了S21特性。
由此可知,在信號過孔附近缺少返回路徑的情況下,則此信號過孔會(huì)增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里,在時(shí)延方面顯得尤為重要。 DDR規(guī)范里關(guān)于信號建立;
DDR測試
DDR5的接收端容限測試
前面我們在介紹USB3.0、PCIe等高速串行總線的測試時(shí)提到過很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器,因此需要進(jìn)行接收容限的測試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣信號下的表現(xiàn)。對于DDR來說,DDR4及之前的總線接收端還相對比較簡單,只是做一些匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5.19),由于信號速率更高,因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變增益調(diào)整以及均衡器技術(shù),這也使得DDR5測試中必須關(guān)注接收均衡器的影響,這是之前的DDR測試中不曾涉及的。 DDR規(guī)范里關(guān)于信號建立保持是的定義;自動(dòng)化DDR測試銷售廠
DDR總線利用率和讀寫吞吐率的統(tǒng)計(jì);安徽DDR測試
DDR測試
要注意的是,由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片,所以DDR的信號質(zhì)量測試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號質(zhì)量的要求,因此DDR的自動(dòng)測試軟件也只對這一側(cè)的信號質(zhì)量進(jìn)行測試。對于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號質(zhì)量來說,不同控制器芯片廠商有不同的要求,目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范,因此其信號質(zhì)量的測試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測試點(diǎn),并借助合適的信號讀/寫分離手段來進(jìn)行手動(dòng)測試。 安徽DDR測試